应用科学学报

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1. As₂⁺注入硅的辐射损伤和退火行为研究

林成鲁, 方子韦, 邢昆山, 倪如山, 邹世昌

应用科学学报 1990, 8 (1): 1-5.

摘要（366）

PDF（pc）（1333KB）（104）

本文研究了500keV As₂⁺和250keV As⁺注入单晶硅引起的辐射损伤及其退火行为.结果表明,As₂⁺注入比As⁺注入在硅中引入更大的辐射损伤;经快速热退火后,两类注入样品均能消除损伤,获得高的杂质替位率和电激活率;As₂⁺和As⁺注入样品的载流子浓度的分布有所不同,这是由于As₂⁺注入引入较大辐射损伤引起杂质的快速扩散所致.

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2. 邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶电学性能研究

梁桂金, 史子康, 王丽青, 林一德, 杨桐琴, 郑秀沁

应用科学学报 1990, 8 (1): 6-12.

摘要（355）

PDF（pc）（474KB）（84）

邻苯二甲酸氢铷单晶是一种有机极性离子型晶体.本文介绍了它的介电、直流电导、P-E曲线、光透过率等有关性能的实验研究,并根据晶体结构特点给予定性解释.

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3. 部分高度E面膜片不连续性及其在毫米波滤波器中的应用

戎敖生

应用科学学报 1990, 8 (1): 13-18.

摘要（272）

PDF（pc）（386KB）（74）

本文提出了部分高度E面膜片不连续性的一个有效分析方法,得到了工程上实用的不连续性等效电路参量曲线,基于这些曲线,首次实现了由部分高度E面膜片构成的Ka波段带通滤波器,实验结果表明:该滤波器具有较好的带外特性.

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4. 一种GP参数优化的有效方法

郝跃

应用科学学报 1990, 8 (1): 19-24.

摘要（502）

PDF（pc）（383KB）（70）

本文提出了一种双极集成电路GP模型参数优化的有效方法.该算法对GP模型迭代方程的参数和节点电压初值的要求大为降低,同时代替非线性方程的求解,以确定本征结电压的多次迭代过程.另外,对优化过程中所采用的简单变换处理箱型约束的方法进行了分析,确定所存在问题并在优化过程中采用了Watchdog方法使这类约束问题得到方便地解决.实验表明,这些处理对GP参数的优化是极为有效的.

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5. 极大前缀码的性质及其计数

杨耀池, 邱伟德

应用科学学报 1990, 8 (1): 25-30.

摘要（430）

PDF（pc）（384KB）（98）

本文提出和证明极大前缀码的性质,证明了全体极大前缀码在语言连接运算下构成自由么半群.对有限极大前缀码的个数给出选推式:G_m表示所有最大字长不超过m的极大前缀码的个数,有G_m=1+G_m-1ⁿ,其中n是字母表X的字母个数.

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6. 弹性轴上动态转矩的估计问题

吴宏泽

应用科学学报 1990, 8 (1): 31-35.

摘要（385）

PDF（pc）（355KB）（72）

本文用拉格朗日方程导出弹性轴的旋转运动方程并阐述了静态、稳态和动态转矩概念的区别,且用参数辨识方法估计弹性轴上各等效参数,最后给出动态转矩的最优估计.

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7. 哈密顿平面图的一个判定算法

胡美琛

应用科学学报 1990, 8 (1): 36-40.

摘要（645）

PDF（pc）（342KB）（91）

图的平面性判定算法是相当复杂的.本文介绍哈密顿图的一个简单的判定算法,有关图的平面性判定方面的研究可见参考文献.

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8. LSI布线设计中的最优树算法研究

谢国平, 姚林声

应用科学学报 1990, 8 (1): 41-46.

摘要（385）

PDF（pc）（339KB）（65）

本文讨论了在集成电路的布线设计中所碰到的求无向完全图的最优生成树问题,提出了一种求最优树的上三角阵算法(简称M-算法).描述了支持这种算法的数据结构.对完全图G(n,e),M-算法的计算复杂性是O (n³),空间复杂性是O (n²),在相同的空间复杂性条件下,比直接用Kruskal算法要优越.

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9. 新型高速CMOS逻辑电路系列74AC之研究

许康, 刘远华, 朱荣锦, 周炘祥, 郑养鉥, 徐元森

应用科学学报 1990, 8 (1): 47-54.

