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1985年 第3卷 第1期    刊出日期：1985-03-31

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论文

自由孔口应力集中及深切口应力奇性的有限变形分析

欧阳鬯, 唐国安

1985, 3(1):  1-5. 

摘要 ( 480 )   PDF (310KB) ( 81 )  

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本文运用增量分析方法,得到了含椭圆孔及抛物线孔的无限弹性平板的有限变形应力表达式.新的应力表达式是载荷、孔口形状及材料性质的函数.特别还分析了深切口根部的应力奇性,发现它可以与线性断裂力学的应力强度因子相联系,但应力奇性改变为αln 1/√ρ,ρ为切口根部的曲率半径,α为与材料有关的常数.新的结果还解释了平面应力和平面应变问题的区别.

强耦合压电晶体中激子的基态能量

顾世洧, 周玉魁

1985, 3(1):  6-12. 

摘要 ( 480 )   PDF (412KB) ( 73 )  

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本文研究压电晶体中强耦合激子的性质.采用线性组合算符和一种简单的幺正变换,得到了强耦合情形的压电激子基态的有效哈密顿量,激子的自能表示为耦合参数α的降幂级数,其首项为一次项.电子-空穴间通过声子作用诱生的作用势与耦合参数、声速等有关.

压电陶瓷的性能老化与换能器性能的衰退

黄丹妮, 王志超, 周新民, 张仲猷, 王鸿

1985, 3(1):  13-19. 

摘要 ( 1456 )   PDF (1185KB) ( 297 )  

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本文以编号为Fe1.5的发射型压电陶瓷材料为对象,采用标准试样和某种规格的压电振子,分别实验考察在不同温度(室温,60℃和100℃),压力(30kg/cm²)以及电功率密度(0.3W/cm³·KC和0.5W/cm³·KC)作用下,压电陶瓷材料和换能器性能随时间对数的变化.实验结果表明,导致压电陶瓷机电耦合系数和介电常数的老化原因不尽相同.在0.3W/cm³·KC电功率作用下陶瓷元件的老化行为与单一因素作用下的变化规律不同,机电耦合系数和介电常数稍有上升.看来这与发射型材料自身的内偏置电场有关.
我们认为,在给定的应力、温度和电功率的综合作用下,压电陶瓷性能的劣化并不严重,它不会引起压电陶瓷换能器性能的衰退.适当的温度处理有助于压电陶瓷材料和换能器性能的稳定.

光波导的微观量子理论

孙弘, 庞乾骏, 方俊鑫

1985, 3(1):  20-28. 

摘要 ( 459 )   PDF (589KB) ( 143 )  

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本文以平面晶态波导结构中Frenkel激子为模型,建立光波导的微观量子理论.

测量短拍长及具有不均匀性的单模光纤双折射的新方法

黄上元, 林宗琦

1985, 3(1):  29-37. 

摘要 ( 427 )   PDF (559KB) ( 61 )  

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本文提出了一个根据输出光偏振椭圆度随光纤扭曲率的变化曲线上中心第一个峰点及其一个相邻谷点位置来求取光纤双折射的公式,讨论了具有非均匀双折射的光纤所对应的曲线的畸变.测试中采用一种新的消光法,使测量过程简单可靠.

掺硅的砷化镓体晶体的若干特性

莫培根

1985, 3(1):  38-45. 

摘要 ( 694 )   PDF (583KB) ( 264 )  

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近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作^[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.

N-CdTe薄膜电极液结太阳电池的光电化学性质

邓薰南, 庞仁德, 甘绍新

1985, 3(1):  46-51. 

摘要 ( 357 )   PDF (412KB) ( 125 )  

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本文报道了由N-CdTe薄膜电极构成的液结太阳电池的基本光电化学性质.电池可表示为:
N-CdTe/1MNa₂S、1M NaOH、1MS/C
测量了电池的电流-电压、电流-电极电位曲线,确定了光强与光电压、光电流、转换效率的关系.在60mW/cm²光强下,电池的能量转换效率为1~2%.电极的禁带宽度为1.43eV,借微分电容及最大光电位的测定得到平带电位为-1.1~-1.2V (VS·SCE).此外,还试验了对电极与电解液对转换效率的影响.

