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1983年 第1卷 第3期    刊出日期：1983-09-30

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论文

基础科学、应用科学与生产技术间的关系

孟昭英

1983, 1(3):  189-192. 

摘要 ( 923 )   PDF (318KB) ( 83 )  

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基础科学、应用科学与生产技术的研究范畴显然是很不相同的,但是其间却没有严格的分界线.在古代的西方,前二者,包括人文科学的研究在内,统称为哲学,而自然科学则称为自然哲学.在那时,研究的面一般都是很广的.一个突出的例子是达·芬奇.他曾从事的科学研究领域,从天文、地质、生物、解剖、医学、工程、建筑、绘画以至飞行,无所不包.我国古代也是如此.如《梦溪笔谈》、《天工开物》等,也都是百科全书一类的著作.

凸集上样条函数的一些新性质

关履泰

1983, 1(3):  193-202. 

摘要 ( 566 )   PDF (508KB) ( 78 )  

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本文提出"外射集"与"照射面"的定义,得到凸集上样条函数的一些新的特征定理、唯一性定理与必要条件.

一类线性时滞控制系统的镇定

尤云程

1983, 1(3):  203-210. 

摘要 ( 539 )   PDF (509KB) ( 76 )  

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本文将Banach空间上的线性时滞控制系统
dx(t)/dt=Ax(t)+∑_i=0^k (B_iu(t-r_i))+∫₁⁰ (B(θ)u(t+θ)dθ,t ≥ 0,(0=r₀ < r₁ < … < r_k=r<∞)).

半透明氧化铝陶瓷电弧管

曾绍先, 符锡仁, 朱惠卿, 万和根

1983, 1(3):  211-220. 

摘要 ( 443 )   PDF (4853KB) ( 95 )  

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用作长寿命、高光效高压钠灯的电弧管,其几何尺寸的精度必须好,透光率也要高.为此,我们研究了等静压成型,从活性粉料入手,研究了添加剂及烧成制度对透光率和晶粒结构的影响.最终制得的陶瓷电弧管,其几何尺寸精确,晶粒结构也均匀,总的透光率达94~95%.

柱晶Fe-Cr-Co-Mo-Ti和柱晶Alnico 5的Mössbauer效应、铁磁共振和矫顽力的研究

李德新, 林文桂, 李国栋, 严勇, 邵涵如, 陈明燕, 王惠娟

1983, 1(3):  221-226. 

摘要 ( 749 )   PDF (379KB) ( 114 )  

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本文用Mossbauer效应(室温和低温)和铁磁共振方法研究了Fe-Cr-Co-Mo-Ti柱晶的磁矩取向,并与Alnico5柱晶进行了比较.柱晶样品的取向效果较好,可以获得高的矫顽力H_o由室温~77K,观察得到H_o随温度降低而减小.这是由于材料中的顺磁相在低温时变成铁磁相,使两相的饱和磁化强度差减小的结果.反磁化机制比较符合单畴转动模型.

碳氢键键离解能与伸缩振动频率

金祖铨

1983, 1(3):  227-234. 

摘要 ( 1130 )   PDF (1811KB) ( 105 )  

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本文研究C-H键离解能和伸缩振动频率平均值的关系,并用于计算聚合物C-H键的键离解能.此外,亦讨论了聚合物的C-H键键离解能与热稳定性的关系.

掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质

方敦辅, 王祥熙, 徐涌泉, 缪涵英, 牟盘健

1983, 1(3):  235-242. 

摘要 ( 540 )   PDF (2039KB) ( 93 )  

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在高压液封直拉(LEC)法生长InP单晶时,利用杂质效应掺入硫,可以有效地降低位错密度.当载流子浓度达3×10¹⁸ cm^-3时,位错密度降低到108cm^-2左右,此时补偿比在0.1~0.3之间.硫在InP中的有效分配系数为0.68.
掺硫InP单晶具有较好的径向及纵向均匀性,这将给稳定器件工艺及提高材料利用率带来好处.

一种用于GaAs选择腐蚀的新方法

陆凤贞, 丁永庆, 彭瑞伍

1983, 1(3):  243-248. 

