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1984年 第2卷 第3期    刊出日期：1984-09-30

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论文

InSb_1-xBi_x的液相外延

孙清, 吴汶海, 邹元爔, 施惠英

1984, 2(3):  189-194. 

摘要 ( 391 )   PDF (415KB) ( 75 )  

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本文采用液相外延方法在InSb衬底上生长InSb_1-xBi_x外延层,初步得出了外延生长条件包括温度,生长速率,熔池组分及衬底取向等与外延层x值的关系.此外,为了使x值达到所希望的适当范围,进行了InSb_1-xBi_x电外延的初步试验.

在600℃封闭系统中Hg_0.8Cd_0.2Te的热处理

夏义本, 曹泽淳, 汤定元

1984, 2(3):  195-202. 

摘要 ( 456 )   PDF (546KB) ( 69 )  

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采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg_0.8Cd_0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法^[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg_0.8Cd_0.2Te中汞空位扩散系数D_L为2×10⁵微米²/小时左右;汞空位最终浓度L_f与汞压成反比,其比例常数(K_F)/K_i为5×10¹⁹·厘米^-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右.

棱镜-波导耦合M线光谱的新阐释

赖祖猷, 方俊鑫

1984, 2(3):  203-209. 

摘要 ( 598 )   PDF (1234KB) ( 115 )  

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本文考虑了棱镜-波导耦合下M线的形成.从波导反馈回棱镜的能量构成了一束平行反射光.这束平行光的直边衍射花纹与光斑本底叠加的结果在观察屏上形成为通常所称的M线.

波导型变容管电调固态源的分析和实验结果

李英, 周南山

1984, 2(3):  210-220. 

摘要 ( 389 )   PDF (1315KB) ( 67 )  

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本文阐述全高波导双柱结构的X波段变容管电调固态源的设计和实验结果.设计分析建立在波导柱结构的等效耦合网络基础上,该耦合网络的网络参数同几何结构尺寸和频率的关系由矩形波导的并矢Green函数导出.
已研制成连续电调带宽达1000MHz,输出功率达100mW,带内功率起伏小于1dB的X波段电调固态源.此设计方法已推广到类似结构的其他波段的电调固态源.
该固态源已成功地应用于FM-CW雷达、微波散射计、噪声调频干扰信号源、捷变本振源等方面.

腔内布氏角声光反馈的低噪声稳定氦镉激光

蒋家麟, 曾永健, 朱三又, 吕建华, 邱明新

1984, 2(3):  221-226. 

摘要 ( 447 )   PDF (395KB) ( 58 )  

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本文研究了氦镉激光4416Å的噪声和输出功率稳定特性,得到噪声频谱、噪信比与放电电流,工作气压的关系。提出用腔内布氏角插入声光反馈器伺服反馈,抑制氦镉激光噪声和提高功率稳定性的方法,获得满意的实验结果.声光反馈器为厚6mm的熔石英,换能器为铌酸锂,工作频率为40MHz,用Raman-Nath衍射调节腔内损耗.输出35mW经伺服,噪信比由6.3%降为1.5%,2Hz到200kHz噪声幅值都有显著抑制,功率起伏由11.6%降为3.7%,光损耗14%,获得输出30mW大功率低噪声氦镉激光.在最佳放电参数下,可使抑制后噪信比为0.8%.该方案适用更大功率的氦镉激光器.

用比色法测定固定化葡萄糖氧化酶活性的经验公式

华家栋, 张宪康, 杨德荣

1984, 2(3):  227-232. 

摘要 ( 554 )   PDF (410KB) ( 68 )  

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用包埋法得到的固定化葡萄糖氧化酶,我们发现很难找到一个合适的体系,可用比色法从初速度测定它的活性.提出了一个模拟体系,并得到了该体系的吸收光密度与活性的校正曲线,以解析式A=A₀(1-e^-β[E])表示之.式中A为吸收光密度,[E]为葡萄糖氧化酶浓度(活性单位/毫升),A₀和β在给定体系下为常数.测得固定化葡萄糖氧化酶在该体系下的A值,便可从该式计算它的活性.

组合电路中短路故障和固定型故障的测试

徐拾义, STEPHEN Y. H. SU

1984, 2(3):  233-240. 

摘要 ( 547 )   PDF (533KB) ( 67 )  

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本文主要研究数字电路输入和输出端之间的反馈短路故障(feedback bridging fault,简称FBF)及其测试方法.利用一个新的时序机模型提出了一个带有反馈短路故障电路产生振荡或变成一个稳定异步时序电路的充分必要条件.证明了在任何组合电路中,只需两个测试码便能测试出所有可能的初级输入与输出端之间的短路故障.其次,证明了检测固定型故障的测试码(集)也能检测反馈短路故障。同时提出了一个产生完全测试集的方法,它可以同时测试无扇出(fan-out free)电路中的固定型和短路型故障.

