应用科学学报

徐善驾, 马哲旺

1990, 8(3): 189-196.

摘要 ( 347 )

PDF (492KB) ( 82 )

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提出了一种分析径向非均匀光纤的改进阶梯近似法.这种方法把传输线网络的概念和严格的场匹配方法相结合,给出了一个新的求解公式,大大简化了经典阶梯法的求解过程.文中对几种典型径向非均匀光纤色散特性、能流密度分布以及群速、微分群时延的分析计算表明,文中方法比以前的阶梯法更简洁、更精确,并收敛得更快.

超痕量RIS-TOFMS高技术在地质找矿中的应用

陈瓞延

1990, 8(3): 197-206.

摘要 ( 331 )

PDF (723KB) ( 96 )

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激光共振电离谱学和飞行时间质谱学相结合形成的RIS-TOFMS技术是当今超痕量探测技术中最新的、最灵敏的,也是通用性最好的一种.首先简短地介绍一下有关RIS-TOFMS方法的基本原理和它在一些高科技领域中应用的现状.然后,着重论述RIS-TOFMS方法应用于地质科学中勘查地下隐伏贵金属(黄金、铂、…)矿床的设想,并介绍了该实验室有关这方面研究工作的进展情况.从几年来此项工作进展和取得的成果来看,这项研究成果成熟化之后,应用开发的前景是明朗的.亦即,它将是:
(1)发展为陆地深部稀贵金属、稀土金属矿产资源勘探的新型的仪器设备;
(2)发展成为船载的新型的海洋矿产资源勘查的有效的仪器设备;
(3)发展成为材料科学(包括超导体科学)、薄膜科学、环境科学、生物、医学等方面的高科技研究的手段.

等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究

李丹之, 赵冷柱, 劳凤英

1990, 8(3): 207-212.

摘要 ( 366 )

PDF (408KB) ( 100 )

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根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si₃N₄时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si-O和Si-Si断键;另一是负电荷中心,它是Si-H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.

MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度的萃取方法

孙兴初

1990, 8(3): 213-217.

摘要 ( 464 )

PDF (299KB) ( 104 )

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提出一个精确萃取MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度等参数的方法.这些参数的确定对于器件特性的模拟、分析以及对于生产工艺的监控具有实际意义.该方法采用一组特定的测试器件并使用计算机程序辅助来进行参数的萃取.使用萃取到的参数计算器件的漏电流特性并将其与实测数据进行比较,结果表明两者相符很好.

无限大扇形裂纹的Ⅱ型和Ⅲ型奇性应力场

徐林林, 欧阳鬯

1990, 8(3): 218-222.

摘要 ( 398 )

PDF (274KB) ( 90 )

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继续文献[1]的研究,讨论无限大扇形裂纹问题,作出了Ⅱ型和Ⅲ型奇性应力场.结果指出,与Ⅰ型奇性应力场的奇性性质一样,在裂纹的直边边界处应力场仍然具有1/2阶奇异性,而在角点处应力场的奇异性随角点夹角的大小不同有显著差异.当角点外凸时应力场的奇异性减弱,当角点内凹时应力场的奇异性增强.

全异步轧制的塑性力学和O.霍夫曼公式

赵正才, 宋美君, 汪木其

1990, 8(3): 223-231.

摘要 ( 451 )

PDF (597KB) ( 91 )

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本文提出了全异步轧制计算单位压力、平均单位压力和总压力的新公式
p_x=2K-q_h+(q_h-q_H)(Inh_x/h)/(InH/h),p_x=2K-q_H+(q_h-q_H)(Inh_x/H)/InH/h)
和O.霍夫曼公式比较,新公式有较高的精确度.依据新公式提出了异步轧制无摩擦峰新理论.

卡尔曼滤波器用于液压伺服系统中非线性参数的推定

贾莲凤, 陈雪瑞, 胡纯怀, 箱守京次郎

1990, 8(3): 232-240.

摘要 ( 373 )

PDF (546KB) ( 111 )

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从现代控制理论的观点出发,用卡尔曼滤波器的方法,把系统中的夫知参数作为未知状态来估计,对微机控制的液压伺服系统建立了含有非线性参数的线性动态数学模型.并利用系统连续微分方程和实验系统中差分方程的参数之间的关系,定量地推导出液压伺服系统中不可忽略的非线性因素:伺服阀滑间流量增益系数、压力流量系数以及干扰力矩.

掺氮吸气剂的电镜分析研究

邵力为, 陆群, 刘洁美, 胡嗣安, 况士中

1990, 8(3): 241-246.

