摘要: 近年来在绝缘衬底上激光再结晶的多晶硅膜内制作SOI器件[1,2]受到广泛重视.人们对SOI结构的制备及性质,尤其是对多晶硅层和绝缘衬底间的界面面性质[3~6]进行了广泛的研究.
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