摘要: 对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管,该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下,根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用,建立了发射区注入电子电流Jn和基区注入空穴电流Jps的一维非线性解析模型.该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件,对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便,同时精度也较高,可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计.
吴金, 魏同立. 多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析[J]. 应用科学学报, 1996, 14(3): 325-331.
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