应用科学学报

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1. 自由孔口应力集中及深切口应力奇性的有限变形分析

欧阳鬯, 唐国安

应用科学学报 1985, 3 (1): 1-5.

摘要（369）

PDF（pc）（310KB）（75）

本文运用增量分析方法,得到了含椭圆孔及抛物线孔的无限弹性平板的有限变形应力表达式.新的应力表达式是载荷、孔口形状及材料性质的函数.特别还分析了深切口根部的应力奇性,发现它可以与线性断裂力学的应力强度因子相联系,但应力奇性改变为αln 1/√ρ,ρ为切口根部的曲率半径,α为与材料有关的常数.新的结果还解释了平面应力和平面应变问题的区别.

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2. 强耦合压电晶体中激子的基态能量

顾世洧, 周玉魁

应用科学学报 1985, 3 (1): 6-12.

摘要（399）

PDF（pc）（412KB）（69）

本文研究压电晶体中强耦合激子的性质.采用线性组合算符和一种简单的幺正变换,得到了强耦合情形的压电激子基态的有效哈密顿量,激子的自能表示为耦合参数α的降幂级数,其首项为一次项.电子-空穴间通过声子作用诱生的作用势与耦合参数、声速等有关.

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3. 压电陶瓷的性能老化与换能器性能的衰退

黄丹妮, 王志超, 周新民, 张仲猷, 王鸿

应用科学学报 1985, 3 (1): 13-19.

摘要（1269）

PDF（pc）（1185KB）（242）

本文以编号为Fe1.5的发射型压电陶瓷材料为对象,采用标准试样和某种规格的压电振子,分别实验考察在不同温度(室温,60℃和100℃),压力(30kg/cm²)以及电功率密度(0.3W/cm³·KC和0.5W/cm³·KC)作用下,压电陶瓷材料和换能器性能随时间对数的变化.实验结果表明,导致压电陶瓷机电耦合系数和介电常数的老化原因不尽相同.在0.3W/cm³·KC电功率作用下陶瓷元件的老化行为与单一因素作用下的变化规律不同,机电耦合系数和介电常数稍有上升.看来这与发射型材料自身的内偏置电场有关.
我们认为,在给定的应力、温度和电功率的综合作用下,压电陶瓷性能的劣化并不严重,它不会引起压电陶瓷换能器性能的衰退.适当的温度处理有助于压电陶瓷材料和换能器性能的稳定.

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4. 光波导的微观量子理论

孙弘, 庞乾骏, 方俊鑫

应用科学学报 1985, 3 (1): 20-28.

摘要（390）

PDF（pc）（589KB）（121）

本文以平面晶态波导结构中Frenkel激子为模型,建立光波导的微观量子理论.

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5. 测量短拍长及具有不均匀性的单模光纤双折射的新方法

黄上元, 林宗琦

应用科学学报 1985, 3 (1): 29-37.

摘要（347）

PDF（pc）（559KB）（57）

本文提出了一个根据输出光偏振椭圆度随光纤扭曲率的变化曲线上中心第一个峰点及其一个相邻谷点位置来求取光纤双折射的公式,讨论了具有非均匀双折射的光纤所对应的曲线的畸变.测试中采用一种新的消光法,使测量过程简单可靠.

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6. 掺硅的砷化镓体晶体的若干特性

莫培根

应用科学学报 1985, 3 (1): 38-45.

摘要（595）

PDF（pc）（583KB）（175）

近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作^[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.

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7. N-CdTe薄膜电极液结太阳电池的光电化学性质

邓薰南, 庞仁德, 甘绍新

应用科学学报 1985, 3 (1): 46-51.

摘要（273）

PDF（pc）（412KB）（109）

本文报道了由N-CdTe薄膜电极构成的液结太阳电池的基本光电化学性质.电池可表示为:
N-CdTe/1MNa₂S、1M NaOH、1MS/C
测量了电池的电流-电压、电流-电极电位曲线,确定了光强与光电压、光电流、转换效率的关系.在60mW/cm²光强下,电池的能量转换效率为1~2%.电极的禁带宽度为1.43eV,借微分电容及最大光电位的测定得到平带电位为-1.1~-1.2V (VS·SCE).此外,还试验了对电极与电解液对转换效率的影响.

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8. 用电导深能级谱检测砷化镓肖特基栅场效应晶体管中的深能级中心

盛篪, 詹千宝

应用科学学报 1985, 3 (1): 52-56.

