硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系

应用科学学报 ›› 1996, Vol. 14 ›› Issue (3): 332-338.

硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系

肖志雄, 郑茳, 魏同立

东南大学

收稿日期:1994-04-24 修回日期:1994-10-13 出版日期:1996-09-30 发布日期:1996-09-30
作者简介:肖志雄:博士生,东南大学微电子中心,南京 210096

CALCULATION AND ANALYSIS OF THE IONIZED FRACTION AND THE EFFECTIVE MAJORITY-CARRIER CONCENTRATION IN SILICON AT LOW TEMPERATURES

XIAO ZHIXIONG, ZRENG JIANG, WEI TONGLI

Southeast University

Received:1994-04-24 Revised:1994-10-13 Online:1996-09-30 Published:1996-09-30

摘要/Abstract

摘要： 该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多数载流子浓度的影响;建立了从77K到300K广为适用的数学模型.获得的计算结果在轻掺杂时与已有的计算数据相一致;而在重掺杂时,解决了已有文献未能解决的难题:杂质电离率随掺杂浓度的增大而上升的定量计算.

关键词: 硅, 有效多数载流子浓度, 电离率, 低温

Abstract: In this paper, from the consideration of the bandgap narrowing effect resulting from heavily doping, a mathematic model for the ionized fraction and the effective majority-carrier concentration which is applicable from 77 to 300K is proposed. The obtained results are in accord with the existing calculative data at low doping concentrations; and at high doping concentrations, it has solved a problem which was not solved in the previous references:the quantitative calculation of the impurity ionized fraction increasing with the increase of the doping concentration.

Key words: ionization fraction, effective majority-carrier concentration, low temperature, Silicon

肖志雄, 郑茳, 魏同立. 硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系[J]. 应用科学学报, 1996, 14(3): 332-338.

XIAO ZHIXIONG, ZRENG JIANG, WEI TONGLI. CALCULATION AND ANALYSIS OF THE IONIZED FRACTION AND THE EFFECTIVE MAJORITY-CARRIER CONCENTRATION IN SILICON AT LOW TEMPERATURES[J]. Journal of Applied Sciences, 1996, 14(3): 332-338.

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