摘要（597）

PDF（pc）（1434KB）（72）

采用最新CMOS VLSI技术研制成了新一代高速逻辑电路——2μm硅栅CMOS逻辑74AC系列,其运行速度、最高频率和负载能力均达到甚至超过先进的第三代TTL系列74ALS,而仍保持CMOS IC的基本优点.本文介绍其设计、制造和主要特性,分析、讨论它同其它电路系列,特别是和74ALS的异同及其发展前景.用它采取代74ALS,不仅可大大降低系统的总功耗,且将开辟用现今的74ALS、LS或74HC无法实现的新的应用领域.它的发展潜力还相当大.

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10. α-FeOOH的脱水温度与α-Fe₂O₃结构变化间关系的X射线衍射研究

陈济舟, 蒋世承, 王加林, 王俊桥

应用科学学报 1990, 8 (1): 55-60.

摘要（579）

PDF（pc）（1421KB）（90）

针铁矿脱水得到赤铁矿,后者的X射线衍射图上,有两组显著不同的衍射线:一组是比较尖锐的,它的宽度变化主要依赖于相变过程中氧离子的重排;另一组是宽散的,它的宽度变化和相变过程中铁离子的迁移重排有关.本文详细研究了这两组衍射线的βcosθ/λ~sinθ/λ曲线,讨论了由它得出的平均晶粒大小D和点阵畸变|(Δd)/d|.在数据处理中本文提出两个拟合公式以替代Jones的校正曲线.
此外,在电镜照片中发现250℃脱水产物的表面出现S形裂缝.作者从针铁矿的结构对此现象进行了讨论.

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11. 高导磁镍铁钼镀层的穆斯堡尔谱研究

孟庆钢, 常汝勤, 金慧娟, 许桂琴, 冯力群

应用科学学报 1990, 8 (1): 61-66.

摘要（340）

PDF（pc）（388KB）（68）

用穆斯堡尔谱对镍铁钼电镀层的磁织构进行了研究.给出了样品存在低内场分量的情况下,定量测量铁原子磁矩取向的实验和计算方法.

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12. 用热重-差热方法同时分析研究γ-Fe₂O₃磁粉热处理过程

崔保义, 杨志军, 姚堪怡

应用科学学报 1990, 8 (1): 67-75.

摘要（351）

PDF（pc）（3566KB）（84）

由α-FeOOH通过热处理过程,经过脱水,还原,氧化三步,转变成γ-Fe₂O₃掌握适当的热处理方法,可以获得孔洞少、密度高、性能良好的γ-Fe₂O₃及其包复性磁粉.为了获得可靠的热处理技术,了解过程的理论机制,本文采用热重和差热同时分析,从能量角度对热处理过程中相变条件及封孔密实机制进行初步探讨.

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13. 控制铁黄(α-FeOOH)长度的方法研究——分散剂对α-FeOOH生成的影响

关有生, 金鑫, 朱(音页)音, 王纲, 曲建荧, (赤力)力, 马四元

应用科学学报 1990, 8 (1): 76-80.

摘要（472）

PDF（pc）（2239KB）（86）

由α-FeOOH出发制备γ-Fe₂O₃磁粉,要经过脱水、还原、氧化等步骤.现有的研究已经指出,α-FeOOH的结晶性质在γ-Fe₂O₃中得到继承.而且,磁粉的性质与粒子的结晶性质有很大关系.因此,对铁黄制备过程中影响因素的研究一直受到人们广泛的重视^[1~3].

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14. 用椭圆高斯场近似计算领结型光纤的模场半径及接头损耗

何之健

应用科学学报 1990, 8 (1): 81-84.

摘要（408）

PDF（pc）（224KB）（71）

本文用椭圆高斯场及标量变分原理计算领结型光纤的模斑.由于用了椭圆高斯近似,不仅使模斑计算变得简便而且方便地导出了领结型光纤各种接头损耗与模斑的解析关系.

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15. 医用光纤温度传感器——微波治癌测温仪

沈忠尧, 曾小东, 过已吉

应用科学学报 1990, 8 (1): 85-87.

摘要（379）

PDF（pc）（191KB）（96）

微波辐射加温治癌是一种重要的治癌技术,微波辐射治癌的关键之一是测温技术.现有的几种温度计都受微波辐射干扰,测温时必须停止微波辐射,直接影响到微波辐射加温治癌的应用和治疗效果.

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16. 分段坐标旋转光滑样条方法的原理及应用

王少平, 姜培正, 谷传纲, 苗永森

应用科学学报 1990, 8 (1): 88-90.