摘要（315）

PDF（pc）（242KB）（73）

用电导法检测了砷化镓肖特基场效应管中的深能级中心,测试样品有外延材料及全离子注入两种.#br#实验结果表明在所有的场效应管中都存在有E_V+0.91eV及E_V+0.52eV两个深能级中心.前者是铬产生的能级.在噪声很大的全离子注入场效应管中还发现有E_V十0.71eV能级.在一些噪声大的外延场效应管及性能已退化的场效应管的深能级瞬态谱上还有一很宽的大幅度的带,相应能级位置约在E_V十0.12eV到E_V十0.5eV之间.这可能是由界面态所引起的.测试表明全离子注入法制造的场效应管中的缺陷可少到最好的外延材料制造的场效应管水平.

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9. 加权滤波分析

张荣欣

应用科学学报 1985, 3 (1): 57-64.

摘要（326）

PDF（pc）（513KB）（60）

本文对文[3]、[4]使用的权序列进行了若干具体分析,并提出使用一种权函数序列来进行加权滤波.这样,就有可能按照某些指标或综合指标的优化来选取权序列,在一定程度上避免了盲目性或有利于进一步讨论.

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10. X线粉末衍射花样检索/匹配程序的改进

林天辉, 张赛珠, 陈丽君, 蔡新兴

应用科学学报 1985, 3 (1): 65-73.

摘要（292）

PDF（pc）（666KB）（67）

用Fortran-IV语言编写了X线粉末衍射花样的电子计算机检索/匹配程序;建立了供检索用的数据库;对几十组数据进行了试检索.所有存在相基本上没有漏检,误检较少.与目前常用的程序相比,本程序有两点改进:(1)在检索阶段,由于引入了物质类型判据和三强线判据,从而大大减少了误检;(2)在强度分配方面,根据最小二乘法原理提出了一种新方法,这种方法比目前流行的Frevel法给出更合理的分配结果,有助于对检出相作进一步判别.

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11. 聚芳砜与环氧树脂嵌段共聚合的研究

丁有骏, 雷玉清, 王新荣

应用科学学报 1985, 3 (1): 74-81.

摘要（374）

PDF（pc）（490KB）（85）

由羟基末端基聚砜或聚醚砜与环氧树脂反应制得了聚砜(或聚醚砜)-环氧树脂嵌段共聚物.
嵌段共聚物对铁、铜、铝等金属具有良好的粘性性能.

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12. 聚焦法非破坏性测试光纤和预制棒的折射率分布

许国大, 张召南, 侯元庆

应用科学学报 1985, 3 (1): 82-87.

摘要（375）

PDF（pc）（1053KB）（109）

聚焦法是一种较为简单而通用的测试光纤和预制棒折射率分布的方法.参考Marcuse等工作^[1~3],组成本文的测试系统,具有一定特色.对多模、单模样品均进行了实测,取得了较满意的结果.

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13. 单模光纤的测量

黄肇明, 姚寿铨, 张谷璠

应用科学学报 1985, 3 (1): 88-91.

摘要（437）

PDF（pc）（1827KB）（63）

本项研究完成了在短波长(0.82μm)处测量单模光纤的工作.长波长单模光纤在短波长处工作,存在单模色散与模间时延两种色散.本工作以频域与时域两方法完成了这两类色散的分离.测量结果表明,频域法与时域法基本一致.在0.82μm处的单模色散在85~130ps/km·nm之间.

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14. 边界元素法对自由边界问题的应用

郑家栋

应用科学学报 1985, 3 (1): 92-94.

摘要（418）

PDF（pc）（170KB）（86）

设在两水库间有一土坝Ω(图l),坝基AB是不透水的,自由边界FD是待定的(D称为出渗点),在边界CD上存在渗流,我们要确定自由面FD及流体势函数u使满足Laplace方程.

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15. 超模式概念及应用

黄宏嘉

应用科学学报 1985, 3 (2): 95-99.

摘要（569）

PDF（pc）（311KB）（145）

在场展开问题中,引入超模式的概念,作为已熟知的理想模式和本地模式的有用补充.对于光波导传输特性的研究,审慎地选择展开场的模式(理想模式、本地模式、超模式),将有助于理论分析并使问题简化,本文用若干实例来说明这个基本的、但看来尚未被足够注意的观点.

