应用科学学报

欧阳鬯, 周小康

1987, 5(1): 1-15.

摘要 ( 445 )

PDF (807KB) ( 77 )

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本文研究两类不同介质的板条在单向拉伸下裂纹尖端的应力强度因子的计算问题.板条内部分别含有一个任意分布的裂纹与椭圆孔,其结构为周期间隔地用筋条连接.采用复变函数及摄动方法,最后以幂级数形式给出应力强度因子的计算公式.对工程上多种实用的结构给出数值计算图表.这些结果进一步拓广了"应力强度因子手册"的工作,文中还指出了上述手册中某些结果存在的问题.

激光扫描光电显微镜

张淑仪, 陈力, 徐建生

1987, 5(1): 16-21.

摘要 ( 474 )

PDF (2651KB) ( 89 )

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本文报道了利用半导体材料和器件光电导效应研制成功的一种新型成象检测系统——光电显微镜.并用该显微镜对几种MOS功率管和TTL集成电路进行了静态和动态检测,其结果说明光电显微镜不但可用来检测各种集成电路(包括大规模集成电路)的静态缺陷,更重要的是可用于探查器件在工作情况下的逻辑状态、电荷分布及失效分析等,从而为分析集成电路提供一种非接触式、非破坏性、能用于常温常压的方便有效的检测方法.

X波段固态调频雷达在半潜式钻井平台上的试验和应用

周南山, 汤卫

1987, 5(1): 22-29.

摘要 ( 480 )

PDF (2441KB) ( 105 )

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本文通过介绍方案和分析试用结果,证明按调频雷达原理试制成的X波段液位计在半潜式钻井平台上应用的可行性.理论和实践表明,在全天候的海面上,作用距离大于30米,采用求离散点子样序列的统计平均值的方法,以足够的精度对波动水面获得所需要的三个静态测量值;吃水深度、纵倾角和横倾角.

用传输线等效电路模型分析pn结

阮刚, 戎蒙恬

1987, 5(1): 30-36.

摘要 ( 984 )

PDF (437KB) ( 104 )

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本文以精确的传输线等效电路模型为基础分析了掺有深能级杂质的pn结,根据各种工作状态下pn结导电机理的特点,对模型作了修正,提出了相应的计算机分析程序的算法,分别对掺铂和金的pn结进行了计算.程序所用的输入为pn结的杂质分布、复合中心的SRH系数和几何参数,输出该pn结交、直流特性及其载流子分布等内部信息,实验结果表明模拟和实测符合得比较好.

α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱

钱人元, 周淑琴, 金祥凤, 王增起, 姜守仁

1987, 5(1): 37-40.

摘要 ( 410 )

PDF (250KB) ( 78 )

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本文用光注入的"等温衰减电流(IDC)法"观察α-CuPc蒸发膜的陷阱能态分布,得到了该试样在不同温度和不同场强下的等温衰减电流曲线,而不同温度下曲线最大值的温度位移是一条直线,从而得到陷阱深度E_t=0.58eV和热释放频率因子v=1.7×10⁸s^-1.并用Poole-Frenkel理论解释了等温衰减电流曲线的场强依赖关系.

高频离子源中应用等离子体及非等离子体化学反应对于引出金属离子的区别

白桂彬

1987, 5(1): 41-48.

摘要 ( 605 )

PDF (455KB) ( 111 )

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文中介绍了高频离子源^[1]中应用等离子体化学反应与非等离子体中的化学反应对于引出金属离子束的区别.通过实验事实和分析,证明在引出金属离子方面,等离子体中的化学反应比非等离子体中的化学反应效果要好;等离子体化学反应在高频离子源中及离子注入机上得到运用,效果较好,有其特点.应用等离子体化学反应并结合物理手段较方便地获得了金属离子束,特别是解决了高挥发温度金属离子束的获得问题.已引出的离子有:Re⁺、W⁺、Mo⁺、Y⁺、Nd⁺、Pd⁺、Au⁺、Ta⁺、Ti⁺、Cr⁺、Ce⁺、Ag⁺、Fe⁺,Ca⁺、V⁺,Al⁺,Be⁺、Li⁺、Si⁺、Ga⁺、In⁺,Bi⁺等.