摘要 ( 671 )   PDF (1042KB) ( 116 )  

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本文采用柠檬酸-H₂O₂-H₂O体系的电化学腐蚀法,对高阻GaAs衬底材料的选择腐蚀进行了研究.考察了电解液组分、腐蚀时间、电流密度对腐蚀速率的影响,井用扫描电镜法对腐蚀后的表面进行了观察.研究结果表明,该法能获得具有底部平坦表面平正的窗孔.通过简单的法拉第分析可以认为,当用电化学腐蚀时,通电的作用能使表面平正,但GaAs的溶解可能主要靠化学反应.

生物力学中的电测技术及其应用

王以进, 王公林

1983, 1(3):  249-256. 

摘要 ( 567 )   PDF (3382KB) ( 88 )  

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本文采用了合理的试验方法对骨骼系统中出现的生物力学问题进行了探讨.因为这种试验在骨的移植和关节复位中是十分重要的.同时,对骨密质组织的力学强度变化和临床矫形中的力学问题进行了研究.

剪切流场中叶片上颤振力的计算

张保栋

1983, 1(3):  257-266. 

摘要 ( 523 )   PDF (529KB) ( 59 )  

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压气机转子通过静子的尾流区时,往往偏离在理想的位势流下设计出的工况,例如叶片上的举力是不稳定的,从而引起气流总压的变化.本文应用旋涡理论导出了小剪切流场中叶片上不稳定举力的一般表达式,井根据文献[4]中的思想,提出了一个简单的计算方法,以便较快速地计算这种变化,调整设计参数.本文的计算结果与文献[9]中的实验结果作了比较,是令人满意的.

国产硅太阳电池参数的研究

曹泽淳, 安其霖, 黄家美

1983, 1(3):  267-269. 

摘要 ( 637 )   PDF (174KB) ( 91 )  

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为了研究影响转换效率的因素,对国内有关工厂提供的硅太阳电池片进行了分析研究.

用长脉宽TEACO₂激光分离氢同位素

穆国融, 李长林, 秦启宗

1983, 1(3):  270-272. 

摘要 ( 558 )   PDF (222KB) ( 79 )  

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Marling等用多光子解离2,2-二氯-1,1,1——三氟乙烷(Freon 123)来分离氢同位素已作了仔细的研究^[1].他们所使用的CO₂激光器脉冲宽的主峰半高宽(Fullwidth athalf maximum)(简称脉宽)分别为2ns,12ns,80ns及100ns,发现富集系数随脉宽的增加而降低.

掺Cr半绝缘GaAs材料质量对离子注入层电学性质的影响

邵永富, 陈自姚, 彭瑞伍

1983, 1(3):  273-276. 

摘要 ( 562 )   PDF (235KB) ( 80 )  

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半绝缘(S.I)GaAs材料既在微波MESFET器件中用作外延生长的衬底又在集成电路中用作直接离子注入的掺杂层材料,因此进一步了解S.I-GaAs材料的质量是十分重要的.本文将Si²⁸直接注入到不同质量的掺Cr.S.I-GaAs衬底,然后测量注入层的载流子浓度分布和迁移率,从而直接评价SI-GaAs材料的质量,并对实验结果进行了讨论.

动态过程的模式识别

陶国轩

1983, 1(3):  277-278. 

摘要 ( 609 )   PDF (151KB) ( 82 )  

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一般的图像处理和识别,是针对孤立的、即时的图片而言的,而实际情况则往往需要处理和识别一个完整的变化过程.例如,心脏的收缩和舒张过程,其外形轮廓曲线按一定的规律不断地进行变化,这就需要利用图像处理的计算机系统进行处理和识别,以鉴别具体的一个过程是属于哪一类过程.

盐酸浸提法提取动物组织中几种金属元素效果的研究

涂枕梅, 温永煌

1983, 1(3):  279-282. 

摘要 ( 531 )   PDF (254KB) ( 78 )  

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动物组织中K、Na、Ca、Mg、Zn、Cu、Mn、Fe等元素的系统分析,样品待测液的制备目前大都采用二酸(HNO₃-HClO₄)消煮法^[1].此法每克样品要消耗约25ml浓HNO₃和5ml HClO₄酸,而且操作繁琐,费时,变异系数较大消煮过程中产生大量对人体健康有害的气体(NO₂,NO),因此给大批量动物样品的快速分析带来困难.