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16. 平面波导系统的量子电动力学模型理论——非空间色散介质

郑杭, 方俊鑫

应用科学学报 1985, 3 (2): 100-107.

摘要（341）

PDF（pc）（507KB）（119）

本文对平面波导与电磁场相互作用系统引进一个量子电动力学模型,应用线性响应理论讨论该系统对外来电磁扰动的响应,证明这种响应完全由相互作用系统的本征元激发——导波耦会场量子(Guided-Wave Polariton)——的物理性质所决定.本文的理论方法可用来讨论平面波导系统对电磁波的传输,透射,反射,散射,吸收以及外加电、声、磁扰动的传播等问题.

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17. 双曲型系统二次判据边界控制的闭环最优解

尤云程

应用科学学报 1985, 3 (2): 108-113.

摘要（297）

PDF（pc）（342KB）（71）

本文对Dirichlet型、Neumann型及混合型边界控制双曲型系统的Mild解关于二次判据的最优问题证明了闭环综合的结果.反馈算子由线性Fredholm型算子积分方程的解刻划.

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18. 论中文的电脑分词

王永成

应用科学学报 1985, 3 (2): 114-119.

摘要（425）

PDF（pc）（429KB）（75）

用电脑处理中文信息,在中文的电脑输入与输出难题基本解决之后,遇到的再一个难题就是中文的自动切分问题.本文从分析中文的特点出发,首先论证了不可能彻底解决这个问题,然后综合国内已提出的方案,提出了一个新的自动分词方案.

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19. 三个特殊递推方程的解法

朱洪, 段振华, 安家鹏

应用科学学报 1985, 3 (2): 120-127.

摘要（368）

PDF（pc）（408KB）（59）

本文分别用调和级数,二叉树结构和杨辉三角形分析三类递推方程,得出解的一般形式.这些递推方程和它们的解法在计算机科学中有实际的应用.

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20. 测光纤预制棒折率射分布的光束偏折法的改进

廖延彪, 田芊, 吴庚生

应用科学学报 1985, 3 (2): 128-132.

摘要（362）

PDF（pc）（276KB）（68）

本文报道了一种改进的光束偏折法(非破坏性测量光纤预制棒折射率分布的方法).从准确匹配浸油改为近似匹配浸油,同时减小了入射光束的直径.实验表明此法结果可靠,节省时间,分辨率亦有所提高.

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21. 激光器输出频宽公式的修正

严祖祺

应用科学学报 1985, 3 (2): 133-136.

摘要（376）

PDF（pc）（286KB）（46）

在参考文献[1]中,作者曾针对激光器内光强分布的横向不均匀性,讨论了腔内相干光净损耗功率、贮能和激光频宽的计算方法.本文将把这种讨论推广到腔内光强的横向和纵向分布都不均匀的普遍情况,并修正了Townes、Maitland等人所引证的激光器输出频宽公式.最后,以圆柱形单模激光器为例,估算了由于光强分布的不均匀性所引起的频宽的相对修正值.

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22. 立方晶系任意取向晶面上的铁磁共振

何钰泉

应用科学学报 1985, 3 (2): 137-142.

摘要（493）

PDF（pc）（390KB）（100）

本文研讨具有立方对称性的磁各向异性单晶铁氧体铁磁共振关系,对单畴球形样品作出了仔细的分析.采用包含一阶和二阶立方各向异性贡献的总自由能表达式,导出一般铁磁共振公式.严格地考虑了磁化强度平衡方向和外加恒磁场方向之间的偏离,将原有的铁磁共振理论推广到处理恒磁场相对干晶轴作任意取向的情况.将理论应用到一些实例,所得结果与实验数据符合得很好.基于此法,由任意晶面上的铁磁共振测量,可以计算出材料的立方各向异性常数和有效旋磁比.

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23. 铁氧体加载波导环行结的三维场理论

宋银锁

应用科学学报 1985, 3 (2): 143-154.

摘要（357）

PDF（pc）（683KB）（62）

本文推广Copplestone^[1]的方法,分析了铁氧体加载的H面波导环行结,并对各区域电磁场求解、匹配.借助于结的本征值,将结的内部问题转化为结的散射矩阵,从而建立了铁氧体加载的H面波导环行结的三维场理论.对于g=3的情况,数字计算和实验结果是吻合的.

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24. 测定金属-半导体接触电阻的一种方法

武蕴忠, 孙承龙

应用科学学报 1985, 3 (2): 155-160.

