应用科学学报

砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长Ⅱ.高纯砷化铟晶体生长及热处理对电学性质的影响

吴际森, 邹元爔, 莫培根

1984, 2(1): 1-10.

摘要 ( 514 )

PDF (1425KB) ( 92 )

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用特别处理的石英舟生长纯度InAs晶体,不仅避免了Si沾污,而且能克服沾舟的困难.晶体的电学性质μ₇₇在54000~60000 cm²/V·s之间,最高达68800 cm²/V·s,n₇₇在1.5~2.0×10¹⁶cm^-3范围,比一般石英舟生长的为好.用它作GaInAs气相外延的源,也能得到较好结果.

粘弹塑性介质动力断裂问题中的路径无关积分

欧阳鬯

1984, 2(1): 11-14.

摘要 ( 413 )

PDF (242KB) ( 96 )

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路径无关积分对于断裂准则的研究是重要的,本文推广文献[1]中关于非线性弹性、弹塑性介质断裂动力学中路径无关积分的研究于粘弹塑性介质的动力断裂问题,作出了若干相应的路径无关积分.给出了裂纹在这类介质中动力扩展时动力裂纹扩展力的线积分表达式,并证明所构作的路径无关积分等于动力裂纹扩展力,从而赋予所论路径无关积分以明确的力学意义,这就为以它们作基础构作粘弹塑性介质的动力断裂准则给出了理论依据.

特征矩阵法分析周期性矩形皱波导

曹庄琪, 方俊鑫

1984, 2(1): 15-22.

摘要 ( 473 )

PDF (443KB) ( 90 )

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本文用特征矩阵和光学薄膜的理论分析周期性矩形皱波导,得到了用传统方法求解周期性矩形皱波导的主要结果.所求出的耦合系数表达式比耦合模理论的结果更为简单、实用.本文还对这类波导传播常数的禁域中心进行了探讨,对于三种不同的周期性矩形皱波导,有三个不同的布喇格值与之相对应,而各禁域的宽度是相同的.

表面声光衍射中的伴随热效应及其对光波导模折射率的影响

沈荣桂, 陈益新, 许政权

1984, 2(1): 23-32.

摘要 ( 428 )

PDF (3955KB) ( 126 )

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在声表面波和光导波的声光衍射实验中观察到有伴随的热效应,并测得其对光波导的模折射率产生10^-4~10^-3数量级的变化.用瑞典制造的AGA750型热象仪进行分析,证实了预想的发热机构.

微阵列机系统MC-MAP的总体设计

杨克忠, 杜毅仁

1984, 2(1): 33-42.

摘要 ( 436 )

PDF (574KB) ( 87 )

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本文提出一种单指令流多数据流SIMD微阵列机系统MC-MAP.该系统以通用微型计算机作为主控制机,阵列处理机MAP作为从机.文中阐述了MAP的三个组成部分(控制部件ACU、处理部件APU和I/O部件AIO)的结构及其设计特点,并探讨了内部的微程序控制方式.

修改RS码子域子码最小距离下限的改进

冯贵良, K. K. Tzeng

1984, 2(1): 43-48.

摘要 ( 389 )

PDF (351KB) ( 83 )

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本文改进了修改RS码子域子码最小距离下限扩张的定理,使更多的修改RS码子域子码最小距离下限得以扩张.本文的结果也十分容易推广到由Lagrange插值公式决定的广义Goppa码中去.

金属枝晶生长方向的研究

史乃立, 蔡幼庆

1984, 2(1): 49-56.

摘要 ( 558 )

PDF (410KB) ( 127 )

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本文利用结晶热力学基本理论结合点阵中原子排列的规律性,对金属枝晶生长方向进行了研究并取得了与实际一致的结果.

ZnS型晶体<110>沟道坑不对称性及锡在砷化镓中的晶格位

张祖华

1984, 2(1): 57-66.

摘要 ( 486 )

PDF (645KB) ( 86 )

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本文阐明了ZnS型晶体中<110>沟道坑的不对称性这一新的实验现象,定性地证明了这种不对称性起因于原子排列的几何分布的不对称性.利用这个新的实验现象作为晶格定位手段,测定了离子注入的杂质原子Sn在GaAs晶体中占Ga位,其<110>方向的替位率为88%左右.通过与常规的沟道定位技术相比较,新的定位技术其主要优点在于:(1)在较短的时间内、使用较少的束流剂量就能完成定位实验;(2)对于由质量数相近的两类基质原子构成的ZnS型晶体,新的定位技术克服了常规沟道定位技术的困难;(3)这种新技术能测定ZnS型晶体<111>方向的堆垒次序(stacking order).

用于低阻半导体器件结电容测量的混频-锁相检测技术

王继元, 凌仲赓

1984, 2(1): 67-74.

摘要 ( 544 )

PDF (525KB) ( 116 )

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本文提出一种利用低频锁相放大器测量高频信号的混频-锁相检测技术.将这一技术用于低阻半导体器件的结电容测量,获得了满意的结果.测量装置的工作频率在400千赫~4兆赫间连续可调,可以测出结电阻低到50欧姆的器件的结电容.文中列出了碲镉汞光电二极管结电容的测量结果.

InP单晶的阳极氧化,界面参数和浓度分布的研究

丁永庆, 彭瑞伍, 汪光裕

1984, 2(1): 75-80.

摘要 ( 484 )

PDF (334KB) ( 109 )

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本文首次测量了用阳极氧化方法制得的N型InPMIS二极管的I-V和C-V特性.从I-V特性曲线计算出二极管的理想因子n值为1.4,势垒高空>0.75eV.用汞探针和阳极氧化逐层剥离的方法测得了N型InP气相外延载流子浓度的纵向分布.此法制得的金势垒MIS结构可能对开展InP深能级工作有所帮助.

纵向放电激励XeCl^*闪光灯

周政卓, 邱明新, 陈发农

1984, 2(1): 81-84.

摘要 ( 521 )

PDF (917KB) ( 92 )

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准分子体系的辐射特性与激光作用已有不少报道^[1~3],准分子基态为排斥态或不稳定态,而其激发态为稳定的分子态,但其寿命也仅在10^-8秒的数量级.

非线性包络检波器的均方根带宽及其在信道测量中的应用

戴耀森

1984, 2(1): 85-88.

摘要 ( 617 )

PDF (200KB) ( 138 )

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根据输入来确定非线定非线性器件输出的功率频譜,是一个困难而又苦老的问题,曾为Rice等人研究过,但是,以往的结果,多半是在假设输入为高斯变量的情况下得到的,应用时受到较多的限制.

汽相生长的碲锡铅单晶的质量评价

司承才

1984, 2(1): 89-94.

摘要 ( 489 )

PDF (2706KB) ( 64 )

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碲锡铅(Pb_1-xSn_xTe)是一种禁带宽度可调的三元化合物半导体,用它不仅可制备814μm的高灵敏度的红外探测器,而且可以制备长波红外可调谐激光器.

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