摘要: 氧化锡薄膜高阻区具有冷电子发射的特性.本文所给出的初步实验结果表明,氧化锡薄膜主要发射区表面的元素成分和配比均发生了变化,发射电子能量分布不同于场致发射的电子能量分布.气体的种类和压强都可以对它的电子发射性能产生不同的影响.
章壮健, 杨锡良, 孙云龙, 高龙关. 氧化锡薄膜的冷电子发射[J]. 应用科学学报, 1987, 5(3): 249-253.
ZHANG ZHUANGJIAN, YANG XILIANG, SUN YUNLONG, GAO LONGGTTAN. COLD EMISSION FROM TIN OXIDE FILMS[J]. Journal of Applied Sciences, 1987, 5(3): 249-253.