应用科学学报

一种新型磁盘阵列结构探讨

骆新国, 张江陵

1994, 12(4): 315-319.

摘要 ( 383 )

PDF (286KB) ( 95 )

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为提高磁盘阵列的可靠性,该文提出采用扩展海明码构造阵列的存储数据,形成一种可靠磁盘阵列——RAID7.充分利用磁盘的ECC检错指示和扩展海明码的纠1检2能力实现RAID7的容错功能,可有效地提高磁盘阵列的数据有效性和系统可靠性。

超立方体多阶网的链接路径算法

龙伟

1994, 12(4): 320-324.

摘要 ( 372 )

PDF (301KB) ( 77 )

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该文将一个超立方体网络定义为一个k阶×r层的网阵,并对相应的术语进行了科学的定义,该文着重从动态路径连接的角度,给出了超立方体网阵的网结值、网层值和链接语句的算法。利用该算法可完全确定其超立方网结点动态连接的路径。文章还给出了一个路径算法的实例。

参数化类型及动态类型检查

梅宏, 孙永强

1994, 12(4): 325-332.

摘要 ( 328 )

PDF (496KB) ( 76 )

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数据类型是程序设计语言设计中的一个重要概念。该文通过对Milner多态类型系统的扩展,提出了一个允许将类型作为一阶对象处理的参数化类型系统,并给出了相应的动态类型检查规则。

离散随机观测的最佳逼近

刘永才, 林刚

1994, 12(4): 333-339.

摘要 ( 370 )

PDF (491KB) ( 68 )

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在大量科学实验,工程测试,专家系统中蕴含一类问题:如何从有限次随机观测中识别出一个布尔函数,它能最佳表示出此观测集中的关系。该文给出一些求解此类问题的途径。

连续外延双层(BiAl)YIG薄膜的铁磁共振研究

张颖, 欧阳嘉, 苏钧, 周世昌, 何华辉

1994, 12(4): 340-344.

摘要 ( 438 )

PDF (346KB) ( 79 )

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首先叙述了双层(BiAl) YIG薄膜的生长及层间晶格失配情况,测量了与膜面法向成任意角度磁化的铁磁共振谱,铁磁共振场和线宽随磁化方向的变化与单层膜明显不同,用薄膜层间磁耦合解释了这种薄膜的铁磁共振线宽的非均匀增宽和共振波谱出现的异常现象,计算出的层间磁耦合系数与磁化方向有关。

热输运系数的量子振荡

杨新娥, 许向彤, 林家逖

1994, 12(4): 345-348.

摘要 ( 418 )

PDF (287KB) ( 110 )

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该文讨论小尺寸样品(其线度L_x小于非弹性散射平均自由程L_in)在低温下输运过程的量子干涉效应。假定金属中电子之间的相互作用以及非弹性散射过程都比较弱,利用修正的维德曼-夫兰兹关系式,求出了热导的相对振荡与电导的相对振荡之比,其结果表明,在低温时,热导也表现出周期性的量子振荡,但振荡振幅比电导的有所降低。

提高聚乙烯树枝化性能和机理的研究

高良玉, 刘越, 屠德民, 黄裉龙

1994, 12(4): 349-354.

摘要 ( 417 )

PDF (355KB) ( 103 )

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聚乙烯中掺入新型电压稳定剂二茂铁衍生物。由电离电位值和电导率与电场强度的关系,讨论了二茂铁衍生物的树枝抑制机理,研究了添加剂对聚乙烯(PE)和交联聚乙烯(XLPE)的树枝起始电压V_t和介电性能的影响.当添加剂B的含量为1%~1.5%时,PE的V_t提高61%,XLPE的V_t提高43%,PE的击穿强度提高16%,而添加剂对PE的介质损耗的影响不大。掺添加剂的PE具有较好相容性和热稳定性,可满足高压塑料电缆要求。

用正电子湮没寿命谱学法研究聚四氟乙烯改性和结晶度关系

史子康

1994, 12(4): 355-360.

摘要 ( 406 )

PDF (449KB) ( 79 )

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该文首次提出用e⁺湮没寿命谱学参数计算PTFE的结晶度:研究了退火、⁶⁰Co的低剂量照射对结晶度影响的机理;揭示出次长成份是e⁺、O-Ps捕获态的过渡态,在该态中不存在P-Ps的捕获湮没。

反演横向均匀地球模型中的λ、μ、γ

郑家茂, 王元明, 韦钰, 李幼铭

1994, 12(4): 361-367.

摘要 ( 935 )

PDF (417KB) ( 91 )

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该文从二维平面应变情形对应的带阻尼项的一阶矢量弹性波方程出发,将反演λ、μ、γ的问题转化成一个带自由边界的偏微分方程组的混合型定解反问题,然后证明定解反问题是适定的。从而知道,利用地表面一条线上测得的,由该线上某一点同时发射沿线水平方向和垂直于地表方向上的脉冲横波与脉冲纵波,其激发产生的沿线水平方向和垂直于地表方向上的振动速度响应信息,就可以反演出Lame系数λ、μ和损耗因子γ。

一种构造相关免疫函数的新方法

冯登国, 肖国镇

1994, 12(4): 368-370.

