应用科学学报

赵良仲, 潘承璜

1989, 7(4): 283-288.

摘要 ( 850 )

PDF (433KB) ( 249 )

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用XPS研究了纯铜和纯铁在室温和300℃被空气氧化时的表面氧化产物及其在真空中加热时的热力学稳定性.结果表明它们的室温表面氧化物(Cu₂O和Fe₂O₃以及二价铜比合物)在真空中300~350℃加热时可还原成金属,而高温(300℃)表面氧化物Cu₂O和Fe₂O₃在同样的真空加热时则不能还原成金属,高温CuO只能还原成Cu₂O.本文认为在"二维表面"内室温氧化物的热力学性质可以不同于本体氧化物.

不同成分Ti-Ni合金的正电子湮没研究

王景成, 秦桂英

1989, 7(4): 289-293.

摘要 ( 304 )

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用正电子湮没Doppler展宽能谱测量了不同成分近等原子Ti-Ni合金的不同温度淬火和1000℃淬火叉经不同温度退火后试样的线形S参数,结果表明:(1)淬火曲线高温部分和退火曲线低温部分的S参数变化符合单空位机制;(2)正电子可探测到沉淀相的温度区间为:Ti-49.0at% Ni约是300°~700℃,Ti-50.0at% Ni约是350°~700℃,Ti-50.5at% Ni、Ti-51.0at% Ni和Ti-51.5at% Ni均约是400°~700℃;(3)富Ni侧合金中的"缺陷"量易受处理条件影响;(4)在相似的处理条件下,富Ni侧合金的"缺陷"量比富Ti侧的低.

Na₂O-B₂O₃-V₂O₅系玻璃中V⁴⁺结构的ESR研究

章宪权, 潘麟章, 田丰, 邬学文

1989, 7(4): 294-300.

摘要 ( 366 )

PDF (488KB) ( 60 )

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本文对Na₂O-B₂O₃-V₂O₅玻璃体三元系统中的V⁴⁺作了ESR研究.通过ESR测量和分析,得到结论:V⁴⁺离子以钒酰离子VO²⁺形式存在于本样品中,是六配位的八面体结构,并且沿四方对称轴有压缩畸变.本文还对V⁴⁺的配位键性质作了讨论.

用γ射线大角度康普顿散射研究电子动量分布

吴铁军, 卞祖和, 唐孝威

1989, 7(4): 301-307.

摘要 ( 464 )

PDF (478KB) ( 113 )

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本文介绍我们最近建立的用γ散射方法获取康普顿轮廓(Compton profile)数据的实验装置及初步测量的结果.采用的放射源为²⁴¹Am (210mCi),散射角为165°测量了国际标准校核样品:水.测量结果与国外发表的结果在±1%之内相符合,达到国际相互校核的水平.还测量了Al (三种不同厚度)、LiF和Cu样品.对测量结果进行了分析和讨论.

PTC热敏电阻陶瓷材料线性化机理与实验研究

周方桥, 唐大海, 吴国安, 陈志雄

1989, 7(4): 308-314.

摘要 ( 482 )

PDF (521KB) ( 152 )

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从施主掺杂BaTiO₃陶瓷的晶界双肖特基势垒模型出发,作者分析了在晶界受主态密度相当小的情况下,以自由电子的漂移和扩散为主的传导过程的晶界等效电阻与温度的关系式,并进行了数值拟合.

双原子气体分子在石墨表面—(0001)的吸附结构

高兴球, 张开明, 高而震

1989, 7(4): 315-320.

摘要 ( 490 )

PDF (363KB) ( 78 )

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本文用EHT-Cluster方法,根据能量极小原理对双原子气体分子(N₂,Cl₂)在石墨表面-(0001)面的吸附进行了分析.讨论了双原子气体分子的吸附位置、分子键的取向、公度(commensurate)和非公度(incommensurate)问题,并和实验结果作了比较.

钠蒸气中新的串接受激辐射

路轶群

1989, 7(4): 321-326.

摘要 ( 331 )

PDF (393KB) ( 57 )

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在石英管内,采用602.22nm (或578.9nm)双光子泵浦Na蒸气获得2.3 μm,330.2nm (或3.4μm,330.2nm)串接受激辐射.它们分别来自于.

Y-GdIG系单晶铁氧体的磁性、铁磁共振和穆斯堡尔效应研究

李德新, 郭淑娇, 李国栋, 张药西, 藤流礼, 严勇

1989, 7(4): 327-332.

