采用流体动力学输运模型详细分析了发射区PN结偏移对AlGaAs/GaAsHBT器件性能的影响,提出了器件优化设计的原则.在中等和小的偏压下为了提高β,PN结应向宽禁带层偏移,而为了得到大电流下大的电流放大倍数则应采用PN结与异质结对准的结构.