应用科学学报

铁磁薄膜中静磁表面波和体波的能流方向

王奇, 鲍家善

1991, 9(3): 189-195.

摘要 ( 376 )

PDF (449KB) ( 99 )

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铁磁薄膜波导中的静磁表面波和体波是色散的,波矢显示各向异性.一般,静磁波的能流方向与传播波矢非共线.文中研究分析了静磁表面波和体波的能流方向随频率和外偏置磁场方向的变化规律.

一种产生任意曲线的递归算法

杨峥嵘, 姚林声, 甘骏人

1991, 9(3): 196-200.

摘要 ( 394 )

PDF (289KB) ( 75 )

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在计算机辅助设计及计算机图形学中,提出一种产生任意曲线的递归算法.该算法的特点是算法简单,计算精确,易于实现.并已应用于声光器件图形处理系统中.

电磁场理论中几何化·数论消发散方法(Ⅱ)简约电荷分布、一般形式解及数论消发散定理

戴显熹, 徐新闻, 李洪芳, 钟万蘅, 黄静宜

1991, 9(3): 201-208.

摘要 ( 507 )

PDF (459KB) ( 90 )

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该文为GNES方法论文系列中的第二篇.建议简约电荷分布的概念,并讨论其应用.给出一般的基本积分方程组的形式解,它将由几何参数直接表示电容系数.给出数论消发散定理,它提供了既自然地消除积分核的对角线奇性,又能同时运用数论方法的一个具体方案,而且不带调节参数.

二阶系统的振动条件

张昌波

1991, 9(3): 209-214.

摘要 ( 537 )

PDF (355KB) ( 70 )

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给出二阶系统的振动条件.作者拟从非线性系统(2)的振动条件着手,进一步研究具有偏差变元的非线性系统(3)的振动条件,改进了国内外一些已发表的结果.

使用单片微机的离子源弧流稳定系统

翟其刚, 俞光仪, 徐林木, 陈伟民

1991, 9(3): 215-221.

摘要 ( 448 )

PDF (503KB) ( 78 )

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设计和制造一套使用单片微计算机的离子源弧流稳定系统,使用光纤传递信息以使高压与低压隔离,使得在低压侧用同一系统通过切换来控制直热式和间热式离子源,使之弧流稳定.达到的弧流稳定度优于±1%(F.S.)

界面周期裂纹的SH波散射

邹振祝, 章梓茂, 马兴瑞

1991, 9(3): 222-232.

摘要 ( 337 )

PDF (669KB) ( 78 )

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研究了分布于两个半空间之间的界面周期裂纹对反平面剪切波的散射问题.应用有限富里叶变换.将一个周期带内的混合边值问题归结为对一具有周期核的第一类奇异积分方程的求解;借助于切比雪夫多项式,给出了积分方程的级数形式解,并得到了在裂纹尖端附近应力强度因子的计算公式.最后,对散射位移场的远场性态进行了分析讨论.

含成品率极大的多目标CMOS倒相链的优化设计方法

郝跃

1991, 9(3): 233-242.

摘要 ( 382 )

PDF (597KB) ( 85 )

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给出了CMOS倒相链多目标优化设计的数学模型以及目标函数的建立过程,得到了含成品率极大的多目标优化设计的统计性方法.该异步统计优化方法对成品率和其它电路性能的优化是不同步的.它能减少对电路成品率解析描述的困难和计算的要求.最后给出多目标CMOS设计的数值结果,并根据模拟结果证明了该法的可行性.

介质-磁头系统的场分布

陈坚勇, 许澍均

1991, 9(3): 243-250.

摘要 ( 296 )

PDF (466KB) ( 85 )

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用有限元方法,对数字磁记录中的磁头-介质系统进行了计算机模拟,得到磁头-介质一体化的磁场分布以及磁力线分布.介质磁化过程遵循矢量磁滞模型,用磁头材料的测量值作为磁头的磁滞模型.

四包层色散平坦光纤的参数设计和试制

萧天鹏, 陈锡浩

1991, 9(3): 251-257.

摘要 ( 324 )

PDF (466KB) ( 91 )

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色散平坦光纤可用于波分复用技术,对长距离大容量通讯系统具有很大吸引力.文中选择四包层单模光纤作为研究对象,概述了四包层结构的基本理论,对有关传输特性和结构参数进行了考虑和计算.通过工艺试制,获得了从1.3-1.55μm波长范围具有低色散特性的单模光纤.

应用于超大规模集成电路的新材料WSi₂的快速热退火形成

陈存礼, 曹明珠, 华文玉

1991, 9(3): 258-262.

摘要 ( 402 )

PDF (1098KB) ( 129 )

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用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi₂的行为.在331和450cm^-1处有两个WSi₂的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi₂的晶化不断增强.发现WSi₂中伴有W₅Si₃相存在,但其行为仍显示为WSi₂的特征.

金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用

郑国祥, 周寿通, 邬建根, 王昌平, 屈逢源, 丁志发

1991, 9(3): 263-268.

摘要 ( 513 )

PDF (437KB) ( 109 )

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以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm²的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.

金属切削中进给方向毛刺的生成机理及其控制

王贵成, 中山一雄, 新井実

1991, 9(3): 269-275.

摘要 ( 430 )

PDF (1269KB) ( 105 )

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以切削运动和进给运动方向为基准,对切削毛刺进行了分类,建立了金属切削中进给方向毛刺生成模型.并对其生成机理进行了实验研究和相应的理论分析,揭示了进给方向毛刺生成机理及其主要影响因素.进而提出了抑制进给方向毛刺的若干措施,开发出几种控制和减少进给方向毛刺的新方法.

用孤子统计方法计算氧化物超导体的临界温度

林家逖, 张凌云

1991, 9(3): 276-279.

摘要 ( 314 )

PDF (238KB) ( 82 )

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自发现Ba-La-Cu-O高温超导体的超导性以来^[1],人们一直在探求氧化物超导体的导电机制,其中孤子超导模型是令人注目的一种。在李政道等人提出的非拓扑型孤子系统会出现类似的Bose凝聚后^[2],苏联Davydov在分析Y-Ba-Cu-O材料的导电结构时指出^[3]:这种导电过程可用准一维链式模型来处理。

测量磁涂层厚度的一种准确方法

寻培珏, 李桂新

1991, 9(3): 280-282.

摘要 ( 293 )

PDF (1009KB) ( 80 )

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为了优化软磁盘和磁带的生产工艺,我们提出用扫描电镜准确的测量磁涂层厚度.

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