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1991年 第9卷 第2期    刊出日期：1991-06-30

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论文

含非线性介质的RLC电路与有腔全光学型双稳系统的相似性

刘翠红, 吴庭万, 张晓东, 欧发

1991, 9(2):  95-103. 

摘要 ( 370 )   PDF (572KB) ( 62 )  

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从动力学方程上揭示了非线性RLC电路与本征型光学双稳系统的相似性.通过按一定实验数据拟合的磁导率函数,研究含铁磁质的RLC电路的双稳性及有关静、动态特性.

盐酸浸泡后的铁在空气中氧化及缓蚀剂防护作用的穆斯堡尔谱研究

周孙选, 郑家燊

1991, 9(2):  104-108. 

摘要 ( 416 )   PDF (348KB) ( 66 )  

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用内转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)分析了铁经盐酸或加有缓蚀剂的盐酸(缓蚀盐酸)浸泡后在空气中的氧化物,以及盐酸中的缓蚀剂对浸泡后铁在空气中氧化的防护作用.结果表明,盐酸或缓蚀盐酸浸泡后的铁在空气中的氧化物主要是γ-FeOOH,有少量β-FeOOH;盐酸中缓蚀剂对浸泡后的铁在空气中氧化具有防护作用.而且在盐酸中对铁的缓蚀性能较好,在空气中对铁的防氧化性能也较好.最后对缓蚀剂的防氧化作用机理进行了讨论.

苯乙烯-马来酸酐共聚物与聚碳酸酯共混体系的研究

叶锦镛, 骆惠雄

1991, 9(2):  109-116. 

摘要 ( 518 )   PDF (3089KB) ( 138 )  

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苯乙烯-马来酸酐共聚物(SMa)与聚碳酸酯(PC)的相容性与SMa中Ma的含量有关,Ma摩尔含量在26-28%附近时相容性较好.通过FTIR、SEM等研究,发现SMa与PC在熔融共混中产生了接枝共聚反应。

氮化铝薄膜微波换能器的研制

刘付德, 梁子南

1991, 9(2):  117-122. 

摘要 ( 331 )   PDF (432KB) ( 68 )  

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阐述用直流平面磁控溅射法在z-LiNbO₃传声介质上淀积出优质氮化铝薄膜,并制成了一维纵模微波换能器,还由它制成了微波体声波延迟线.该延迟线在中心频率为2.21GHz、延迟时间为1.83μs下插损为22dB,带宽(3dB)为13%.对在微波频率下应用的这种AlN压电薄膜,由导纳法经实验曲线和理论计算结果的拟合获得这种横向受夹厚度模压电薄膜的机电耦合系数为0.13,这个结果略小于块材AlN的值,可能主要是由于所生长的AlN薄膜微晶晶粒的c轴方向有一定的分散性和c轴反向性所致.从电导测定结果表明换能器中有一等效的串联电阻,它可用于说明匹配和调谐换能器存在损耗的原因.

超低通滤波器幅频特性的微机测试

徐成汤

1991, 9(2):  123-128. 

摘要 ( 351 )   PDF (393KB) ( 80 )  

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介绍采用中断方法由微计算机和D/A转换器发生低峰值系数多谐波合成信号作为超低通滤波器的输入信号,并同时经由A/D转换器采集该滤波器的输出信号.通过对滤波器输出波形进行快速富里叶变换实现对超低通滤波器幅频响应特性的快速测试.

CsC₈的能带结构

过建清, 陆栋

1991, 9(2):  129-134. 

摘要 ( 428 )   PDF (404KB) ( 50 )  

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用Ohno,Nakao和Kamimura的方法计算了石墨插层化合物CsC₈的能带结构.表明Cs的6S能带底位于费密能级以上3.6eV处。所以,铯原子层的价电子全部转移到石墨碳原子层的反键π能带.所得结果与其他计算结果相符.

金刚石、Si、Ge和α-Sn的声子色散曲线

资剑, 张开明

1991, 9(2):  135-139. 

