摘要: 本文对反应溅射SiO2薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO2薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO2薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO2薄膜,在含CCl4的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO2的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×1010cm-2·V-1.以此SiO2薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.
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