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1992年 第10卷 第2期    刊出日期：1992-06-30

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论文

离子束动态混合氮化钛薄膜生长及其组分和结构分析

王曦, 柳襄怀, 郑志宏, 黄巍, 邹世昌

1992, 10(2):  95-100. 

摘要 ( 465 )   PDF (1831KB) ( 105 )  

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用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击同时进行的动态混合方法制备了氮化钛薄膜.RBS组分分析结果表明,离子束动态混合制备的氮化钛薄膜中的氧含量比不用离子束轰击的显著减少,薄膜的组分与离子原子到达比关系不大,主要受长膜过程中吸附效应的影响.随着蒸发沉积速率的提高,膜中氮含量下降,提高样品温度可获得同样效果.采用TEM和XRD对薄膜的结构进行分析测定,发现离子束动态混合制备的氮化钛薄膜主要由面心立方结构的TiN相构成,晶体取向随离子原子到达比(N/Ti)的增加,由<111>择优取向变到无择优的随机取向,然后再转变到<200>择优取向,合成的氮化钛薄膜具有良好的抗磨损性能,划痕试验表明薄膜与基体间结合力极强,临界载荷达10-15kg.

液晶Langmuir-Blodgett膜的热电效应

方际宇, 韦钰, 孙政民

1992, 10(2):  101-105. 

摘要 ( 400 )   PDF (998KB) ( 81 )  

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介绍使用水平提拉法制备非中心对称的液晶Langmuir-Blodgett(LB)膜.吸收光谱和形貌观察表明LB膜中液晶分子以聚集体的方式存在,LB膜的静态热电系数为10^-11C·cm^-2·K^-1量级.同时讨论了LB膜结构变化对静态热电系数的影响.

损耗媒质中的复射线场

阮颖铮, 杜惠平

1992, 10(2):  106-112. 

摘要 ( 339 )   PDF (1075KB) ( 89 )  

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将损耗媒质中的复射线场视为波动方程的一个高频渐近解,详细讨论了这种场的属性,并耗情形作了对比.结果表明,损耗媒质中的复射线场仍能有效地表示高斯波束,在无耗情形下与无发展的复射线处理方法可以推广到损耗媒质情况,用该方法计算了具有吸波材料涂层的金属平板的雷达截面(RCS),理论计算与实验结果吻合很好,表明复射线理论的这一推广是可行的.

充等离子体金属腔谐振特性的变分解

刘凯, 章文勋, 应济民

1992, 10(2):  113-120. 

摘要 ( 310 )   PDF (455KB) ( 67 )  

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从麦克斯韦方程组出发,推导了求解电磁场参量的普适变分方程,其特点是对试探函数没有边界条件的限制,便于求解非规则形状各向异性材料的电磁场边值问题,文中应用Rayleigh-Ritz法求解充等离子体金属腔的谐振特性,对矩形金属腔分析的结果与文献[3]矩量法分析结果吻合得较好;还给出了圆柱形谐振腔中准TE111和准TM011模式的谐振频率和品质因数随等离子体参数变化的曲线簇,它们在工业应用中具有重要的参考价值.

无创体表希氏束电图(SHBE)的实时检测技术及评估

王保华

1992, 10(2):  121-127. 

摘要 ( 532 )   PDF (496KB) ( 79 )  

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研讨利用并行信号平均和逻辑判别技术,实时地检测每一个心动周期中的体表希氏束电图(SHBE)的理论与方法.为了在临床上实现SHBE的高检出率和高重复性,文内给出了一些在工程及临床上的关键技术和措施.

X射线小角散射中的粒子间相互干涉效应

郭常霖

1992, 10(2):  128-136. 

摘要 ( 381 )   PDF (590KB) ( 60 )  

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X射线小角散射中的粒子间干涉效应是影响实验结果的一个重要因素.已有的若干粒子间干涉的模型和理论不能很好地解释实验事实.实际使用的粒子间干涉效应校正方法为不同浓度试样归一化散射曲线作图外推法.然而在材料科学的许多应用中常常无法测量不同浓度的稀释试样.因此找出干涉函数的经验方程有重要意义.该文测定了超细二硫化钼不同浓度试样在不同角度下的强度衰减因子,从而导出了干涉函数的经验方程:K^-1=[1+2.5ω^1.4+2θ°(15.4ω^0.5-23.6ω²-1.3ω^0.01)]^-1.

