摘要: 半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力[1].由于Si-SiO2界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降.
李丹之. 器件钝化中的应力中心和应力补偿效应[J]. 应用科学学报, 1989, 7(1): 91-94.
LI DANZHI. A MODEL OF STRAIN CENTERS AND STRAIN COMPENSATION FOR DEVICE PASSIVATION[J]. Journal of Applied Sciences, 1989, 7(1): 91-94.