应用科学学报 ›› 2013, Vol. 31 ›› Issue (5): 537-543.doi: 10.3969/j.issn.0255-8297.2013.05.015
李扬1,2, 梁华国3, 陶志勇1
LI Yang1,2, LIANG Hua-guo3, TAO Zhi-yong1
摘要: 为缓解负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability, NBTI) 效应引起的电路老化,提高电路可靠性,提出一种在电路待机状态下应用输入向量约束的门替换方法. 运用动态和静态的NBTI 模型进行感知NBTI 的静态时序分析,确定潜在关键路径,考虑路径相关性的关键门算法以确定关键门,并生成能使关键门 最大限度处于恢复阶段的输入向量. 对输入向量无法控制的关键门采用门替换方法进行内部控制. 对ISCAS 标准电路的实验结果表明,电路时序余量为5% 时,该方法的平均门替换率降低到9.68%,时延改善率提高到39.65%.
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