高压对NiCr-NiCu热电偶的温度影响

黄桐凯, 顾锦模, Ch. Sajjad Ahmad, 金汴骏

1992, 10(2):  137-140. 

摘要 ( 349 )   PDF (271KB) ( 75 )  

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在室温和液氮温度下,压强在0-20kbar(1bar=10⁵Pa)变化范围内,测量了NiCr-NiCu热电偶的压力热电势随压强的变化关系.测量结果表明:在室温和液氮温度下,压力热电势均随压强增高,在0.1K的温度测量精度、0-20kbar的压强范围内,压力热电势不会对温度测量带来影响.

ROSIM机器人仿真系统及其应用

邓建一, 张宗明

1992, 10(2):  141-147. 

摘要 ( 669 )   PDF (873KB) ( 74 )  

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介绍了一个新研制的,在16位微机上运行的机器人仿真系统.该系统不仅具有数字仿真功能而且还具有一般的图形功能.整个仿真系统的应用分为两个层次以满足不同的需要.作者详述了这一仿真系统的设计思想与结构,并介绍了典型的应用和给出了若干实例.

板带轧制的上界理论解

赵德文, 李贵

1992, 10(2):  148-154. 

摘要 ( 304 )   PDF (377KB) ( 63 )  

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文中推导了与Avitzur不同的运动许可速度场与应变速率场,经变上限积分与参变量积分未经数学简化获得轧制功率的上界理论解.该解与Avitzur按圆柱坐标系的解析结果作了比较.

模式分类映射应用于辅助工业调优中的回归建模

柳妙修, 程兆年

1992, 10(2):  155-160. 

摘要 ( 284 )   PDF (392KB) ( 72 )  

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将模式分类映射应用于辅助工业调优中的回归建模.在对某铝厂碳酸化分解数据的处理中得到了比常规方法更低的预报残差和,表明所建模型的预报能力更强.

热壁外延法生长Zn_1-xMn_xSe半磁半导体薄膜

王杰, 吕宏强, 沈军, 李哲深, 王建宝, 沈孝良

1992, 10(2):  161-166. 

摘要 ( 379 )   PDF (333KB) ( 70 )  

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作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_1-xMn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_1-xMn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.

硅各向异性腐蚀对偏压依赖和重掺杂停蚀机理的新模型

林海安, 张家慰, 陈健

1992, 10(2):  167-173. 

摘要 ( 420 )   PDF (434KB) ( 68 )  

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系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解释了实验得到的蚀速-偏压关系.考虑到非平衡载流子复合后,得到与实验吻合的蚀速比-载流子浓度公式.

聚四氟乙烯驻极体的电荷贮存与输运

夏钟福

1992, 10(2):  174-180. 

摘要 ( 911 )   PDF (469KB) ( 158 )  

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通过在常温和高温下对聚四氟乙烯(PTFE)薄膜的恒压电晕充电,讨论了热处理对PTFE驻极体电荷贮存性能的影响和该材料在高温下突出的电荷贮存能力.利用热脉冲技术^[1]和激光感应压力脉冲法(Laser Induced Pressure Pulse Method,LIPP)^[2]组合TSD(Thermally Stimulated Discharge)实验研究了PTFE脱阱电荷在电荷层自身场作用下的输运模型.

研究简报

二维Frenkel激子有效质量与温度的关系

王宗刚, 顾世洧

1992, 10(2):  181-183. 

摘要 ( 388 )   PDF (175KB) ( 108 )  

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文献[1]曾对极性晶体中的Frenkel激子,计及晶格的原子结构,计算了它的有效质量,本文用同样的方法进一步讨论二维Frenkel激子.

无穷时滞非线性大系统的全局渐近稳定性

邓飞其, 赵玉鹏

1992, 10(2):  184-188. 

摘要 ( 291 )   PDF (292KB) ( 59 )  

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近年来,由于控制理论与工程技术的实际需要,时滞微分系统的稳定性理论得到了迅速的发展.关于大系统的稳定性,已有一些文献发表^[1-3].