摘要（465）

PDF（pc）（401KB）（133）

根据环形电极点辐射传输线模型,导出金属-半导体接触电阻对扩展电阻、探针与金属薄膜之间的接触电阻、电压和电流的定量关系.设计出一个用四探针方法测定金属-半导体接触电阻的新方案.精确测定了金属-半导体的接触电阻.讨论了金属-半导体接触电阻测量值的误差来源.

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25. 砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究

杨新民, 王渭源, 王文骐

应用科学学报 1985, 3 (2): 161-168.

摘要（395）

PDF（pc）（1286KB）（61）

本文采用中频衰减法和微带测试电路.测量了超高频应用的低噪声GaAs双栅肖特基势垒栅场效应晶体管(以下简称GaAS双栅MESFET)的最小噪声系数NF_min、相应功率增益G_a和增益控制量G_R,借助网络分析仪测量了S参数.测试表明,1GHz下最佳噪声系数NF₀为0.8dB,而G_a、G_R可达11.5dB和48dB,在0.5~2GHz频带内,器件处于稳定工作状态.

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26. Y-Gd-Ca-V-InIG系的磁性和穆斯堡尔效应的研究

张泮霖, 凌启芬, 郭淑娇, 李国栋, 张药西, 张力

应用科学学报 1985, 3 (2): 169-175.

摘要（404）

PDF（pc）（434KB）（58）

本文实验研究了Y_1.2Gd_1.2Ca_0.6V_0.3In_xFe_4.7-xO₁₂(x=0,0.2,0.4,0.6和0.8)的磁性、铁磁共振和穆斯堡尔效应,并用Néel,Gilleo和Dionne理论分别计算了材料的饱和磁矩和居里点,结果表明实验与Gilleo理论(居里点)和Dionne理论(饱和磁矩)符合较好.由唯象理论讨论了铁磁共振线宽在3.6~17GHz频段内随频率呈线性增加的实验结果.由顺磁穆斯堡尔谱间接确定了V⁵⁺和In³⁺离子在四面体(d)和八面体(a)晶位的占位.

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27. 一个非线性色散方程孤波解的性质

徐宝智

应用科学学报 1985, 3 (2): 176-180.

摘要（358）

PDF（pc）（250KB）（74）

大家知道具有松弛效应非均匀介质中的KDV方程为
u_t+2au+(α+ax)u_x-6uu_x+u_xxx=0(1.1)

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28. 棱镜耦合器的输入耦合效率与入射波传播常数的关系

李玉善, 金锋, 林盛强

应用科学学报 1985, 3 (2): 181-183.

摘要（345）

PDF（pc）（185KB）（99）

在集成光学实验中,为了正确地使用棱镜耦合器,有必要研究输入耦合效率η与入射波传播常数β_i的关系.

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29. 78K红外吸收法测定硅中氧含量

李月珍, 沈金媛, 任宁, 王其闵

应用科学学报 1985, 3 (2): 184-185.

摘要（423）

PDF（pc）（136KB）（80）

硅中氧含量的测定是评价硅单晶质量的重要参数之一.用外红吸收法测定硅单晶中的氧含量已有许多报道^[1~5].我们曾建立了300K 9μm红外吸收法测氧标定曲线[6],低温可提高检测灵敏度^[7~10],因此本工作主要是建立较精确的78K红外测氧标定曲线.

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30. 实地测量8~14μm比辐射率的方法

吕斯骅

应用科学学报 1985, 3 (2): 186-188.

摘要（410）

PDF（pc）（173KB）（43）

机载多光谱扫描仪中常有8~14μm的红外通道,用于测量各种物体的热辐射强度.物体的热辐射强度除与物体的实际温度T有关外还与物体的比辐射率ε有关.物体的组成、表面状态、含水量等各种因素均能影响ε的大小^[1],故实地测量各种地物的ε对解译热红外遥感图象是有意义的.

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31. 极性晶体中的表面激子

顾世洧, 张杰

应用科学学报 1985, 3 (3): 189-193.

摘要（313）

PDF（pc）（299KB）（64）

本文采用线性组合算符和一种简单的幺正变换,导出了表面激子的有效哈密顿量.

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32. 用核四极双共振研究晶体中的缺陷

程光强

应用科学学报 1985, 3 (3): 194-200.

