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当期目录

    1990年 第8卷 第4期    刊出日期:1990-12-31
    论文
    单符号网络函数及其数值、符号分离算法
    戴杰, 李锋
    1990, 8(4):  283-291. 
    摘要 ( 366 )   PDF (531KB) ( 104 )  
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    提出了单符号网络函数的概念和建立节点导纳矩阵的分离形式,采用数值符号分离算法导出节点导纳矩阵的行列式和一阶、二阶代数余子式的计算公式.在此基础上,又导出了单符号网络函数的计算公式.应用这些公式,可以获得任意一个网络函数,且把网络中任意一个元件参数(K,L,C,g,gm,β)作为符号保留在网络函数中.数值符号分离算法的时间复杂性是O(n3),因此,是一个有效算法,便于用计算机实现,且适用于大网络.
    鱼田堡煤微波/磁脱硫的穆斯堡尔谱研究
    翁斯灏, 徐永祥, 王昭明, 赵长根, 王杰, 杨笺康
    1990, 8(4):  292-296. 
    摘要 ( 288 )   PDF (386KB) ( 91 )  
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    用穆斯堡尔效应研究煤粒的微波脱硫,结果表明一半以上的硫铁矿FeS2转变为中等磁性的非化学计量的磁黄铁矿Fe1-xS (0 < x ≤ 0.125)和反铁磁性的陨硫铁FeS,从而大大增强了煤粒磁性脱硫的效果;没有氧化铁类物相的痕迹.经0.6T磁场再分离后,非磁煤粒中除少量FeS2外,不再有Fe1-xS、FeS和FeSO4存在.计算得到两者的无机硫脱硫率分别为24%和91%.
    在低覆盖度下Au/GaAs和Au/GaSb界面的开尔文探针电容电位差研究
    邵丙铣
    1990, 8(4):  297-302. 
    摘要 ( 277 )   PDF (405KB) ( 93 )  
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    介绍了在超高真空系统中利用开尔文探针电容电位差(CPD)方法,在低覆盖度下Au/GaAs和An/GaSb的界面研究工作.在劈裂后的GaSb和GaAs表面,经初始的亚单层Au淀积后,两者的CPD值均有很大的跳变.这是同这一事实相符合的:按照光发射谱测量,在Au淀积的最初阶段(约0.2ML的Au淀积层),费米能级就"钉住"在表面态.此外,Au/n-GaAs的界面实验表明:CPD值有显著的光效应,特别在小于1ML的Au淀积层的情形下.
    硅片直接键合机理研究
    童勤义, 徐晓莉
    1990, 8(4):  303-308. 
    摘要 ( 485 )   PDF (921KB) ( 146 )  
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    提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦斯力互相吸引.在200-400℃,两表面吸附之羟基互相作用形成键合界面的硅醇键.温度高于800℃,硅醇键间发生显著化学聚合反应,形成硅氧键及水.水分子高温下扩散入体内与硅氧化,使键合强度增大,并使键合界面处空洞形成局部真空,有利于空洞消失.水扩散系数随温度而指数增大,在1050℃附近有一转折点,扩散系数增加速率显著减慢.由以上键合机理确定了优化的两阶段键合工艺,制得3英寸直接键合硅片.成功地利用SOI/SDB衬底制备了1-3μm CMOS器件,典型的电子和空穴沟道迁移率为680cm2/V·sec及320cm2/V·sec.
    (Li,Ca,Gd)SiO3:Eu,Bi的合成和发光性能的研究
    李彬, 田一光, 白玉白
    1990, 8(4):  309-314. 
    摘要 ( 323 )   PDF (411KB) ( 82 )  
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    为了寻找新的发光体基质材料,用高温固相反应首次合成了(Li,Ca,Gd)SiO3:Eu,Bi系列发光体.通过室温激发光谱和发射光谱的测试,研究了基质中Gd3+对Eu3+、Bi3+的发光行为和Bi3+对Eu3+敏化作用的影响,得到了最佳基质组成和合成条件.实验结果表明,Eu3+发光的5D0-7F25D0-7F1的发射强度比值和Bi3+对Eu3+的敏化效果都随基质组成的变化呈现明显的规律性.
    锆在氟化物熔盐体系中的电结晶机理
    叶尚云, 李国勋
    1990, 8(4):  315-320. 
    摘要 ( 306 )   PDF (918KB) ( 112 )  
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    在氟化物熔体中,详细地探讨了锆的电结晶长大机理.稳态极化结果表明锆在该熔体中的电结晶过程与电极材料的性质密切相关,在玻态碳电极上表现出电成核步骤对沉积过程的影响.计时电流实验发现锆的电结晶步骤为瞬间成核长大过程.电沉积实验表明锆结晶层按"螺位错"晶体生长方式长大,XRD分析证实其优越生长方向为Zr<110>.不同的电积工艺条件对应不同的电沉积过程,而且能得到具有不同织构方向的沉积层.
    (ZnGeP2)1-x(GaP)2x体系相结构及其特性研究
    何贤昶, 沈荷生
    1990, 8(4):  321-325. 