摘要 ( 312 )

PDF (195KB) ( 80 )

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该文提出了用Hadamard矩阵构造部分二阶相关免疫函数的一种方法。

非线性粘弹性力学边值问题的逐次逼近解法

左谨平

1994, 12(4): 371-378.

摘要 ( 277 )

PDF (456KB) ( 106 )

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该文从非线性粘弹性力学的基本方程出发,运用逐次逼近法,导出逐次边值问题。然后,作为实例,就内表面有规定的位移、外表面无面力的厚壁圆筒,求出其一次解和二次解,从而获得筒内应力场的二级近似公式。最后,将其线性解与非线性解作了数值对比。

半导体PN结光电成像

郭亮, 张仲宁, 张淑仪, 谢云

1994, 12(4): 379-386.

摘要 ( 530 )

PDF (458KB) ( 104 )

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该文描述半导体PN结,在不同偏置电压下,受强度调制光照射时,产生的光生电压的测量结果,并对PN结进行了静态(非工作状态)和动态(外加工作电压)光电成像。从理论上探讨了PN结光电成像的物理机制,得到了PN结光电成像的一般规律,由此为集成电路等半导体器件进行静态或动态光电成像检测及分析提供依据。

光波导型波分复用器及光开关的研究

林志瑗, 徐翊

1994, 12(4): 387-394.

摘要 ( 455 )

PDF (460KB) ( 151 )

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介绍一种新型的具有光开关及波分复用功能的光波导器件,用光束传播法(BPM]分析,计算了它的传输特性。初步实验表明,该器件具有较好的波分复用及光开关性能。

S-GaAs表面键对砷化镓电性能的影响

张桂樯, 蔡颂仪, 朱永强, 曹永明

1994, 12(4): 395-400.

摘要 ( 425 )

PDF (412KB) ( 86 )

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砷化镓表面经硫化钠水溶液处理后,其电学性能得到很好的改善。实验样品的电容电压特性曲线发生变化,势垒电容变大。X射线光电子谱揭示样品表面氧的成分大大减少,砷的结合能由原来的1321.47eV变为1321.00eV,As (2P_3/2)芯能级移位0.47eV。砷化镓表面形成S-As键,改善了表面费米能级的钉札,减少了表面态密度及表面复合中心。

CoSi₂/Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

刘平, 李炳宗, 黄维宁, 姜国宝, 顾志光

1994, 12(4): 401-408.

摘要 ( 373 )

PDF (556KB) ( 85 )

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研究了一种新型自对准硅化物MOS晶体管制备技术,通过Co/Si固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率CoSi₂薄膜,在CoSi₂/Si结构中进行杂质离子注入,用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算,选择适当的注入能量,使注入的杂质浓度峰值位于CoSi₂/Si界面附近,经快速退火,可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型NMOS晶体管。该文还研究了注入在CoSi₂/Si结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化,结果表明,磷在热处理过程中,存在向硅衬底较强的扩散趋势,而硼则明显不同。

QPSK全数字解调算法

刘泓, 陈景新

1994, 12(4): 409-415.

摘要 ( 403 )

PDF (422KB) ( 87 )

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提出了一种新颖的数字信号处理算法,对QPSK信号的相位进行数字化处理,从而实现对QPSK信号的解调,文中还对这种算法的噪声性能进行了分析。该算法允许收发两端载波存在频差,无需用锁相实现收发端载波的同步,该算法的计算机模拟结果表明,它是一种有应用前景的新方法。

喷流换热研究

刘(金监)民

1994, 12(4): 416-422.

摘要 ( 325 )

PDF (393KB) ( 80 )

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应用回归分析方法,对单元性喷流换热研究的实测数据进行数据处理,求得其准则数方程。经验算,其平均相对误差在1.5%以内,可供工程设计应用。

一种用于形状误差测量的采样新方法——自适应采样法

费斌, 范裕健, 徐文雄

1994, 12(4): 423-430.

摘要 ( 395 )

PDF (509KB) ( 85 )

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该文探讨了机械零件几何形状误差测量中的采样问题,提出了一种新的采样方法——自适应采样方法。它不同于目前普遍采用的不能适应被测轮廓形貌特性变化的等间隔采样,而是一种可根据被测工件本身的轮廓特征来确定采样间距的自适应采样方法。它不仅可以在一定意义下准确地采得轮廓特征点,而且能够自动地对测得信息进行职舍、保留并精确得到有用信息。对于自动测量和在线检测,可以大大提高测量的效率、可靠性和计算机运算速度以及评定的精度。该文对于这种自适应采样技术的原理及其在形状误差测量中的应用进行了研究,并给出了此方法在圆度在线测量中的实例。

铸铁孕育机理的探讨

王春生, 严密, 田丽

1994, 12(4): 431-434.

摘要 ( 468 )

PDF (254KB) ( 97 )

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人们普遍接受的硅铁浓度不均匀孕育理论认为^[1]硅铁孕育作用是通过形成局部富硅区和形成以CaS等硫化物为核心,SiO₂为外壳的晶核联合作用来实现的.

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