摘要: 该文应用Bitter粉纹技术系统地观察,并从能量分析了微型40nm厚度NiFe薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中,磁畴结构的特性和变迁过程.研究表明,元件中的Barkhausen跳跃是畴壁合并、壁态转变和塞漏畴转变等不可逆磁畴结构变化过程的结果.
余晋岳, 周勇, 宋柏泉, 叶伟春, 张宏. 微型NiFe条形薄膜元件在反磁化过程中的磁畴活动[J]. 应用科学学报, 1996, 14(3): 318-324.
YU JINYUE, YE WEICHEN, SONG BAIQUAN, ZHOU YONG, ZHANG HONG. THE DOMAIN ACTIVITIES DURING THE MAGNETIZATION REVERSAL PROCESS IN SMALL PERMALLOY FILM STRIPES[J]. Journal of Applied Sciences, 1996, 14(3): 318-324.