报道了一种含微参比电极的差分结构,并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应(pH-ISFET)新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规N阱MOS工艺,研制成集成压力/pH-ISFET传感器,设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统,经实际工艺流水制成了样管,初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。
矩阵的重要数值特征界的估计和非奇准则在应用中具有重要意义,因而一直是人们广泛重视的课题。