大面积低能电子束快速退火在4ETPM电路制作中的应用

应用科学学报 ›› 1987, Vol. 5 ›› Issue (4): 368-371.

大面积低能电子束快速退火在4ETPM电路制作中的应用

杜元成, 鲁钟, 吴苏华, 郁曾期, 李幸福, 孙迭篪, 李富铭

复旦大学

收稿日期:1984-08-29 修回日期:1985-09-02 出版日期:1987-12-31 发布日期:1987-12-31

APPLICATION OF LARGE AREA LOW ENERGY ELECTRON BEAM ANNEALING IN FABRICATION OF 4ETPM INTEGRATED CIRCUIT

DU YANCHENG, LU ZHONG, WU SUHUA, YU ZENGQI, LI XINFU, SUN DIECHI, LI FUMING

Fudan University

Received:1984-08-29 Revised:1985-09-02 Online:1987-12-31 Published:1987-12-31

摘要/Abstract

摘要： 在制造VLSI集成电路中,用快速的束退火技术代替常规的高温退火可以保证晶格损伤的恢复,而且杂质再分布大大减小.从而满足浅结和速度方面的要求,这种束退火技术日益为人们所重视.

杜元成, 鲁钟, 吴苏华, 郁曾期, 李幸福, 孙迭篪, 李富铭. 大面积低能电子束快速退火在4ETPM电路制作中的应用[J]. 应用科学学报, 1987, 5(4): 368-371.

DU YANCHENG, LU ZHONG, WU SUHUA, YU ZENGQI, LI XINFU, SUN DIECHI, LI FUMING. APPLICATION OF LARGE AREA LOW ENERGY ELECTRON BEAM ANNEALING IN FABRICATION OF 4ETPM INTEGRATED CIRCUIT[J]. Journal of Applied Sciences, 1987, 5(4): 368-371.