硅浅杂质能级的低温陷阱效应

应用科学学报 ›› 1996, Vol. 14 ›› Issue (1): 73-77.

硅浅杂质能级的低温陷阱效应

郑茳, 肖志雄, 吴金, 魏同立

东南大学

收稿日期:1994-01-31 出版日期:1996-03-31 发布日期:1996-03-31
作者简介:郑茳:副教授,东南大学电子工程系,南京 210018
基金资助:
国家自然科学基金,“八五”重点资助资助项目

TRAPPING CHARACTERISTICS OF THE SHALLOW IMPURITY ENERGY LEVEL IN SILICON AT LOW TEMPERATURES

ZHENG JIANG, XIAO ZHIXIONG, WU JIN, WEI TONGLI

Southeast University

Received:1994-01-31 Online:1996-03-31 Published:1996-03-31

摘要/Abstract

摘要： 分析了硅浅杂质能级的低温陷阶效应,给出了p型硅中不同注入水平下导带中注入电子与总电子数目之比n_σ/n_T的表达.主要结果表明在低注入条件下,浅杂质能级陷阱效应对于低温下双极器件的频率特性有着巨大影响;而在高注入水平下,由于总的注入电子数目大大超过被陷电子数目,从而克服了这一低温陷阱效应,可以忽略.

关键词: 硅, 浅杂质能级, 低温

Abstract: In this paper,the.trapping effect of the shallow impurity energy level in silicon at low temperatures is analyzed. The expression for the ratios of the injected electrons in the conduction band to the total electrons n_C/n_T at various injection levels in p-type silicon is given. The main. results indicate that the trapping effect of the shallow impurity energy level under the low injection condition will exert a tremendous influence on the frequency properties of bipolar devices at low temperatures, and it becomes neligible at the high injection level because the total injected electrons overwhelm the carrier trapping effect.

Key words: Trapping, Silicon, Low Temperature, Shallow Impurity Energy Level

郑茳, 肖志雄, 吴金, 魏同立. 硅浅杂质能级的低温陷阱效应[J]. 应用科学学报, 1996, 14(1): 73-77.

ZHENG JIANG, XIAO ZHIXIONG, WU JIN, WEI TONGLI. TRAPPING CHARACTERISTICS OF THE SHALLOW IMPURITY ENERGY LEVEL IN SILICON AT LOW TEMPERATURES[J]. Journal of Applied Sciences, 1996, 14(1): 73-77.

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