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1988年 第6卷 第2期    刊出日期：1988-06-30

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论文

波束传输通过一般二维曲面介质天线罩的复数射线分析

高效杰

1988, 6(2):  95-102. 

摘要 ( 443 )   PDF (516KB) ( 95 )  

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本文使用复数射线追踪方法分析一般二维曲面介质天线罩对波束传输的影响.理论分析及所推导的公式适用于任何二维光滑曲面介质罩;但计算时采用的数学模型为抛物线型介质天线罩.

利用(n^V,-n^S)排列双晶衍射术测量晶片的微小弯曲形变

陈京一, 李润身, 许顺生

1988, 6(2):  103-108. 

摘要 ( 499 )   PDF (364KB) ( 97 )  

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用Du Mond图解法分析了利用双晶衍射术测量晶片曲率半径的原理.提出了利用(n^v,-n^s)排列,仅用Kα₁辐射测量晶片曲率半径的方法.此方法与通常所采用的(n^s,-n^s)排列,Kα₁,Kα₂双线法相比,灵敏度大大提高,可测量的曲率半径提高了一个量级.利用(n^v,-n^s)排列双晶衍射术测量了硅单晶片经As⁺离子注入后产生的微小弯曲形变.

干氧中Si快速初始氧化的一种新模型

徐新忠, 阮刚

1988, 6(2):  109-116. 

摘要 ( 570 )   PDF (546KB) ( 152 )  

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本文对干氧中Si热氧化的快速初始氧化提出了一种新模型.该模型既考虑了界面反应速率系数,又考虑了增强扩散效应对快速初始氧化的影响;避免了Schafer-Lyon的"氧化物内固定正电荷影响界面反应速率系数"模型所存在的问题;同工艺模拟程序SUPREM-Ⅲ中所用的薄氧化模型相比,具有较明确的物理意义;所用模型公式在形式上同线性-抛物线氧化模型公式相似,特别适用于VLSI CAD.另外,用本模型还可以解释为什么Si在湿氧气氛中没有快速初始氧化现象,以及为什么非掺杂多晶硅初始氧化速率比晶向的单晶硅还要快.

新型微功耗集成漂洗发射极晶体管

洪垣, 刘炳国

1988, 6(2):  117-122. 

摘要 ( 529 )   PDF (422KB) ( 101 )  

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研制了磷穿过热生长薄氧化层扩散形成发射区的高频集成漂洗发射极晶体管.从与常规晶体管比较的角度,研究了这种新型的漂洗发射极晶体管的直流特性、电流增益与集电极电流及温度的关系、发射区禁带变窄效应和表面复合效应对增益的影响,并比较分析了两者的磷杂质纵向分布.

变节距链的匀速机理分析

颜景平

1988, 6(2):  123-131. 

摘要 ( 482 )   PDF (502KB) ( 98 )  

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本文对变节距链条铰链机构的特性、链条与链轮的啮合关系、链速变化规律、匀速机理以及主要参数确定等均作了定量研究.

用于卷积计算的搏动型结构的研究

刘重庆, 俞仁康

1988, 6(2):  132-138. 

摘要 ( 530 )   PDF (493KB) ( 117 )  

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本文介绍一组用于卷积计算的搏动型线路,包括总数据通讯和无总数据通讯的搏动型卷积阵列两大类别,搏动型结构允许对每次访问存贮器的数据多次计算,无需增加I/O带宽就能够提高运算受限问题的运算速度.
搏动型结构(Systolic Architectures)系统可以解决许多运算受限计算问题.卷积计算可用于搏动型结构系统的研究.由单片机作为处理单元的搏动型结构,可有效地实现卷积计算.

圆度评定理论和方法的探讨

张和平, 张鄂

1988, 6(2):  139-146. 

摘要 ( 619 )   PDF (492KB) ( 86 )  

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本文不按常规的极坐标形式表示圆度误差,而是在直角坐标系中讨论圆度误差的评定问题,提出了一种新的圆度误差计算法——"余弦移位相加法".这种方法具有速度快、精度高、计算程序简便等优点.文中还对最小区域法评定的"单极值"问题作了讨论,澄清了一些模糊的观点,为计算机搜索寻求最小区域评定值的方法,提供了必要的理论基础.

一维声波方程反问题差分法的一些数值结果

顾桂定, 张关泉

1988, 6(2):  147-155. 

摘要 ( 574 )   PDF (516KB) ( 90 )  

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本文考虑了几种差分格式,对一维声波方程反问题进行了试算,并选择了不同的声阻抗模型.对于连续的模型,一般格式都是适用的,但对间断的模型,反射比较强烈时则要选择合适的格式.对复杂的间断声阻抗模型,人为地附加了较强噪音,以考察"平滑处理"控制声阻抗变差的作用.

带限图象信号的数据外推

潘建强

1988, 6(2):  156-162. 

摘要 ( 408 )   PDF (416KB) ( 97 )  

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引进正则参数能够处理数据外推问题的内在不稳定性.本文通过应用正则参数,给出了一种能够抑制噪声的二维正则外推矩阵,提出了一种实现二维数字外推器的流程结构,建立了一种二维递归外推的Kalman滤波算法.

晶格对正电子湮没的影响的讨论

黄效吾, 林子敬, 汪克林

1988, 6(2):  163-168. 

摘要 ( 442 )   PDF (364KB) ( 73 )  

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本文利用Green函数方法,研究包含有晶格与电子以及正电子相互作用线的一阶梯形图,在取电子与正电子间有效位势为静态极限下,对有关的低阶Feynman图作了计算,从而得出p>p_F的正电子部分湮没速率公式,由此进行了数值计算.并与Hede-Cartotte的理论结果作了比较与讨论.

层状晶体H₂C₄O₄的反铁电相变理论

张晶波, 孙和璧, 秦自楷

1988, 6(2):  169-174. 

摘要 ( 526 )   PDF (374KB) ( 78 )  

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本文在赝自旋模型的基础上,根据H₃C₄O₄晶体的层状结构特点,用Green函数方法研究了它的相变性质.结果表明H₂C₄O₄的顺电-反铁电相变是一级相变.而Zinenko基于同样模型只得出二级相交的结论.求出了序参数随温度变化的关系,其结果与实验基本相符.

掺CeO₂的SnO₂基CO气敏元件的气敏特性

沈荷生, 张酣, 瞿益才, 沈瑜生

1988, 6(2):  175-179. 

摘要 ( 523 )   PDF (314KB) ( 72 )  

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研制了一种新的SnO₂掺CeO₂的CO气敏元件;对其在不同温度下对不同气体的气敏特性进行了测定.结果表明,该种气敏元件在较低温度(115℃)时对CO具有高灵敏度、高选择性以及快速响应等特点.对此结果进行了简单的讨论.

绘制计算机模拟像的方法

邱燕

1988, 6(2):  180-184. 

摘要 ( 461 )   PDF (1587KB) ( 81 )  

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原理绘制计算机模拟像,首先须根据图像的物理意义,从理论上推导出强度公式,算出图像中各点的强度值.然后用不同黑度的图形来表示不同的强度值,用打印机输出,由此得到的强度分布图即为计算机模拟像.

分布系统单管热交换器的相位超前校正

曹广益, 嘉纳秀明

1988, 6(2):  185-188. 

摘要 ( 588 )   PDF (250KB) ( 88 )  

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由于现代工业的迅速发展,对具有分布参数系统特性的生产过程研究越来越得到人们的重视.近年来,世界各国学者、科学工作者对分布系统的理论进行了很多的研究,取得了不少进展.如日本、美国等已开始把分布系统的理论应用于实际,对生产过程进行有效的控制.