摘要: 根据测定的CdTe熔体平衡蒸汽分压与温度关系,通过汽相Cd压控制熔体组成生长CdTe晶体,有效地控制了晶体组成对化学计量比的偏离,且晶体完整性、电学与光学特性有了明显改善.测定的若干性能达到或超过国际上报道的最佳值.国内有关单位用以制作的温度传感器和液结光化学电池以及用作CdTe热壁外延衬底,均取得满意结果.
桑文斌, 於美云, 吴汶海. 汽相Cd压控制下熔体生长CdTe晶体的研究[J]. 应用科学学报, 1988, 6(3): 249-254.
SANG WENBIN, YU MEIYUN, WU WENHAI. THE GROWTH OF CADMIUN TELLURIDE SINGLECRYSTAL FROM THE MELT UNDER A VAPOR PHASE WITH CONTROLLED Cd PARTIAL PRESSURE[J]. Journal of Applied Sciences, 1988, 6(3): 249-254.