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1991年 第9卷 第4期    刊出日期：1991-12-31

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论文

硅光伏测量电池的设计原理

安其霖, 史伟民, 施菊园

1991, 9(4):  283-289. 

摘要 ( 464 )   PDF (467KB) ( 116 )  

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讨论了硅光伏测量电池的设计原理.还讨论了掺杂浓度、结深和表面复合速度对光伏电池主要参数(如开路电压、短路电流、反向暗电流和光谱响应)的影响.为了应用的需要,分析了串联电阻和傍漏电阻对线性的影响.最后给出了温度效应的数学模型和典型电路设计与R_sA的关系.

空间调制激光束测量超低速度

孙卫真, 郭继华, 殷纯永

1991, 9(4):  290-296. 

摘要 ( 442 )   PDF (422KB) ( 75 )  

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介绍了一种测量超低速度的激光多普勒测速仪.测量体中条纹的空间位置受到调制得到三组顺序出现的相位差分别为0°,90°,180°的条纹.经过信号处理可方便地去掉近频干扰噪声该仪器可以测量0.3mm/s到0.02μm/s的速度,精度优于2%,文中给出了一个电烙铁在加热过程中伸长量的变化的实测结果.

YIG单晶薄膜在垂直泵下铁磁共振折叠效应和第二级自旋波不稳定性的临界场

张有霆

1991, 9(4):  297-301. 

摘要 ( 473 )   PDF (384KB) ( 71 )  

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YIG单晶薄膜在垂直泵下铁磁共振折叠效应的实验结果已被作者及其同事报道了.该工作是进一步分析这些实验结果和讨论薄膜样品的第二级自旋波不稳定性的临界场.分析结果表明,连续波高功率激发的铁磁共振折叠效应主要是由于样品发热引起的.在脉冲微波功率激发下,当静磁场平行薄膜平面时,铁磁共振不存在明显的折叠效应,但对静磁场垂直于薄膜平面的铁磁共振观察到折叠效应.

高电场下固体电介质中陷阱捕获电子动力学

刘付德, 杨百屯, 屠德民, 刘耀南

1991, 9(4):  302-308. 

摘要 ( 664 )   PDF (484KB) ( 104 )  

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阐述了采用表面电位测试技术研究固体电介质中陷阱捕获电荷载流子的可能性,并利用它分析在高电场作用下电子填充陷阱的动力学特性.根据电场注入载流子机理的不同,作者分别考虑了热发射和碰撞电离脱阱起作用下的一级捕获动力学方程.新的方程能定性地解释在电场作用下介质中陷阱捕获电子的时间特性,该方程的稳态值表示高电场下陷阱捕获电荷量随电场的变化.经实验研究指出,在电场大于1.5×10⁸V/m时,介质中陷阱捕获电子数随电场的增强而迅速下降,这是由于自由电子与陷阱中电子发生碰撞电离脱阱的结果,一旦这种碰撞电离脱阱达到一定程度时,介质便发生电击穿.

轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性

郑庆平, 章倩苓, 阮刚, 陈晓

1991, 9(4):  309-314. 

摘要 ( 2238 )   PDF (977KB) ( 512 )  

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对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.

金属-绝缘层-半导体结构泊松方程的数值解法

吴应前

1991, 9(4):  315-322. 

摘要 ( 705 )   PDF (533KB) ( 162 )  

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详细讨论了金属-绝缘层-半导体结构一维泊松方程的数值解法.推导了非均匀结点下的牛顿迭代公式.提出了边界条件的恰当形式.作为具体应用的实例,由热氧化MOS结构的高频C-V测量曲线进行了数值计算,获得了Ψ_s-V_G关系及界面陷阱密度分布.将这种方法与常用的准静态C-V法作了实验比较,两者的结果符合良好.但前者在制样、测量方面都比后者简单得多,故适合作为工艺监测的常规手段.

模式识别——线性规划调优法应用于F-53调聚剂合成反应

徐驰, 张钟, 陆锦忠

1991, 9(4):  323-328. 

摘要 ( 487 )   PDF (390KB) ( 95 )  

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将模式识别和线性规划相结合,对F-53调聚剂合成反应的物料配比、工艺参数进行优化:以多维空间图形处理技术得出的判别方程作目标函数,可以确定各参数的优化方向和最佳组合.调优后调聚剂的得率由43%提高到57.6%,且该方法对降低原料单耗、产品成本都具有很大潜力.

