摘要: 用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi2的行为.在331和450cm-1处有两个WSi2的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi2的晶化不断增强.发现WSi2中伴有W5Si3相存在,但其行为仍显示为WSi2的特征.
陈存礼, 曹明珠, 华文玉. 应用于超大规模集成电路的新材料WSi2的快速热退火形成[J]. 应用科学学报, 1991, 9(3): 258-262.
CHEN cUNLI, cAO MINGSHU, HUA WENYU. NEW MATERIAL FOR VLSI-FORMATION OF WSi2 BY RAPID THERMAL ANNEALING[J]. Journal of Applied Sciences, 1991, 9(3): 258-262.