应用科学学报

非晶共聚体PMA_0.1PMMA_0.9的布里渊散射

王卫国

1987, 5(4): 283-286.

摘要 ( 408 )

PDF (1188KB) ( 84 )

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在_0.110~0.510cm^-1波数范围和15~170℃温度区间研究了非晶共聚体PMA_0.1PMMA_0.9的布里渊光谱.

星载交调补偿器

严方, 陆建荣

1987, 5(4): 287-294.

摘要 ( 381 )

PDF (1432KB) ( 76 )

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本文导出正交合成交调补偿器的幅/相特性解析式,并根据这些公式研制出星载交调补偿器.性能测试表明,该器件具有良好的抑制交调产物的能力,证实理论与实验结果相符.

天然放射性示踪剂的应用Ⅱ.利用²²⁶Ra示踪剂探索九龙江入海泥沙的运移规律及对厦门航道淤积的影响

陈讲兴, 张平青, 林绍盟

1987, 5(4): 295-300.

摘要 ( 533 )

PDF (420KB) ( 86 )

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本文通过测定厦门海域沉积物中²²⁶Ra的水平分布,了解到九龙江人海泥沙大部分是沿着九龙江水的主流方向经厦门外港输入外海,也有一小部分泥沙随着余流进入厦门西港(即主航道),但进入西港的泥沙主要是停留在嵩鼓海峡(即嵩屿与鼓浪屿之间),对嵩鼓航道产生一定淤积,对厦鼓海峡(即厦门与鼓浪屿之间)的影响极小,这结论和我们用测定沉积物中总β的分布研究九龙江泥沙运动所得的结果一致^[1].

剩余寿命的若干极限性质

糜解

1987, 5(4): 301-307.

摘要 ( 482 )

PDF (376KB) ( 81 )

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设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.

关于纠两个错误的二元Goppa码的准完备性及其完全译码

冯贵良

1987, 5(4): 308-316.

摘要 ( 645 )

PDF (551KB) ( 89 )

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本文证明了位置集L=GF(2^m)、生成多项式G(z)=z²+az+b的二元Goppa码,除m为偶数并且S₁=0,S₃=a^-1外,是准完备的.当m为偶数,那末不存在重量不大于3的矢量具有伴随式S₁=0,S₃=a^-1;但至少存在一个重量为4的矢量具有伴随式S₁=0,S₃=a^-1,此外,还给出L=GF(2^m)、G(z)=z²+az+b的二元Goppa码的一个完全译码.

柔性旋转系统油膜失稳转速下界值估计的数学论证

张文

1987, 5(4): 317-322.

摘要 ( 419 )

PDF (365KB) ( 73 )

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本文对由油膜轴承支撑的柔性转子系统的油膜振荡失稳门槛转速值的估计作了研究,从理论上证明了如下事实:一般的转子系统的失稳门槛速度必大于对应的等价单转盘转子的失稳门槛速度.这一结论提供了一个用以估计实际转子系统失稳转速的简单工程计算方法.

阳极氧化InP表面和界面的AES研究

蒋长根

1987, 5(4): 323-328.

摘要 ( 569 )

PDF (474KB) ( 79 )

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利用俄歇谱线的形状和能量位移分析了阳极氧化InP的表面和界面,对在pH=2.6和pH=6两种酒石酸+丙烯乙二醇电解液生长的InP氧化物,研究了其组分和键合态.

LP模耦合波理论及其应用

黄卫平, 钱景仁

1987, 5(4): 329-336.

摘要 ( 937 )

PDF (474KB) ( 167 )

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本文首先引入LP模(即线极化模)的一种定义,并讨论了LP的正交性问题.在此基础上较严格地推导出LP模的耦合波方程,发现耦合系数由两部分构成:由于LP模不满足参考光纤的麦克斯韦方程及边界条件而引起的剩余耦合和由于实际光纤偏离参考光纤所引起的固有耦合.利用矩阵变换将上述LP模耦合波方程化为理想模(即参考光纤的简正模)的耦合波方程,得到了LP模与理想模之间的关系式,由此可估算用LP模直接代替理想模处理实际光纤中的耦合问题带来的误差以及允许这种替代的条件.

