摘要: 提出了一种简单可行的CNT-FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF2薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始电子的截获,提高了器件发射电流密度和发光亮度.文中对该模型中二次电子发射过程进行了数值模拟计算并进行了相关验证实验.
中图分类号:
王琦龙, 雷威, 张晓兵, 狄云松, 周雪东, 刘敏. 新型CNT-FED栅极结构表面二次电子发射研究[J]. 应用科学学报, 2005, 23(3): 265-268.
WANG Qi-long, LEI Wei, ZHANG Xiao-bing, DI Yun-song, ZHOU Xue-dong, LIU Min. Secondary Electron Emission from Surface of Novel Gate Structure in CNT-FED[J]. Journal of Applied Sciences, 2005, 23(3): 265-268.