摘要 ( 394 )

PDF (453KB) ( 68 )

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本文在较宽温度范围内系统地研究了Y_3-xGd_xFe₅O₁₂单晶体的饱和磁矩、铁磁共振和穆斯堡尔效应谱随成分和温度的变化,用亚铁磁理论解释了不同成分的热磁曲线及抵消点的变化,理论计算和实验结果符合较好.比较了几种铁磁共振线宽理论的计算结果,发现以亚铁磁共振理论加以适当条件后与实验结果较符合;发现Y³⁺和Gd³⁺在十二面体晶位中的代换,对四面体和八面体晶位中的Fe³⁺的穆斯堡尔谱参量无明显影响;观测到代表四面体和八面体晶位中Fe³⁺的谱线在磁有序区又再分成两组亚谱.

非对称磁头的场分布

许澍均, 李近明, 徐尧德

1989, 7(4): 333-340.

摘要 ( 336 )

PDF (504KB) ( 51 )

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用有限元法对电磁场问题求解,近期来受到人们的重视.本文论及用DE2D-85软件计算了非对称磁头的场分布,并揭示了其特征,这些结果对改进磁头的设计具有重要意义.

电解液式倾斜传感器及其数据处理系统

戴仁慈, 李生强, 胡嘉增, 林绵中, 陆荣庆

1989, 7(4): 341-345.

摘要 ( 396 )

PDF (337KB) ( 89 )

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本文介绍了电解液式倾斜传感器的结构、工艺、工作电路、温度特性、温度补偿以及数据处理系统.实验指出:经温度补偿后整个系统的误差<2%,灵敏度优于10^-2角秒.

掩膜数据布尔运算的并合算法

姚林声, 邢元胜

1989, 7(4): 346-350.

摘要 ( 564 )

PDF (357KB) ( 82 )

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本文介绍一种灵活、易扩充.适用于任意角度的平面几何图形布尔运算算法——简称A算法.A算法对平面上的几何图形作了新的规范化的定义和假设,且对数据结构作了改进,使得平面图形的各种布尔运算在算法上并合和统一,便于功能的扩充.

布尔函数的其它单调分解定理和布尔代数B≠{0,1}上的单调分解定理

刘永才

1989, 7(4): 351-356.

摘要 ( 523 )

PDF (350KB) ( 102 )

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文献[1]给出了{0,1}上能分解为单调上升函数与单调下降函数同或运算的充要条件.本文将这充要条件推广到其它二元运算,同时亦给出布尔代数B≠{0,1}上n元函数可单调分解的充要条件.

规范上限模式与可行的滑移线场

李双义

1989, 7(4): 357-362.

摘要 ( 325 )

PDF (398KB) ( 72 )

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对于求解塑性平面应变问题,本文提出有规范上限模式和规范上限解可寻;并列出压缩、平冲头压入、复合挤压及模锻的规范上限模式及上限解公式.采用规范上限解可使上限解公式通用化,迅速、简便地求出上限解,且高估量相当小.规范上限模式及可行的滑移线场在轮廓上具有相似性,借此可寻求符合精确解条件的滑移线场;对已有的滑移线场,可由规范上限模式判断其可行性.

半无限极性晶体中强耦合极化子的温度依赖性

赵国忠, 顾世洧

1989, 7(4): 363-366.

摘要 ( 355 )

PDF (253KB) ( 75 )

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随着固体科学和技术的发展,晶体表面和界面极化子的性质,一直受到人们的重视^[1,2].近年来,已有不少作者^[3,4]研究了表面和界面极化子,其中很多工作集中于弱,中耦合的情形.

热氮化SiO₂膜的抗辐射特性

商陆民, 张家慰, 简耀光

1989, 7(4): 367-370.

摘要 ( 498 )

PDF (243KB) ( 69 )

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离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS集成电路的概介质带来了新的缺陷.因此,寻找抗辐射的栅介质是令人感兴趣的课题.

磁盘表面质量及磁头力学特性的声发射研究

张鸿天, 柏森, 方光旦

1989, 7(4): 371-373.

摘要 ( 310 )

PDF (188KB) ( 63 )

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存贮位密度是磁盘的主要性能指标之一.由经典公式知道,位密度D满足下面关系:1/D~√(α+h)²+(g/2)²式中α和g分别由磁层的特性和磁头的结构所决定.因此,提高磁盘存贮的位密度,降低磁头的浮动高度h是重要手段之一.事实上,经严格抛光处理的磁盘表面,仍存在着妨碍磁头浮动高度降低的小突起.它们非常细小,以至用常规方法很难检测.有人曾研究用声发射方法进行检测^[1~3].

光致发光法检测用于转移电子器件的GaAs材料

侯庄, 苏九令, 王昌平, 屈逢源

1989, 7(4): 374-376.

摘要 ( 277 )

PDF (202KB) ( 71 )

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转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要测量它的电学参数.但是在器件生产中发现,即使用电学参数相同的材料制备器件,仍会出现成品率高低浮动.

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