应用科学学报

高效杰, L. B. FELSEN

1983, 1(4): 289-292.

摘要 ( 474 )

PDF (265KB) ( 77 )

相关文章 | 多维度评价

如何估计天线罩对它所复盖的天线辐射方向图的影响,有各种不同的近似方法.例如平面波谱分析与综合法;从源点到观察点的几何射线追踪方法,但不考虑罩体内部的多次反射;从源点到观察点的射线追踪方法,但传输系数用等效平板的传输系数代替;等等.所有这些近似方法都忽略了下列之一或几个效应,例如曲面曲率对平板模的影响,内部多次反射对射线轨迹的影响,以及沿罩体激励的导波模.最近的一种严格方法克服了这些缺陷.它以集合方式考虑内部多次反射,从而引入所谓的"集合"或"复合"射线的概念.本文把这种方法推广到复数空间,用复数射线追踪(CRT)方法分析二维圆柱壳模型.众所周知,逐渐衰减式的口径分布可以使用复数射线近似,亦即可以视作复数射线源.天线罩对这种初级场的影响,可以这样研究:追踪从复数源出发,经过天线罩体的复数延拓,到达实观察点的复数射线.首先逐个追踪各条普通复数射线;然后构造集合射线以考虑内部多次反射.无论远场或者是近场都可以用普通复数射线场之和或者再加上集合射线场表示.数值结果表明,跟在实数场合一样,复数集合射线也是十分有吸引力的.

和不重数集合及其应用

徐坤林

1983, 1(4): 293-304.

摘要 ( 519 )

PDF (774KB) ( 81 )

相关文章 | 多维度评价

本文提出和不重数集合的数学概念:把n项数集合材{S}的任意数项称为它的一个子集,子集各项之和称为子集和,则数集{S}有2^n-1个子集与子集和.把 2^n-1个子集和互不相等的数集{S}称为完全和不重数集;把少于2^n-1个子集和互不相等的数集{S}称为部分和不重数集.然后,阐述和不重数集的构造定理及其特性,并导出一系列计算公式.进而引出等比数列在一定条件下具有和不重特性的结论.最后例举和不重数集在研制"电脑中医"、计算机汉字信息处理以及质量检查等工作中的实际应用.

微阵列处理机系统的研究和开发

杨克忠, 杜毅仁

1983, 1(4): 305-312.

摘要 ( 425 )

PDF (538KB) ( 73 )

相关文章 | 多维度评价

本文提出一种单指令流多数据流SIMD微阵列处理机系统.该系统以通用微型计算机为主机,阵列处理机(MAP)作为选件.
处理单元阵列(APU)是系统的主要部件,它由8*8个结构相同的PE组成,负责数据的并行处理.每PE内都包含一块3002位片、二块局部存贮器及其他随机逻辑.PE间由改进的PM2I互连网络连接,并能通过"座标相交法"对阵列的活动图案预置.

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

张翔九, 胡际璜, 黄维宁, 姜国宝

1983, 1(4): 313-318.

摘要 ( 581 )

PDF (397KB) ( 77 )

相关文章 | 多维度评价

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.

声子色散对极化子的影响

顾世洧

1983, 1(4): 319-326.

摘要 ( 463 )

PDF (425KB) ( 77 )

相关文章 | 多维度评价

本文计及纵光学声子的色散,在抛物线近似下,计算了极化子的基态能量、有效质量和极化电势,从中发现:随着声子色散的加强,极化子的自陷能变大,有效质量增大,极化电势的屏蔽半径减小.

In_1-xGa_xAs_yP_1-y-InP异质结界面组分过渡层的俄歇电子能谱研究

李明第, 龚小成, 朱礽沐, 陈益新, 徐信慧

1983, 1(4): 327-336.

摘要 ( 488 )

PDF (1369KB) ( 70 )

相关文章 | 多维度评价

用俄歇电子能谱研究了由两相过冷溶液法液相外延生长的In_1-xGa_xAs_yP_1-y-InP单异质结.四元层初始生长温度在631℃至641℃范围内变化;降温速率在0.7/~1.2℃/分之间变化.层厚小于0.5μm的薄四元层内各组分的原子百分浓度不随深度而变,即不存在组分梯度.异质结界面组分过渡层内P组分的原子百分浓度C_p(Z)随深度Z的变化,可用一双曲正切函数的经验公式表达.

