摘要: 本文提出一种利用低频锁相放大器测量高频信号的混频-锁相检测技术.将这一技术用于低阻半导体器件的结电容测量,获得了满意的结果.测量装置的工作频率在400千赫~4兆赫间连续可调,可以测出结电阻低到50欧姆的器件的结电容.文中列出了碲镉汞光电二极管结电容的测量结果.
王继元, 凌仲赓. 用于低阻半导体器件结电容测量的混频-锁相检测技术[J]. 应用科学学报, 1984, 2(1): 67-74.
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