摘要 ( 310 )

PDF (2220KB) ( 70 )

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主要介绍运用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对进口羰基Ni粉与国产羰基Ni粉及吸气剂蒸散后各部位表面形貌及组分进行分析研究,获得了羰基Ni粉质量比较的重要信息,且从物理机理上解释了产生"拱起"质量问题的缘由.本文还介绍了掺氮吸气剂蒸散后残体的X光电子能谱分析结果,从而更进一步印证和充实了上述质量问题的物理机理解释.

FeCl₃对单晶n-CdTe光电极的修饰作用

范钦柏, 杨军, 邓薰南

1990, 8(3): 247-251.

摘要 ( 388 )

PDF (322KB) ( 69 )

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运用FeCl₃修饰单晶n-CdTe光电极,使电池效率提高到14.3%.借助X射线光电子能谱和俄歇电子能谱对电极表面组成与结构变化进行了检测.测量了光谱响应曲线,电容电压曲线,以及交流阻抗谱,对被修饰电极的光电化学与电化学性能进行了考查,观察到在电极/溶液界面有费米能级"钉扎"现象.此外,对FeCl₃的修饰作用作了初步的解释.

Cu₂S/CdS太阳电池光和热衰降的研究

肖亦农, 王守臣, 董殿洪, 王福善, 常俊玲, 史恩栋, 李红卫

1990, 8(3): 252-256.

摘要 ( 330 )

PDF (345KB) ( 98 )

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叙述了在不同光照和温度下,Cu₂S/CdS电池的稳定性结果,并给出了冷热循环和模拟大气条件下加速实验数据.对实验结果进行了分析讨论.对该电池的热衰降提出了新看法.

硅酸钙水合晶体的结构特征及其形成机理

段雪, 王作新, 姚祥

1990, 8(3): 257-263.

摘要 ( 928 )

PDF (2243KB) ( 192 )

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采用扫描电镜、X射线衍射、红外光谱及热分析对溶解乙炔气瓶多孔填料在蒸压条件下生成的硅酸钙水合晶体进行了有关结构特征的研究,并结合实验结果讨论了硅酸钙水含晶体的形成机理.结果表明:在蒸压条件下,无定形SiO₂及结晶态SiO₂与Ca(OH)₂反应的主要产物分别为硬硅钙石及托勃莫莱石,反应分别经历了水化结晶机理及晶内扩散机理,当无定形SiO₂和结晶态SiO₂共存时,前者与Ca(OH)₂反应的速率较高,且产物也以硬硅钙石为主.

锂/氧化铜电池性能改善的研究——CuO的热处理对阴极性能的影响

李诚芳, 杨彪

1990, 8(3): 264-267.

摘要 ( 395 )

PDF (757KB) ( 92 )

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从Li/CuO电池的申请专利到现在已有20来年,工业规模的生产也已超过10年的历史.现在已有圆筒式和扣式两种电池,但对Li/CuO电池的研究仍在进行,一方面研究改善电池的电性能,另一方面研究电池的放电机理.国外在改善Li/CuO电池电性能方面的研究重点是在CuO阴极和电解液.本文报道则是试验CuO的热处理对阴极性能的影响.

氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

陈庆贵, 史日华

1990, 8(3): 268-270.

摘要 ( 343 )

PDF (771KB) ( 81 )

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绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.

PVC膜铬(Ⅵ)离子敏感半导体器件的研究

方培生, 黄强, 丰达明

1990, 8(3): 271-274.

摘要 ( 388 )

PDF (240KB) ( 88 )

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铬离子敏感半导体器件,简称为Cr⁶⁺-ISFET.这种器件是以离子缔合物为活性物质,由于这种材料种类很多,容易制造,并可利用三元络合物来测定高价金属离子,测量一些有机离子,包括表面活性剂,药物、生物碱、浮选药剂和糖精等,这就为离子敏感半导体器件开辟了一个新的应用领域.

石墨(0001)表面CO分子吸附的位形

屈一致, 张开明, 陆栋

1990, 8(3): 275-277.

摘要 ( 345 )

PDF (188KB) ( 73 )

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近几年来,人们对石墨(0001)表面(亦称基面)靠范德瓦耳斯力吸附CO分子的表面结构很感兴趣.用低能电子衍射实验结果表明:在温度T<25K时,石墨基面CO分子亚单层吸附层形成鲱骨式的结构,呈(2>√3×√3)30°公度相.

推算非烃有机物临界压缩系数的新关联式

张宝义, 王乃绪

1990, 8(3): 278-282.

摘要 ( 443 )

PDF (307KB) ( 63 )

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近三十年来推算Z_c值较周知的方法列于表1中.

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