摘要: 用Monte Carlo方法研究了电子束曝光中电子与胶层及衬底中原子相互作用情况,提出了一个高能电子在多层介质间散射的"折射"模型,模拟了不同条件下在硅衬底或覆铬硅片上用Langmuir-Blodgett (LB)技术和旋涂法制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)抗蚀层及衬底中电子的散射轨迹,并计算了背散射系数。结果证明:在相同的电子束能下,电子在LB抗蚀层中存在较小的背散射系数,并且采用较低或较高的能量曝光,均可达到减小背散射的目的。
鲁武, 顾宁, 陆祖宏, 韦钰. 电子束在胶层及衬底中散射轨迹的Monte Carlo模拟并从背散射系数看LB抗蚀层优越性[J]. 应用科学学报, 1995, 13(1): 29-34.
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