摘要: 该文通过控制氧化工艺条件,利用相应条件下样品的等温表面电位衰减测量、热刺激放电(ThermallyStimulatedDiseliarge,TSD)电流谱及电容-电压分析技术(C-VPlotter)等,研究了SiO2驻极体薄膜的内部结构和能阱分布,以及在其体内沉积的空间电荷的储存稳定性,分析了驻极电荷稳定性同氧化工艺条件之间的内在联系.
林华茂, 夏钟福, 沈绍群. 氧化工艺中影响SiO2薄膜驻极体性能的因素[J]. 应用科学学报, 1997, 15(2): 143-148.
LIN HUAMAO, XIA ZHONGFU, SHEN SHAOQUN. THE ELEMENTS OF OXIDE CONDITION WHICH INFLUENCE THE ELECTRET PROPERTIES OF THE THERMALLY WET-GROWN SiO2 FILMS[J]. Journal of Applied Sciences, 1997, 15(2): 143-148.