应用科学学报

陈鸿, 吴翔, 方俊鑫

1986, 4(4): 283-288.

摘要 ( 431 )

PDF (387KB) ( 82 )

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本文用相干势近似的方法处理了无序材料中的Polariton,得出以下主要结论:(1)对一般介电玻璃,可以引入等效波矢的概念来描述Polariton的行为,并得到了等效波矢存在的判据.(2)无序材料中Polariton的色散关系与晶体中的相似,这与最近的实验结果相符.(3)从无序涨落导致衰减的角度来看,使用Phonon-Polariton频段(红外频段),更有利于实现长距离、无中继的光纤通讯.另外,作为一个应用,本文还导出了无序平面波导中导波耦合场量子的色散关系.

光纤在电子和γ辐射诊断中应用的研究

王耀才

1986, 4(4): 289-297.

摘要 ( 363 )

PDF (590KB) ( 73 )

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用光纤把辐射能转变为Cerenkov光光能的传感器和信号传输线时,可以构成频带极宽的电子束和γ射线脉冲诊断系统.本文从理论上计算了入射的相对论电子或入射的γ射线形成的Compton电子在光纤中产生的Cerenkov光的灵敏度.研制了光纤传感器和测量系统,给出了系统灵敏度、动态范围以及带宽的解析表达式,这对评价系统性能和论证可应用性是很重要的.标定了传感器对γ射线的灵敏度.现系统可突破常规系统带宽的极限记录.系统带宽潜力达500MHz以上,用于极快辐射脉冲测量将显示出它的独特优点.

激光测速技术在电站锅炉水模试验中的应用

唐开元, 孙渝生, 张自栋, 李梦实, 张才根, 薛材德, 沈新根

1986, 4(4): 298-305.

摘要 ( 324 )

PDF (534KB) ( 77 )

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本文介绍了应用新研制成功的"二维可辨流向的激光多普勒测速仪",对UP直流锅炉设计方案水模流场进行的定量测量.还对同一截面在改进折焰角结构前后,作了对比测量,为改进设计提供了依据.
激光测速与水模试验的结合,使水模试验既保持了流速较低便于观察和流动形象真实直观的特色,又将水模技术由只能定性观察分析,向前推进到定性、定量全面分析的新阶段.为锅炉研究、设计开创了一条新途径.

α剂量热释光断代技术-一种鉴别特殊赝品的方法

王维达, 周智新

1986, 4(4): 306-313.

摘要 ( 357 )

PDF (607KB) ( 98 )

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热释光真伪测定是一个重要的考古技术.但是一些现代伪造的复制品已经对常规的热释光测定年代提出了挑战.本文叙述了α剂量热释光断代方法.由于α剂量不能伪造,所以这个方法是可靠的.本方法在模拟陶器碎片和古代砖头上进行实验,测量结果与真实情况符合良好.

集成温度传感器的温度特性分析

严志新, 陈家骏

1986, 4(4): 314-321.

摘要 ( 799 )

PDF (498KB) ( 106 )

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本文叙述了集成温度传感器的基本原理,给出了描述电路温度系数的解析公式.借助于SPICE程序,进一步对温度测量精度与制造工艺容差的关系进行定量模拟,为电路的优化设计提供了依据.
通过对国内首次研制的SL616集成温度传感器的温度特性测量表明,在一40℃~+120℃的范围内,温度测量的精度可以达到 1℃左右.

关于简单图的Chartrand问题的下界

刘桂真

1986, 4(4): 322-325.

摘要 ( 373 )

PDF (287KB) ( 66 )

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本文证明任意一个圈秩为ρ的简单连通图G若含有m个端点及n个端点的撑树,且m < n,则对任意的m < k < n,G至少含有ρ+1个具有k个端点的支撑树.

部分介质填充波导的高次有限元分析

徐善驾, 彭松村

1986, 4(4): 326-332.

摘要 ( 432 )

PDF (478KB) ( 99 )

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本文用二次元求解了非均匀介质填充波导的边值问题.给出了高次元的耦合矩阵和有关公式,并将它们表示成便于编制计算机程序的形式.为了确定各次有限元的计算精度,用二次元对可以得到精确解的条形介质加载矩形波导的本征值进行了计算.结果表明:二次元的精度比一次元高出1~3个数量级.文中,在数值分析的基础上,对一次元和二次元的解题效能进行了讨论.

用UPS测量GaAs表面的能带弯曲和电子亲和势

董国胜, 丁训民, 杨曙, 王迅

1986, 4(4): 333-337.

