摘要: 对一种新型T形边缘场致发射体进行了静电分析,给出了一个三极管单元的数值计算结果.在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正交有限差分算法,由于所取坐标轴与边界重合,所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体.文中给出了场强及发射电流与几何结构因子的关系曲线、轨迹图及I-V特性曲线,并对制备提出了一些参考意见.
汪琛, 赵宏卫, 尹涵春, 王保平, 童林夙. 新型T形边缘场致发射器件的静电分析[J]. 应用科学学报, 1998, 16(3): 313-319.
WANG CHEN, ZHAO HONGWEI, YIN HANCHUN, WANG BAOPING, TONG LINSU. Electrostatic Analysis of the Newly Fabricated T -Shaped Disk-Edge Field Emitter Arrays[J]. Journal of Applied Sciences, 1998, 16(3): 313-319.