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当期目录

    1991年 第9卷 第1期    刊出日期:1991-03-31
    论文
    电磁场理论中几何化·数论消发散方法*(Ⅰ) GNES方法的理论表述
    戴显熹
    1991, 9(1):  1-7. 
    摘要 ( 373 )   PDF (447KB) ( 68 )  
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    为对电磁场理论的高精度计算(如微波定向耦合器等),建议用"几何化·数论消发散"方法.作为这系列论文的第一篇,这里给出整体的理论表述;并利用作者发展的Ω级数理论,建立相当一般的严格的一维、非对称、非厄密奇性积分方程组.以后的论文将给出一般的解法,GNES方法细节,技术以及数值结果.
    一类复合钟控序列
    李献刚
    1991, 9(1):  8-16. 
    摘要 ( 342 )   PDF (550KB) ( 67 )  
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    试图给出一类伪随机、变采样的钟控序列模型——复合钟控序列,并给出了它在某种条件下的极小多项式,从而得到了它的复杂度和周期.
    粘弹性材料中的热量生成率函数及温度场控制方程
    欧阳鬯, 徐正义
    1991, 9(1):  17-23. 
    摘要 ( 433 )   PDF (414KB) ( 68 )  
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    对均匀、线性、具有时温等效性的粘弹性材料,从不可逆热力学基本定律出发,导出了热量生成率函数及近似温度场控制方程.在周期性变形的条件下,热量生成率函数被表示成了损耗模量及应变振幅的简单关系式.对任意周期形状,利用富里埃展开进行逼近.导得的函数及方程适用于各向异性、正交各向异性及各向同性粘弹性材料.可用来计算钢丝轮胎等粘弹性体的热损耗及温度场.
    有耗电磁系统的相似性
    时振栋
    1991, 9(1):  24-28. 
    摘要 ( 270 )   PDF (334KB) ( 71 )  
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    介绍在电磁系统中含有耗材料时模型与原型间的相似性,并讨论了有界区域的相似性问题,它们对设计某些电磁工程前的模型试验是很有用的.
    迭代函数的构造新法
    张宏志
    1991, 9(1):  29-42. 
    摘要 ( 527 )   PDF (812KB) ( 83 )  
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    该文得到以下结果:1.点型构造定理;2.区域型构造定理;3.恒收敛型构造定理;4.一个加速公式.其特点:1.方法简单,便于应用;2.由其构造的I.F.恒收敛,且有较高的效能指数,故经济、实用;3.所述方法是新的,故为迭代函数构造理论增添了新内容.
    氟离子辐照对聚四氟乙烯基底上金属薄膜附着力的影响
    刘正民, 杨莹
    1991, 9(1):  43-48. 
    摘要 ( 346 )   PDF (1305KB) ( 87 )  
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    用6 MeV的氟离子对淀积在聚四氟乙烯基底上的In、Sn、Al、Cu、Pd和Ni等金属薄膜进行了一定剂量范围的辐照,测定了发生增强附着效应的阈剂量值.结果表明,阈剂量的大小和膜材料的弹性模量及电子阻止本领有关.据此提出了一个增强附着效应起因于膜内应力变化的假设.应用这一假设解释了一些与增强附着效应相关的现象.
    涂敷型吸波材料电磁特性的预测
    贾宝富, 刘述章, 林为干
    1991, 9(1):  49-54. 
    摘要 ( 459 )   PDF (981KB) ( 101 )  
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    作者根据由强扰动理论推出的颗粒混合媒质等效介电常数和等效导磁率的计算公式,讨论了吸收剂粒子外形对吸波材料电磁特性的影响.从理论上导出了吸收剂粒子的最佳外形.讨论了多外形铁氧体吸波材料等效介电常数和等效导磁率的计算.实验结果表明,这些理论预测公式具有较高的准确性.
    单源双电离室烟雾传感器的研制
    毕清华, 谢荣乾
    1991, 9(1):  55-60. 
    摘要 ( 403 )   PDF (418KB) ( 112 )  
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    着重叙述单源双电离室烟雾传感器的原理和特点.检测数据表明,在外加9伏电压作用下,只要烟雾减光率>0.5%/m,就能获得1.5伏以上的输出信号,和CMOS中规模集成电路号放大和控制系统组成高灵敏、小型烟雾探测器.用单源双电离室制成的烟雾探测器,在相对湿度为90~95%环境条件下,经过高、低温(+50~-20℃)下长时间(96小时)考验,伏安特性曲线未发现明显变化;放大和控制系统正常,没有发生误报现象,可以广泛地应用于防火报警和污染检测上.
    Al-Ti/W-PtSi-Si系统电性能的研究
    李思渊, 张同军, 王晓岗, 贾笑天
    1991, 9(1):  61-68. 
    摘要 ( 466 )   PDF (1231KB) ( 59 )  
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    本文给出了Al-Ti/W-PtSi-Si、Al-Ti/W-Si等多层结构电学性能,特别是欧姆接触与抗电迁移性的研究结果.包括电子能谱分析,扫描电镜观测表面形貌,电迁移激活能的确定以及在场感应晶体管和集成电路中的应用效果等.还讨论了相关的作用机理.
    光电晶体管基区分布电阻的计算
    方龙森
    1991, 9(1):  69-78. 
    摘要 ( 510 )   PDF (634KB) ( 83 )  
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    给出了包括解析式外基区电阻和从SEDAN程序计算得到的基区Gummel数在内的内基区电阻的计算.结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关.方形光敏区中发射极的最佳位置在中心;光敏区边长对发射区边长的最佳比值是7.578425:1.这些结果将被用于设计低噪声和高频光电晶体管.
    液态萜烯-马来酸酐(TM)固化环氧树脂性能的研究
    高南, 金其良, 黄晨, 沈强华
    1991, 9(1):  79-85. 
    摘要 ( 587 )   PDF (419KB) ( 84 )  
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    通过DSC、TGA等方法,采用与甲基四氢苯酐(MTHPA)对比,研究了新型液态萜烯-马来酸酐(T-M)固化环氧树脂特性.探讨了其固化机理和热分解机理.结果表明T-M具有优良的贮藏稳定性、热稳定性,固化放热量少、放热平稳.
    研究简报
    半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系
    赵勋杰, 顾世洧
    1991, 9(1):  86-90. 
    摘要 ( 365 )   PDF (316KB) ( 53 )  
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    随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣[1-5]。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。
    硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响
    吴仲墀, 钱佑华, 张维宽, 罗振华
    1991, 9(1):  91-94. 
    摘要 ( 323 )   PDF (252KB) ( 70 )  
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    超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。