多层超晶格结构的能级分裂

周小玲, 王志成, 沈鸿恩

1983, 1(4): 337-344.

摘要 ( 543 )

PDF (471KB) ( 66 )

相关文章 | 多维度评价

本文对多层超晶格结构的能级分裂作了理论分析,导出了能级分裂的简明表式.结果表明:对应于单量子阱的每一能级,构成多重阱时,将发生分裂.能级的分裂值与该能级值有关,同时也是构成超晶格的材料参数和几何结构的函数.把本文的理论结果应用于GaAs-Al_xGa_1-xAs超晶格结构的能级分裂计算,所得的数值与实验^[1]比较,基本符合.

磷砷化镓中氮和氧引起的深能级

周继程, 乔墉, 孙义林, 沈德新, 徐晨梅

1983, 1(4): 345-352.

摘要 ( 475 )

PDF (474KB) ( 65 )

相关文章 | 多维度评价

用离子注入技术对磷砷化镓进行了掺氮,给出了组分在0.175 ≤ x ≤ <0.8间氮能级随组分变化的方程式.

X射线粉末衍射数据库(FXDB)及其检索程序(FXSM)

马礼敦, 许自省, 王博义

1983, 1(4): 353-360.

摘要 ( 881 )

PDF (589KB) ( 166 )

相关文章 | 多维度评价

在国内外,一般均以晶面间距d为基础建立X射线粉末衍射数据库的.由于d的误差△d及△d/d随d值大小改变,在检索对比时不甚方便.本文以相对于CuK_α辐射的衍射角2θ为基础建立数据库,FXDB分单文件库,专题单文件库及工作三文件库三个层次.

硅全离子注入的GaAs双栅MESFET

王渭源, 卢建国, 乔墉, 周永泉, 夏冠群, 邵永富, 杨新民, 陈自姚, 罗潮渭, 詹千宝, 王文骐

1983, 1(4): 361-368.

摘要 ( 533 )

PDF (1202KB) ( 79 )

相关文章 | 多维度评价

本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10¹²cm^-2,接触层注入条件为50keV、8×10¹²cm^-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.

利用可逆Bäcklund变换推导自Bäcklund变换

黄迅成

1983, 1(4): 369-372.

摘要 ( 469 )

PDF (148KB) ( 60 )

相关文章 | 多维度评价

文献中寻求演化方程的Bäcklund变换常用的方法有Clairin法(见文[1]所用),Chen法^[2]和Hirota^[3]法.本文利用联系两个方程的可逆Bäcklund变换(BT)推导其中一个方程的自BT.

Hirota形式的Bäcklund变换的分解

黄迅成

1983, 1(4): 373-375.

摘要 ( 495 )

PDF (167KB) ( 78 )

相关文章 | 多维度评价

孤立子的发现和散射反演方法的提出是近年来应用数学领域的一项重大进展.Bäo-klund变换在孤立子的研究中起着重要作用.由Bäcklund变换出发,常可引出方程的无穷多个守恒律,解的非线性迭加公式以及孤立子解.

InSb中复合中心本性的推测

孙清, 邹元爔, 施惠英

1983, 1(4): 376-378.

摘要 ( 426 )

PDF (210KB) ( 62 )

相关文章 | 多维度评价

尽管人们对InSb已进行了大量的研究,但至今仍有一些问题尚未解决,两个对载流子寿命可能有显著影响的复合中心问题就是其中之一.

单模光纤中的受激Ramam散射

杨天龙, 高佩娟

1983, 1(4): 379-381.

摘要 ( 508 )

PDF (1033KB) ( 92 )

相关文章 | 多维度评价

多模光纤中的多级受激Raman散射(SRS)的研究已有报道^[1],我们继而用单模光纤进行了获得SRS辐射的一些实验.

当期目录