    摘要 ( 253 )   PDF (988KB) ( 82 )  
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    研究了(ZnGeP2)1-x(GaP)2x体系的相结构,测量了因Ga取代部分Zn和Ge所引起的该体系的电学、光学、机械性能等的变化,并对这些变化的可能原因作了初步的探讨.
    邻甲苯胺的电化学合成及其阴极反应机理的研究
    桂伟志
    1990, 8(4):  326-332. 
    摘要 ( 258 )   PDF (404KB) ( 83 )  
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    介绍邻甲苯胺的电化学合成新方法及其阴极反应机理的研究.为了找出最佳电解电位范围,在电解进行之前,均需先测出每种溶液体系的极化曲线.其产品收率为80%,电流效率为98%.作者经反复试验已推测其阴极反应机理为EEC三个分步,并指出电合成效果与电极反应机理间的关系.
    用CDSC法考察AN/IA/MA共聚纤维热解初期的热量释放规律
    赵根祥, 玄秀兰
    1990, 8(4):  333-337. 
    摘要 ( 266 )   PDF (359KB) ( 73 )  
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    描述了补偿式示差扫描量热(CDSC)法考察丙烯腈(AN)/衣康酸(IA)/丙烯酸甲酯(MA)共聚纤维在氮气气氛中热解初期的热量释放情况.提出了该样品在热解时,分子中发生环化反应所生成的聚合热的释放规律遵循一级动力学反应.根据阿累尼乌斯方程得到吉林聚丙烯腈(PAN)原丝在本实验条件下,分子中腈基环化反应的活化能为91.030kJ/mol.同时,基于加热速度对其放热量的影响,获得了吉林PAN原丝在本体系中的表观活化能.
    计算机绘制三维曲面图形的一种改进消隐法
    汤正诠, 徐嘉芳
    1990, 8(4):  338-342. 
    摘要 ( 282 )   PDF (312KB) ( 68 )  
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    叙述了三维图形绘制中的一种改进的消隐方法,并提供了这种方法的流程图.
    计算机长江水情信息系统的设计与实现
    李腊元
    1990, 8(4):  343-348. 
    摘要 ( 255 )   PDF (458KB) ( 95 )  
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    本文主要讨论一个计算机长江水情信息系统的设计思想及实现技术.文中先论述了本系统主要的技术指标及其功能;接着提出了实现本系统的硬件体系结构,系统软件及应用软件;最后给出了有关结论.
    推理网络的回路识别算法
    吴信东, 方轮
    1990, 8(4):  349-353. 
    摘要 ( 317 )   PDF (310KB) ( 98 )  
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    推理网络是一种特殊的有向图,有效地识别出推理网络中的回路不仅对电路分析和图论研究有意义,而且对智能计算机系统的自动知识获取更有着特殊意义.该文设计并用Turbo-PROLOG语言实现了一个推理网络的回路识别算法,该算法也适用于一般形式的有向图.
    研究简报
    立方氮化硼砂轮干磨时的渗硼及其对零件表面性能的影响
    胡忠辉, 袁哲俊
    1990, 8(4):  354-356. 
    摘要 ( 326 )   PDF (228KB) ( 90 )  
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    CBN (立方氮化硼)砂轮作为一种超硬磨料砂轮,已广泛应用于工具钢、模具钢、轴承钢及其它黑色金属材料的磨削加工.许多研究表明[1,2],CBN砂轮磨削可以极大地提高生产率,降低加工成本,尤其重要的是可以大大提高零件的耐用度.
    有限温度下界面磁极化子的回旋质量与温度的关系
    赵国忠, 顾世洧
    1990, 8(4):  357-361. 
    摘要 ( 310 )   PDF (318KB) ( 87 )  
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    早在六十年代,Larsen[1,2]就研究了磁场中极化子的能级及其回旋共振.随着外延技术和磁光技术的不断发展,磁场中电-声子相互作用的问题,已变成一个广泛研究的领域[3-5] Das Sarma[6]精辟地分析了电-声子相互作用对半导体空间电荷层中二维电子回旋质量的影响.
    强脉冲电子束引发气相沉积过程的研究
    韩丽君
    1990, 8(4):  362-366. 
    摘要 ( 264 )   PDF (697KB) ( 65 )  
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    近年来,随着等离子体技术的迅速发展,等离子体化学气相沉积在微电子、超导、光纤通讯等新技术领域里被广泛用于材料表面改性,制备各种具有特殊性能的薄膜等.作者在这方面作了一些有意义的工作.本文将介绍一种类似于激光产生化学气相沉积的新手段,即在低压气体环境中,利用强脉冲电子束轰击靶物质,在衬底表面生成固体薄膜的实验结果,以及用AES,ESCA.电子显微镜等分析手段观察,探讨样品表面的化学组成和结构变化.
    N235萃取型碳糊修饰电极测定金的研究
    彭图治, 施清照, 吕荣山
    1990, 8(4):  367-370. 
    摘要 ( 269 )   PDF (271KB) ( 82 )  
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    碳糊化学修饰电极是在普通碳糊中加入特定的化学修饰剂而制成的一类新型电极.由于碳糊电极本身具有较大的电位使用范围,背景电流低,表面更新方便,并且容易与各种固体和液体试剂混合,因而这类修饰电极近年来得到了迅速发展[1~3].