干燥HCl对热氧化生长SiO₂的影响

陆德仁

1984, 2(3):  241-246. 

摘要 ( 547 )   PDF (353KB) ( 70 )  

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采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×10¹⁰陷阱/厘米²-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×10¹³离子/厘米²)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因.

离子注入拉通雪崩光电二极管的电场模型

王德宁, 胡维央, 水海龙

1984, 2(3):  247-252. 

摘要 ( 566 )   PDF (396KB) ( 116 )  

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应用离子注入技术制作n+-p-π-p⁺拉通型雪崩光电二极管时(Si-RAPD),可以用高斯型杂质分布模型求得到它的电场模型.找到了倍增因子M与电压间关系,详细讨论了电场强度E对击穿电压V_B,耗尽层宽度W和有效离化率比值k_eff等影响.计算值与实测值符合较好.应用本模型,对Si-RAPD进行最佳设计是十分方便的.

半导体材料切割表面损伤的电镜研究

陆一宁, 顾淑湘

1984, 2(3):  253-259. 

摘要 ( 453 )   PDF (2792KB) ( 81 )  

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利用高能反射电子衍射技术(RHEED),研究了硅、锑化铟、碲镉汞样品逐次化学腐蚀后的切割表面损伤.研究表明,在相同的切割条件下,损伤层的深度与被切割的材料有关;损伤层的晶体结构随损伤层的深度而变化;相同的材料在不同的切割条件下表层的损伤程度不同.我们认为,近完整晶体的切割损伤层是由多晶层、嵌镶结构层和畸变层组成.

用电子束感生电压技术检测锑化铟红外探测器

陈伯良, 俞锦陛, 丁素珍, 王行丰

1984, 2(3):  260-266. 

摘要 ( 529 )   PDF (2840KB) ( 67 )  

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在DX-3A扫描电子显微镜上加上了低温样品架,在83K用电子束惑生电压技术(EBIV)检测了锑化铟光生伏特型红外探测器的若干性能.探测器的EBIV像可清楚地显示出光敏面扩大的程度及多元探测器中各敏感元之间的隔离不完善性.光敏面上缺陷引起的响应不均匀性也可灵敏地检测出来.对于具有腐蚀台阶的台面型探测器,从EBIV分布曲线可估计出p-n结的深度.

用低温光致发光研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的杂质和缺陷

王绍渤, 吴瑞娣, 薛忠发

1984, 2(3):  267-273. 

摘要 ( 490 )   PDF (428KB) ( 81 )  

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我们对N-GaAs和N-InP单晶及外延层在4.2K和77K下测定了光致发光谱,并用C-V法测定了电学参数,确定了未掺GaAs中的受主杂质主要是C和Si.通过室温离子注入Si和退火处理,证明了GaAs中1.403eV光谱峰与Si及砷空位V_As有关,结合化学及离子微探针分析结果,对未掺InP晶体光谱曲线研究指出,~1.38eV光谱峰是C受主引起的,而1.08和~1.2eV峰分别与磷空位V_p及铟空位V_In有关.

二氟一氯甲烷的激光裂解

穆国融, 李长林

1984, 2(3):  274-276. 

摘要 ( 556 )   PDF (164KB) ( 71 )  

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从CF₂HCl裂解制备C₂F₄已有很久历史.七十年代以来不少作者从热分解^[1]、分子束技术^[2]、以及多光子解离^[3~7]等方面对反应机理作了详尽的研究.本文利用连续CO₂激光为热源,研究了CF₂HCl的非均相反应机理.

发可见光的掺氮砷化镓

周继程, 沈德新, 乔墉, 徐晨梅, 翁渝民

1984, 2(3):  277-279. 

摘要 ( 438 )   PDF (968KB) ( 84 )  

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鉴于氮在磷砷化镓中能形成等电子陷阱,人们曾希望向砷化镓掺氮并研究其有关特性,但均未获成功^[1~3]。主要困难是,即使用离子注入技术向砷化镓注¹⁴N⁺,但退火后的结果表明,氮的特征峰已不复存在。

SI-GaAs光电导和光霍尔特性研究

钟金权, 谭丽芳, 廖丽英, 汪乐, 陈正秀

1984, 2(3):  280-282. 

摘要 ( 451 )   PDF (194KB) ( 53 )  

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研制了一套半绝缘半导体光电导率(PC)和光霍尔特性(PH)测试系统。应用该系统测量了多种类型SI-GaAs体单晶室温和77K的光电导特性及典型样品的室温光霍尔特性,对获得的谱线特征从Cr和O能级的角度作了分析讨论。