×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框(Modal)标题
×
首页
期刊介绍
编委会
投稿指南
期刊订阅
征稿专栏
联系我们
English
选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究
陆生礼, 丁勇, 时龙兴
Sidegating Effect of GaAs MESFET with Planar Selective Ion Implantation
LU Sheng-li, DING Yong, SHI Long-xing
应用科学学报 . 2006, (
6
): 577 -581 .