摘要: 该文首次报道了利用正电子湮没寿命谱检测β-BaB2O4单晶的缺陷状况,并结合晶体的生长条件,晶体后处理等工艺,讨论了缺陷的形成机理.
林翔, 唐鼎元, 史子康. β-BaB2O4晶体缺陷的正电子湮没研究[J]. 应用科学学报, 1993, 11(4): 311-315.
LIN XIANQ, TANG DINGYUAN, SHI ZIKANG. STUDY ON THE DEFECTS OF β-BaB2O4 SINGLE CRYSTAL BY POSITRON ANNIHILATION TECHNIQUE[J]. Journal of Applied Sciences, 1993, 11(4): 311-315.