用电导深能级谱检测砷化镓肖特基栅场效应晶体管中的深能级中心

盛篪, 詹千宝

1985, 3(1):  52-56. 

摘要 ( 392 )   PDF (242KB) ( 85 )  

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用电导法检测了砷化镓肖特基场效应管中的深能级中心,测试样品有外延材料及全离子注入两种.#br#实验结果表明在所有的场效应管中都存在有E_V+0.91eV及E_V+0.52eV两个深能级中心.前者是铬产生的能级.在噪声很大的全离子注入场效应管中还发现有E_V十0.71eV能级.在一些噪声大的外延场效应管及性能已退化的场效应管的深能级瞬态谱上还有一很宽的大幅度的带,相应能级位置约在E_V十0.12eV到E_V十0.5eV之间.这可能是由界面态所引起的.测试表明全离子注入法制造的场效应管中的缺陷可少到最好的外延材料制造的场效应管水平.

加权滤波分析

张荣欣

1985, 3(1):  57-64. 

摘要 ( 386 )   PDF (513KB) ( 67 )  

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本文对文[3]、[4]使用的权序列进行了若干具体分析,并提出使用一种权函数序列来进行加权滤波.这样,就有可能按照某些指标或综合指标的优化来选取权序列,在一定程度上避免了盲目性或有利于进一步讨论.

X线粉末衍射花样检索/匹配程序的改进

林天辉, 张赛珠, 陈丽君, 蔡新兴

1985, 3(1):  65-73. 

摘要 ( 370 )   PDF (666KB) ( 82 )  

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用Fortran-IV语言编写了X线粉末衍射花样的电子计算机检索/匹配程序;建立了供检索用的数据库;对几十组数据进行了试检索.所有存在相基本上没有漏检,误检较少.与目前常用的程序相比,本程序有两点改进:(1)在检索阶段,由于引入了物质类型判据和三强线判据,从而大大减少了误检;(2)在强度分配方面,根据最小二乘法原理提出了一种新方法,这种方法比目前流行的Frevel法给出更合理的分配结果,有助于对检出相作进一步判别.

聚芳砜与环氧树脂嵌段共聚合的研究

丁有骏, 雷玉清, 王新荣

1985, 3(1):  74-81. 

摘要 ( 436 )   PDF (490KB) ( 120 )  

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由羟基末端基聚砜或聚醚砜与环氧树脂反应制得了聚砜(或聚醚砜)-环氧树脂嵌段共聚物.
嵌段共聚物对铁、铜、铝等金属具有良好的粘性性能.

聚焦法非破坏性测试光纤和预制棒的折射率分布

许国大, 张召南, 侯元庆

1985, 3(1):  82-87. 

摘要 ( 454 )   PDF (1053KB) ( 145 )  

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聚焦法是一种较为简单而通用的测试光纤和预制棒折射率分布的方法.参考Marcuse等工作^[1~3],组成本文的测试系统,具有一定特色.对多模、单模样品均进行了实测,取得了较满意的结果.

单模光纤的测量

黄肇明, 姚寿铨, 张谷璠

1985, 3(1):  88-91. 

摘要 ( 540 )   PDF (1827KB) ( 67 )  

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本项研究完成了在短波长(0.82μm)处测量单模光纤的工作.长波长单模光纤在短波长处工作,存在单模色散与模间时延两种色散.本工作以频域与时域两方法完成了这两类色散的分离.测量结果表明,频域法与时域法基本一致.在0.82μm处的单模色散在85~130ps/km·nm之间.

边界元素法对自由边界问题的应用

郑家栋

1985, 3(1):  92-94. 

摘要 ( 491 )   PDF (170KB) ( 89 )  

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设在两水库间有一土坝Ω(图l),坝基AB是不透水的,自由边界FD是待定的(D称为出渗点),在边界CD上存在渗流,我们要确定自由面FD及流体势函数u使满足Laplace方程.