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36.
MLC型NAND闪存中基于MI异构的Polar码优化
张司琪, 孔令军, 张顺外, 张南
应用科学学报
2020, 38 (3):
431-440.
DOI: 10.3969/j.issn.0255-8297.2020.03.009
为了进一步提高多级单元(multi-level-cell,MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information,MI)异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比(log-likelihood ratio,LLR)分布在MLC闪存信道和AWGN(additivewhite Gaussian noise)信道中的差异性,以MI重新拟合LLR分布,得到在闪存信道下等效的标准方差,从而进行高密度存储系统中的polar码优化设计.随后,分析了不同的polar码构造法对多级存储单元的纠错性能影响,并与所提的构造方法进行比较.仿真结果表明该文优化方法优于AWGN信道下传统的构造方法,当编程/擦除(program-and-erase,PE)循环为21 000次时,与蒙特卡罗法相比其误码率(bit error rate,BER)性能提升2个数量级,且在BER为2 × 10-5时可增加6 800次的编程/擦除循环.
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