应用科学学报

林成鲁, 方子韦, 邢昆山, 倪如山, 邹世昌

1990, 8(1): 1-5.

摘要 ( 441 )

PDF (1333KB) ( 122 )

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本文研究了500keV As₂⁺和250keV As⁺注入单晶硅引起的辐射损伤及其退火行为.结果表明,As₂⁺注入比As⁺注入在硅中引入更大的辐射损伤;经快速热退火后,两类注入样品均能消除损伤,获得高的杂质替位率和电激活率;As₂⁺和As⁺注入样品的载流子浓度的分布有所不同,这是由于As₂⁺注入引入较大辐射损伤引起杂质的快速扩散所致.

邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶电学性能研究

梁桂金, 史子康, 王丽青, 林一德, 杨桐琴, 郑秀沁

1990, 8(1): 6-12.

摘要 ( 447 )

PDF (474KB) ( 120 )

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邻苯二甲酸氢铷单晶是一种有机极性离子型晶体.本文介绍了它的介电、直流电导、P-E曲线、光透过率等有关性能的实验研究,并根据晶体结构特点给予定性解释.

部分高度E面膜片不连续性及其在毫米波滤波器中的应用

戎敖生

1990, 8(1): 13-18.

摘要 ( 350 )

PDF (386KB) ( 77 )

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本文提出了部分高度E面膜片不连续性的一个有效分析方法,得到了工程上实用的不连续性等效电路参量曲线,基于这些曲线,首次实现了由部分高度E面膜片构成的Ka波段带通滤波器,实验结果表明:该滤波器具有较好的带外特性.

一种GP参数优化的有效方法

郝跃

1990, 8(1): 19-24.

摘要 ( 582 )

PDF (383KB) ( 83 )

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本文提出了一种双极集成电路GP模型参数优化的有效方法.该算法对GP模型迭代方程的参数和节点电压初值的要求大为降低,同时代替非线性方程的求解,以确定本征结电压的多次迭代过程.另外,对优化过程中所采用的简单变换处理箱型约束的方法进行了分析,确定所存在问题并在优化过程中采用了Watchdog方法使这类约束问题得到方便地解决.实验表明,这些处理对GP参数的优化是极为有效的.

极大前缀码的性质及其计数

杨耀池, 邱伟德

1990, 8(1): 25-30.

摘要 ( 523 )

PDF (384KB) ( 112 )

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本文提出和证明极大前缀码的性质,证明了全体极大前缀码在语言连接运算下构成自由么半群.对有限极大前缀码的个数给出选推式:G_m表示所有最大字长不超过m的极大前缀码的个数,有G_m=1+G_m-1ⁿ,其中n是字母表X的字母个数.

弹性轴上动态转矩的估计问题

吴宏泽

1990, 8(1): 31-35.

摘要 ( 465 )

PDF (355KB) ( 101 )

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本文用拉格朗日方程导出弹性轴的旋转运动方程并阐述了静态、稳态和动态转矩概念的区别,且用参数辨识方法估计弹性轴上各等效参数,最后给出动态转矩的最优估计.

哈密顿平面图的一个判定算法

胡美琛

1990, 8(1): 36-40.

摘要 ( 717 )

PDF (342KB) ( 94 )

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图的平面性判定算法是相当复杂的.本文介绍哈密顿图的一个简单的判定算法,有关图的平面性判定方面的研究可见参考文献.

LSI布线设计中的最优树算法研究

谢国平, 姚林声

1990, 8(1): 41-46.

摘要 ( 458 )

PDF (339KB) ( 68 )

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本文讨论了在集成电路的布线设计中所碰到的求无向完全图的最优生成树问题,提出了一种求最优树的上三角阵算法(简称M-算法).描述了支持这种算法的数据结构.对完全图G(n,e),M-算法的计算复杂性是O (n³),空间复杂性是O (n²),在相同的空间复杂性条件下,比直接用Kruskal算法要优越.

新型高速CMOS逻辑电路系列74AC之研究

许康, 刘远华, 朱荣锦, 周炘祥, 郑养鉥, 徐元森

1990, 8(1): 47-54.

摘要 ( 696 )

PDF (1434KB) ( 109 )

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采用最新CMOS VLSI技术研制成了新一代高速逻辑电路——2μm硅栅CMOS逻辑74AC系列,其运行速度、最高频率和负载能力均达到甚至超过先进的第三代TTL系列74ALS,而仍保持CMOS IC的基本优点.本文介绍其设计、制造和主要特性,分析、讨论它同其它电路系列,特别是和74ALS的异同及其发展前景.用它采取代74ALS,不仅可大大降低系统的总功耗,且将开辟用现今的74ALS、LS或74HC无法实现的新的应用领域.它的发展潜力还相当大.