摘要 ( 1127 )   PDF (293KB) ( 440 )  

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用6参数Born-von Karman模型计算了金刚石、Si、Ge和α-Sn的声子色散曲线.除Si、Ge和α-Sn的TA声子外,计算结果与实验符合较好.

集成电路工艺实时统计分析方法与应用

何野

1991, 9(2):  140-144. 

摘要 ( 391 )   PDF (312KB) ( 83 )  

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与试验设计方法相结合,提出了一个用于集成电路工艺实时统计分析的方法.对CMOS和NMOS电路的实际模拟分析结果表明,利用该方法对工艺线上的芯片测量结果进行分析,能找出导致器件及电路特性分布异常的主要可能工序.

注化学溶液油藏模拟的差分方法

袁益让, 王文洽

1991, 9(2):  145-153. 

摘要 ( 322 )   PDF (538KB) ( 61 )  

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研究二维、多组分、多相、可压缩混合流体组成的注化学溶液强化采油数值模拟的差分方法,这一模拟是一个完整的关于注入胶束/聚合物化学溶液的过程.在过程中包含注入表面活性剂、酒精、聚合物、盐水和碳氢化合物的各种化学溶液去驱替油藏岩石中的石油.其数学模型是一组非线性偶合偏微分方程组的初、边值问题.提出了一类差分格式,并得到最佳阶的误差估计结果.无疑将对这一领域的模型分析、数值方法、机理研究和软件研制均有重要的理论和实用价值.

对称函数最佳线性逼近的求法

武传坤

1991, 9(2):  154-160. 

摘要 ( 507 )   PDF (424KB) ( 75 )  

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利用频谱技术给出了求对称函数最佳线性逼近函数的快速算法.

力学中的一类常微分方程反问题及其数值解法

吴新元

1991, 9(2):  161-168. 

摘要 ( 512 )   PDF (462KB) ( 79 )  

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提出力学中的一类常微分方程反问题,并且给出处理这类常微分方程反问题的一种数值解法.

求解决策过程的布尔方法

刘永才

1991, 9(2):  169-176. 

摘要 ( 375 )   PDF (477KB) ( 72 )  

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在大量科学实验、工程测试、医疗诊断、环境监测等决策过程中,会遇到这样一类问题:如何从有限次试验归结出客观规律及揭示出内在的因果关系.该文给出解决这类问题的布尔方法.

可识强码的分解

邱伟德, 章亮

1991, 9(2):  177-181. 

摘要 ( 355 )   PDF (363KB) ( 54 )  

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研究强码,得到以下三个结果:(1)任意一个群都可以成为X^*的句法么半群,其中X是某个极大强码;(2)可识强码X可分解为两个可识强码复合的充要条件为接受X^*的最小自动机上存在真同余;(3)句法么半群为单群的极大强码称为单极大强码,任一可识强码可分解为有限个单可识强码的复合.

研究简报

闪烁晶体CdWO₄的光学性质

徐军, 马笑山, 吴光照, 沈雅芳, 张新民, 顾及

1991, 9(2):  182-184. 

摘要 ( 486 )   PDF (991KB) ( 75 )  

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X射线计算机断层摄影(简称XCT),自1972年面世以来,愈来愈显示出其诱人的前景。而其探测器用的闪烁晶体有OsI (Tl)、NaI (Tl)、BGO、ZnWO₄和CdWO₄等。就目前来说,CdWO₄的综合性能最优,它的发光强度高,余辉时间短,对X射线吸收系数大,透光性能好。然而,由于此晶体具有严重的解理特性,且原料挥发严重以及镉蒸汽有毒,生长极为困难,晶体质量太差,这些都严重影响了它的广泛应用。本文通过研究,基本掌握了它的挥发、解理机理,通过选择配料和温场,用高频感应引上法获得了较好的CdWO₄大单晶。并首次提出氧空位和Fe³⁺等杂质是晶体着色的主要原因。实验测量了它的发光光谱。

In_xGa_1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

钟福民, 陈京一

1991, 9(2):  185-188. 

摘要 ( 382 )   PDF (251KB) ( 94 )  

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超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后^[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。