摘要 ( 702 )

PDF (338KB) ( 186 )

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根据Kraut等用XPS精确测定的GaAs中Ga3d芯能级到价带顶的能量差,在UPS实验中,由测定的Ga3d结合能数据,得出了清洁GaAs(111)的费米能级在表面处的位置,也即求得了表面的能带弯曲.再由UPS的二次电子阈值测定了功函数,从而求得GaAs的电子亲和势.对于用氩离子刻蚀并退火所获得的清洁GaAs(111)(2×2)富Ga表面,费米能级钉扎即已发生,其钉扎位置是在价带顶以上0.75eV附近,与Spicer等在GaAs(110)面上所观察到的受主型钉扎能级相符合.

半无限极性晶体中的极化子

顾世洧, 张杰

1986, 4(4): 338-342.

摘要 ( 314 )

PDF (295KB) ( 96 )

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本文采用线性组合算符法,并通过简单的幺正变换,导出了极性晶体中强耦合表面极化子的有效哈密顿量.对于电子靠近晶体表面和远离表面的两种极限情况,得到了镜像势和自陷能的解析表达式.

ZnO压电薄膜的多晶模型研究

章晓中, 赵明洲

1986, 4(4): 343-350.

摘要 ( 314 )

PDF (465KB) ( 76 )

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本文考虑了ZnO压电薄膜的晶格畸变和多晶结构,建立了ZnO压电薄膜的多晶膜模型,计算了ZnO/K9 glass和ZnO/fused quartz的SAW速度和有效机电耦合系数,测量了ZnO/K9 glass的SAW速度v₀和v₁,结果表明:多晶模型的计算值与实验值较接近,比单晶模型的结果有明显改善.计算结果还表明:分散度σ<6°时它对ZnO膜的SAW性能影响较小,而晶格畸变对SAW性能影响较大.

电化学合成癸二酸及其阳极极化曲线的测定

桂伟志

1986, 4(4): 351-355.

摘要 ( 364 )

PDF (308KB) ( 88 )

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本文介绍了电化学合成癸二酸的新方法,设计了一个比较完善、在工业生产上较经济的隔膜电解槽.通过产品鉴定,证明此法具有产品分离提纯比较容易和产品纯度与收率均较高的特点.

改性锆酸锶陶瓷的制备及电导

王评初, 曾绍先

1986, 4(4): 356-360.

摘要 ( 383 )

PDF (297KB) ( 96 )

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本工作研究了添加Al₂O₃、CaO、Cr₂O₃和Fe₂O₃的SrZrO₃陶瓷的制备工艺及杂质对SrZrO₃电阻率的影响.加有添加剂的SrZrO₃陶瓷可沿用普通陶瓷工艺,于1750-1800℃烧成.适当的添加剂可使SrZrO₃的电导激活能大幅度降低,从而有效地降低电阻率.对于组成为90%SrZrO₃+5%Cr₂O₃+4%CaO十1%Al₂O₃(重量比)的样品,电导激活能为17.6kcal/mol;对组成为SrO+(ZrO₂)_0.9+(Fe₂O₃)_0.05的样品,电导激活能为4.53kcal/mol.上述组分的陶瓷具有电导率较高、易于烧结等优点,有希望作为高温导电材料使用.

模耦合对激光线宽的影响

贝念渝, 李孝申

1986, 4(4): 361-365.

摘要 ( 322 )

PDF (293KB) ( 77 )

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通过对于Lamb激光量子理论^[3,4]的推广,S.Singh^[1]和S.Chu^[2]已研究了双模激光的量子统计性质.本文将使用Lamb的全量子理论处理方法,获得激光场密度算符非对角元的运动方程,进而求得激光在双模运转下的线宽并讨论模耦合对线宽的影响.

喷涂法制备透明导电膜(SnO₂:F膜)

王福善, 李培德

1986, 4(4): 366-369.

摘要 ( 339 )

PDF (276KB) ( 74 )

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SnO₂:F膜是一种在可见光区具有高透过率,在红外区具有高反射率的大禁带半导体材料,在电子工业和太阳能工业中具有广泛的应用.

新药常咯啉的X射线结晶学研究

王佩玲, 李德宇, 吴吉安

1986, 4(4): 370-372.

摘要 ( 419 )

PDF (180KB) ( 84 )

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常咯啉的化学名是4{3',5'-双[(N-吡咯烷基)甲基]-4'-羟苯胺基}喹唑啉,是我国研制的一个新的化学结构类型的抗心律失常药.化学式为C₂₄H₂₉O₁N₅.经四步化学反应合成.晶体为淡黄透明的片状结晶.

两种载流子发射的CC-DLTS信号分析及其应用

赵冷柱, 吴克勤

1986, 4(4): 373-376.

摘要 ( 369 )

PDF (229KB) ( 98 )

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界面态由于直接影响了MOS器件的阈值电压,沟道迁移率,频率特性而具有实际意义.最近M.Sohulz等^[1]提出的恒电容深能级瞬态谱仪技术(CC-DLTS)引起人们极大兴趣.

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