α-FeOOH的脱水温度与α-Fe₂O₃结构变化间关系的X射线衍射研究

陈济舟, 蒋世承, 王加林, 王俊桥

1990, 8(1): 55-60.

摘要 ( 667 )

PDF (1421KB) ( 99 )

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针铁矿脱水得到赤铁矿,后者的X射线衍射图上,有两组显著不同的衍射线:一组是比较尖锐的,它的宽度变化主要依赖于相变过程中氧离子的重排;另一组是宽散的,它的宽度变化和相变过程中铁离子的迁移重排有关.本文详细研究了这两组衍射线的βcosθ/λ~sinθ/λ曲线,讨论了由它得出的平均晶粒大小D和点阵畸变|(Δd)/d|.在数据处理中本文提出两个拟合公式以替代Jones的校正曲线.
此外,在电镜照片中发现250℃脱水产物的表面出现S形裂缝.作者从针铁矿的结构对此现象进行了讨论.

高导磁镍铁钼镀层的穆斯堡尔谱研究

孟庆钢, 常汝勤, 金慧娟, 许桂琴, 冯力群

1990, 8(1): 61-66.

摘要 ( 399 )

PDF (388KB) ( 74 )

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用穆斯堡尔谱对镍铁钼电镀层的磁织构进行了研究.给出了样品存在低内场分量的情况下,定量测量铁原子磁矩取向的实验和计算方法.

用热重-差热方法同时分析研究γ-Fe₂O₃磁粉热处理过程

崔保义, 杨志军, 姚堪怡

1990, 8(1): 67-75.

摘要 ( 428 )

PDF (3566KB) ( 95 )

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由α-FeOOH通过热处理过程,经过脱水,还原,氧化三步,转变成γ-Fe₂O₃掌握适当的热处理方法,可以获得孔洞少、密度高、性能良好的γ-Fe₂O₃及其包复性磁粉.为了获得可靠的热处理技术,了解过程的理论机制,本文采用热重和差热同时分析,从能量角度对热处理过程中相变条件及封孔密实机制进行初步探讨.

控制铁黄(α-FeOOH)长度的方法研究——分散剂对α-FeOOH生成的影响

关有生, 金鑫, 朱(音页)音, 王纲, 曲建荧, (赤力)力, 马四元

1990, 8(1): 76-80.

摘要 ( 568 )

PDF (2239KB) ( 94 )

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由α-FeOOH出发制备γ-Fe₂O₃磁粉,要经过脱水、还原、氧化等步骤.现有的研究已经指出,α-FeOOH的结晶性质在γ-Fe₂O₃中得到继承.而且,磁粉的性质与粒子的结晶性质有很大关系.因此,对铁黄制备过程中影响因素的研究一直受到人们广泛的重视^[1~3].

用椭圆高斯场近似计算领结型光纤的模场半径及接头损耗

何之健

1990, 8(1): 81-84.

摘要 ( 484 )

PDF (224KB) ( 74 )

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本文用椭圆高斯场及标量变分原理计算领结型光纤的模斑.由于用了椭圆高斯近似,不仅使模斑计算变得简便而且方便地导出了领结型光纤各种接头损耗与模斑的解析关系.

医用光纤温度传感器——微波治癌测温仪

沈忠尧, 曾小东, 过已吉

1990, 8(1): 85-87.

摘要 ( 489 )

PDF (191KB) ( 113 )

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微波辐射加温治癌是一种重要的治癌技术,微波辐射治癌的关键之一是测温技术.现有的几种温度计都受微波辐射干扰,测温时必须停止微波辐射,直接影响到微波辐射加温治癌的应用和治疗效果.

分段坐标旋转光滑样条方法的原理及应用

王少平, 姜培正, 谷传纲, 苗永森

1990, 8(1): 88-90.

摘要 ( 492 )

PDF (200KB) ( 85 )

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本文将所要求解的曲线分段处理.根据各段挠度的不同.采取不同的坐标旋转,使原来的大挠度曲线化为不同坐标系中的小挠度曲线段.各坐标系中的小挠度曲线段分别采用一般样条方法求解,然后分别交换到原坐标系中,各曲线段间采用二阶光滑连接.

平面高反压器件的优化设计与工艺分析

邓蓓, 包宗明

1990, 8(1): 91-94.

摘要 ( 324 )

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本文用有限差分法解两维泊松方程,分析了在带有场限制环的平面高反压器件的制作中,硅表面不同的正电荷对最优环间距和击穿电压的影响及在掩膜间距不变的情况下击穿电压对衬底掺杂浓度和结深的灵敏性.这些结果对实际工艺生产有指导意义.

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