Bi³⁺和EU³⁺在Li_0.3MeAl_0.3-x-ySiO₃中的发光

李彬, 田一光, 白玉白

1991, 9(4):  329-334. 

摘要 ( 478 )   PDF (397KB) ( 69 )  

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该文介绍以Eu³⁺和Bi³⁺离子为掺杂剂,以Li_0.3Me_0.4Al_0.3SiO₃为基质(Me=Mg,Ca,Sr,Ba),用高温固相反应合成了含不同碱土金属,不同掺杂种类的硅铝酸盐系列发光体.激发光谱和发射光谱研究结果表明,在该体系中Bi³⁺对Eu³⁺具有较好的敏化作用,促进了Eu³⁺的特征发光.基质中不同的碱土金属离子对Bi³⁺和Eu³⁺的发光特性和Bi³⁺对Eu³⁺的敏化作用具有明显的影响。当Me=Sr时,激发Bi³⁺所得到的Eu³⁺发光以612nm红光为主,并且相对强度较高.在相同激发条件下(395nm),Li_0.3BaAl_0.3SiO₃:Eu的发射强度是Y (V,P) O₄:Eu³⁺的2倍.这表明Li_0.3BaAl_0.3SiO₃是很适合于Eu³⁺激活的基质材料.

聚合物材料老化的随机过程模型

石柘, 金荣福

1991, 9(4):  335-340. 

摘要 ( 475 )   PDF (400KB) ( 120 )  

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根据聚合物材料老化一般规律,用随机过程方法,得到描述老化过程的数学模型与寿命概率分布函数.并进一步讨论了聚合物材料由于老化引起的失效及进行可靠性分析的方法.

用正电子湮没寿命谱学法研究“浸泡”工艺对Nd:YAP晶棒质量影响

史子康

1991, 9(4):  341-346. 

摘要 ( 454 )   PDF (420KB) ( 111 )  

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报道用正电子湮没寿命谱学法研究在引上法生长Nd:YAP单晶中引入的"浸泡"工艺对晶体质量的影响,证实了"浸泡"工艺可以改善晶体质量.

可控硅温度控制系统的控温精度研究

路治平, 薛志麟

1991, 9(4):  347-353. 

摘要 ( 637 )   PDF (442KB) ( 88 )  

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研究了小滞后情况下可控硅控温系统中干扰对炉温波动的影响,导出了炉温波动的数学表达式,分析了炉温波动与系统参数间的关系,并与实验结果进行了比较,为进一步提高系统的控温精度提供了理论依据.

一个分布型排序算法研究——子域映射法

杨宪泽

1991, 9(4):  354-358. 

摘要 ( 478 )   PDF (318KB) ( 83 )  

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提出了一个新的排序算法——子域映射快速排序法.该算法亦属分布型排序算法,在文献[5]基础上修改.这一算法考虑了关键字的分布,不实施反复比较和交换两种操作,而解决关键字长、数据分布不均带来的问题.理论分析和实验结果表明,该算法效率高,通常情况下优于Hoare快速排序法,适宜大型信息排序.

模糊数学在土壤质量评价中的应用

万存绪, 张效勇

1991, 9(4):  359-365. 

摘要 ( 529 )   PDF (382KB) ( 129 )  

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利用FUZZY聚类分析方法,对黄土高原地区不同土属的土壤资源样品,按照其主要理化性状指标进行了分类;在此基础上,用二阶FUZZY综合评判方法对其质量优劣进行了评判排队(均通过微机进行计算处理),结果表明,模糊数学方法在土壤定量化研究中是一种较理想的新手段,基本切合土壤的实际,可为土壤资源的合理开发利用提供一定的科学依据.

研究简报

常温气敏元件的研究及其应用

李文范, 刘秀英

1991, 9(4):  366-370. 

摘要 ( 446 )   PDF (269KB) ( 67 )  

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气敏元件不但在煤炭、石油、化工、电力等工业部门有着广泛应用,而且在民用上也日趋增加,如宾馆、饭店、家庭等。但是,目前应用的气敏元件基本上都是加热元件,常温元件很少有报道^[1]。常温元件与加热元件比,它的突出特点是不需要加热,因此带来一系列优点,如工艺结构简单、功耗低、成本低、灵敏、稳定、安装使用方便、减少引起火灾的不安全因素等。