小角散射准直校正中的权重函数

郭常霖, 姚公达, 陆昌伟

1987, 5(4): 337-345.

摘要 ( 620 )

PDF (609KB) ( 90 )

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通常X射线小角散射实验数据几乎都需进行准直校正,这要求事先用理论计算方法或实验测定方法得到仪器的权重函数.由于概念上的混乱,目前不少文献中测定权重函数的方法存在一些矛盾和问题.本文从准直校正的基本理论出发,对权重函数的物理意义及测定方法作了阐述和讨论.作为实例,对不同的小角散射仪的权重函数作了测定。

K₅Bi_1-xEr_x(MoO₄)₄固溶体的晶体数据

刘建成, 张龙生

1987, 5(4): 346-350.

摘要 ( 505 )

PDF (2187KB) ( 60 )

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用衍射仪和德拜-谢乐相机,Cu靶Ka辐射,收集了K₅Bi_1-xEr_x(MoO₄)₄(x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,1.0)的X射线粉末衍射图谱.K₅Bi_1-xEr_x(MoO₄)₄(x=0~1)在x的变化范围内是固溶体,它们属于三方晶系,空间群为五R3m,Z=1.5,K₅Bi_0.9Er_0.1(MoO₄)₄晶胞参数为:a=0.6020nm,c=2.0740nm.

自由电子受激辐射的电子对量子理论

叶伦炎

1987, 5(4): 351-357.

摘要 ( 460 )

PDF (441KB) ( 74 )

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本文认为自由电子受激辐射来源于电子对的量子跃迁.计算了电子对的跃迁几率.给出了自由电子受激辐射产生条件.

酞菁铜蒸发膜电导特性的电极效应

石祖荣, 张镜文, 蔡中孚, 黄伟秋, 钱人元

1987, 5(4): 358-362.

摘要 ( 506 )

PDF (352KB) ( 102 )

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本文研究了不同电极材料(Au、Ag、Cu、Al和SnO₂、In₂O₃)对酞菁铜(PcCu)蒸发膜V-I特性的影响.用同样的金属(Au、Ag、Cu)作顶底电极时,改变电极极性所得暗电流是对称的,V-I特性属典型的SCLC型.而Al/PcCu/Al体系呈现阻挡接触,估计这是蒸得的Al电极上存在氧化层之故.当Al作顶电极,玻璃基片上的SnO₂或In₂O₃层作底电极时,Al极加负电压观察到SCLC,而当SnO₂极加负电压时观察到电极限制电流,In₂O₃极加负电压时观察到负阻效应.

半导体表面层势、场和电荷分布的一种简明解析表达

倪庆霄

1987, 5(4): 363-367.

摘要 ( 895 )

PDF (316KB) ( 123 )

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半导体表面层偏离平带的状况有三种主要类型:积累层、耗尽层和反型层。关于表面层中场和势的分布,除了对耗尽层或弱反型层有熟知的"耗尽近似"简明解析表达外^[1,2],对表面层其他类型.

大面积低能电子束快速退火在4ETPM电路制作中的应用

杜元成, 鲁钟, 吴苏华, 郁曾期, 李幸福, 孙迭篪, 李富铭

1987, 5(4): 368-371.

摘要 ( 511 )

PDF (1197KB) ( 100 )

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在制造VLSI集成电路中,用快速的束退火技术代替常规的高温退火可以保证晶格损伤的恢复,而且杂质再分布大大减小.从而满足浅结和速度方面的要求,这种束退火技术日益为人们所重视.

微波热疗中的透深研究

胡长瑛

1987, 5(4): 372-376.

摘要 ( 542 )

PDF (314KB) ( 118 )

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根据肿瘤细胞与正常细胞对温度耐受性的差异,用微波辐照肿瘤组织,使之升温到42℃以上,杀伤肿瘤细胞.这就是近年来受到国内外重视的微波加热治疗肿瘤.

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