摘要: 该文对生长在Si、Ge及其合金衬底上形变的Si1-xGex合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究.其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算,缺陷能级采用格林函数法进行计算.结果表明,晶格中的形变使原来类p的T2能级发生分裂.形变还造成合金的价带顶有较大的上升,从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级.
乔皓, 徐至中, 张开明. 形变的SiGe合金中的深能级[J]. 应用科学学报, 1996, 14(3): 313-317.
QIAO HAO, XU ZHIZHONG, ZHANG KAIMING. DEEP LEVELS IN STRAINED SiGe ALLOY[J]. Journal of Applied Sciences, 1996, 14(3): 313-317.