摘要: 根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si3N4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si-O和Si-Si断键;另一是负电荷中心,它是Si-H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.
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