摘要（276）

PDF（pc）（494KB）（70）

循环场技术(Field-Cycling Technique)被成功地用于核四极双共振来测量晶体中的缺陷,大大提高测量的灵敏度,并用来测量Li3N中的缺陷.缺陷的四极能级劈裂和双共振的过程在文中进行了分析.文末对测得的Li₃N的吸收线进行了扼要的讨论.

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33. 极性介质平面波导中的Polariton (横场)

周礼冲, 周小玲, 方俊鑫

应用科学学报 1985, 3 (3): 201-207.

摘要（431）

PDF（pc）（476KB）（98）

本文研究了极性介质平面波导中的Polariton.以氯化铯型离子晶体为例,在紧束缚近似下,仅考虑最近邻导带电子和价带空穴之间的库仑相互作用,证明了在研究光和物质相互作用时,可以把物质系统看作是一系列极化波振子的集合.同时计算了振子强度,并求得了极性介质平面波导导波Polariton的色散关系.我们发现结果与经典的单振子模型有所不同:对于某些能带较宽、电子之间相互作用较弱的介质,微观理论所得导波Polariton的色散曲线簇上部色散曲线之间距离比用经典的单振子模型的计算结果要大.

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34. 圆盘状共面裂纹群问题的数值计算

欧阳鬯, 徐林林

应用科学学报 1985, 3 (3): 208-216.

摘要（383）

PDF（pc）（508KB）（85）

本文对于含有圆盘状共面裂纹群的无限体提出了一种计算方法.基本思想是首先利用圆盘状单裂纹之解以及局部坐标展开法将裂纹群问题化为求解一组线代数方程.通过求解此线代数方程组,最后获得圆盘状共面裂纹群之解.

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35. 矫直辊倾角调整方法的研究

骆家舜

应用科学学报 1985, 3 (3): 217-222.

摘要（494）

PDF（pc）（349KB）（75）

本文应用圆柱面二次包络的几何特征和曲线间接触阶的理论,给出了矫直辊倾角调整的计算方法.为了方便地应用于生产实际,给出了较佳的调角公式.此外,还给出了被矫直的钢管的实际表面的旋转半径的解析表达式,可用来校验与钢管半径的逼近程度.

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36. 某些抛物型点控系统(n=2,3)的闭环最优解

姚允龙, 尤云程

应用科学学报 1985, 3 (3): 223-232.

摘要（324）

PDF（pc）（594KB）（68）

对二维及三维区域的一些抛物型点控系统二次判据最优问题,本文证明了最优控制的闭环综合,其状态反馈算子可由线性豫解方程或Riccati算子积分方程的解刻划.

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37. 数字系统功能级故障模型及测试产生方法

闵应骅, Stephen Y. H. Su

应用科学学报 1985, 3 (3): 241-248.

摘要（272）

PDF（pc）（532KB）（66）

功能级故障测试由于特大规模集成电路技术的发展而变得越来越重要.和门级的固定为0(s-a-0)或固定为1(s-a-1)故障模型及D-算法相对应,本文对于用寄存器传输语言描述的数字系统,给出一个功能级的故障模型及测试产生的算法.

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38. 厘米波段大气吸收的射电天文测量

袁惠仁, 彭云楼, 薛吟章, 魏双林, 周凤安

应用科学学报 1985, 3 (3): 249-254.

摘要（320）

PDF（pc）（356KB）（74）

本文讨论了在波长为2.5厘米、3.2厘米和7.5厘米时,观测月亮射电辐射测定大气吸收的原理和方法,还对波长为3.2厘米时实测的大气吸收和理论值进行了比较,它们基本吻合.

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39. 自由基照相中光显影研究

郑广霖, 石道钧, 黄晓兰

应用科学学报 1985, 3 (3): 255-261.

摘要（480）

PDF（pc）（481KB）（53）

本文研究了由无色结晶紫(LCV)和CBr₄组成的自由基光敏片的红光显影特性.提出用图像强化系数K_max作为光显影效果定量表征参数,研究了光波长对光显影效果的影响,并对光显影中的诱导期作了解释,认为主要是氧的存在引起的.

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40. 一种提高SOS膜结晶质量的新途径

陈庆贵, 史日华, 蔡希介, 武蕴忠, 孙成龙, 潘尧令

应用科学学报 1985, 3 (3): 262-266.

摘要（356）

PDF（pc）（1125KB）（58）

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.

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1985年，第3卷