有效结构理论应用于液体热力学性质计算

严文兴, 孙亚平

1987, 5(1): 49-55.

摘要 ( 470 )

PDF (415KB) ( 96 )

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本文简述了Eyring的有效结构理论及应用概况,并采用改进的参数求取方法,将此理论用于计算包括极性分子氢氰酸和吡啶在内的五种纯物质的液体热力学性质,结果与实验值符合良好.

水扩链嵌段聚醚氨酯脲的合成与性能

黄祖琇, 冯新德

1987, 5(1): 56-60.

摘要 ( 489 )

PDF (1210KB) ( 85 )

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本文报告由4,4'-二苯甲烷二异氰酸酯,聚四亚甲基醚二醇以及水扩链剂反应制备线性嵌段聚醚氨酯脲弹性体的合成条件与产物性能.并与乙二胺或1,4-丁二醇为扩链剂合成的嵌段聚醚氨酯的性能作了比较.水扩链产物与乙二胺扩链产物的抗凝血性能相近,比不含脲键的醇扩链产物的抗凝血性能要好.

碲镉汞晶体辐射损伤的高分辨电镜研究

宋祥云, 温树林, 马可军

1987, 5(1): 61-65.

摘要 ( 465 )

PDF (2198KB) ( 62 )

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用高分辨电子显微镜观察了碲镉汞晶体的显微结构.发现在[110]方向观察时结构有较强的电子辐射损伤.用电子衍射、能谱和高分辨电子显微术的进一步研究表明,电子辐射作用可使碲镉汞晶体析出CdTe;辐射还可使某些区域出现结构无序化.此外,碲镉汞晶体在电子辐射作用下还可发生原子位移,导致超晶格现象的出现.

溅射沉积InP薄膜的研究

黎锡强

1987, 5(1): 66-71.

摘要 ( 416 )

PDF (2156KB) ( 69 )

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本文报道了以射频溅射仪溅射沉积非晶态InP薄膜.并用X光衍射法、反射电子衍射怯、扫描电镜、红外分光光度计及俄歇能谱仪等研究了薄膜结构、貌相、组分及吸收边光谱等.并与富In的InP多晶薄膜作比较.

InP欧姆接触研究

吴鼎芬, 王德宁, 张俊

1987, 5(1): 72-78.

摘要 ( 696 )

PDF (482KB) ( 174 )

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按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.

生成所有不同构的根树和树

刘家壮

1987, 5(1): 79-84.

摘要 ( 764 )

PDF (367KB) ( 86 )

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本文用顶点的路长序列表示一个根树和树,并根据具有n-1个顶点的树(或根树)的路长序列与具有n个顶点的树(或根树)的路长序列之间的简单关系,得到生成所有不同构的树(或根树)的路长序列的算法,从而生成所有不同构的树(或根树).

XPS谱线加宽函数的测定

徐至中, 董树忠

1987, 5(1): 85-88.

摘要 ( 470 )

PDF (235KB) ( 81 )

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X光电子谱(XPS)已在固体表面成分分析及表面电子能态的研究中获得了广泛的应用。但是由于常用的X光源的非单色性以及电子能谱仪本身的仪器传递特性,常使X光电子谱的谱形加宽,分辨率降低。为此,常采用退卷积的方法对XPS实验数据进行数字处理^[1],以提高其分辨率。在退卷积时,首先必须知道谱线的加宽函数。我们采用了两种方法对加宽函数进行了测量,并获得一致的结果。

Марчук模型和疾病痊愈

邵剑

1987, 5(1): 89-91.

摘要 ( 383 )

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Марчук根据免疫学的假设提出的病毒疾病的简单数学模型是由如下微分方程组描述^[1~3].

己二酸的低温快速单酯化

桂伟志

1987, 5(1): 92-94.

摘要 ( 519 )

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1891年,Brown和Walker发现二元羧酸单酯的碱式盐能进行类似的柯尔柏反应。其阳极氧化反应可用以下方程表示.

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