摘要（422）

PDF（pc）（200KB）（79）

本文将所要求解的曲线分段处理.根据各段挠度的不同.采取不同的坐标旋转,使原来的大挠度曲线化为不同坐标系中的小挠度曲线段.各坐标系中的小挠度曲线段分别采用一般样条方法求解,然后分别交换到原坐标系中,各曲线段间采用二阶光滑连接.

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17. 平面高反压器件的优化设计与工艺分析

邓蓓, 包宗明

应用科学学报 1990, 8 (1): 91-94.

摘要（263）

PDF（pc）（281KB）（54）

本文用有限差分法解两维泊松方程,分析了在带有场限制环的平面高反压器件的制作中,硅表面不同的正电荷对最优环间距和击穿电压的影响及在掩膜间距不变的情况下击穿电压对衬底掺杂浓度和结深的灵敏性.这些结果对实际工艺生产有指导意义.

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18. 砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”——纪念邹元爔先生逝世三周年

汪光裕

应用科学学报 1990, 8 (2): 95-102.

摘要（444）

PDF（pc）（689KB）（107）

本文介绍邹元爔先生及其学生们应用物理化学方法在鉴别砷化镓中最主要深能级EL2缺陷本性方面的主要学术思想和研究成果,企图说明这种研究方法可弥补单纯应用物理方法的一些不足,并以此纪念邹先生对半导体物理化学学科方面的开拓性贡献.

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19. 低温下NiCr-NiSi热电偶的压力效应

黄桐凯, 顾锦模, 金汴骏

应用科学学报 1990, 8 (2): 103-106.

摘要（450）

PDF（pc）（303KB）（80）

我们对NiCr-NiSi热电偶的热电势值随温度的变化关系进行了测量,同时在窒温和液氮温度下,压力从0→18kbar (1bar=10⁵Pa)变化时,对该热电偶的压力热电势进行了测量,并给出了一种修正压力热电势的方法.

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20. 激光选择性离化铷同位素及铷同位素位移测量

路轶群

应用科学学报 1990, 8 (2): 107-111.

摘要（430）

PDF（pc）（321KB）（72）

在热管炉内,利用760.1nm激光无多普勒双光子泵浦将Rb从基态5S_1/2激发到7S态,然后用连续Nd·YAG激光将原子从7S态激发至电离态.离子由带负电的极板收集.离子信号经锁相放大器放大进入x-y记录仪记录.我们观察到选择性激发离化Rb⁸⁵,Rb⁸⁷信号,并给出了Rb (7S)态的同位素位移,同时也观察到5S→7S跃迁的超精细结构.

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21. 新的Q增强开关电容滤波器

吴杰

应用科学学报 1990, 8 (2): 112-116.

摘要（371）

PDF（pc）（283KB）（67）

本文介绍了一种新的增强极点Q的技术,提出了两个新的单运放开关电容(SC)带通滤波器,给出了设计方程和电容分布最佳设计.计算表明:本文电路的电容分布得到大幅度地减小.最后,还考察了电路的极点频率和极点Q灵敏度.

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22. LDD MOSFET表面横向电场模型及其应用

陈晓, 阮刚, 章倩苓

应用科学学报 1990, 8 (2): 117-125.

摘要（694）

PDF（pc）（582KB）（174）

本文提出了一种计算LDD (Light-Doped Drain) MOSFET表面横向电场的解析模型.该模型含LDD MOSFET几何和掺杂参数,可用以计算具有不同长度、结深及掺杂的轻掺杂漏区的LDD MOSFET表面横向电场,并可计算常规MOSFET和缓交漏MOSFET的表面横向电场.用该模型算得结果与用FD-MINIMOS进行数值计算得到的结果相符.基于该模型算得的电场结果,可计算衬底电流,并进而计算击穿电压.该模型可十分简便地确定LDDMOSFET的最佳几何参数的掺杂参数,为LDD MOSFET的设计提供便利的工具和快速的参数提取方法.

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23. 硅晶体管禁带宽度的测定方法

郑茳, 冯耀兰, 魏同立

应用科学学报 1990, 8 (2): 126-130.

摘要（569）

PDF（pc）（317KB）（94）

禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子的简并情况.

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24. 埃林瓦合金中γ'相沉淀的穆斯堡尔效应研究

钱祥荣, 陈付时, 金慧娟

应用科学学报 1990, 8 (2): 131-137.

摘要（4475）

PDF（pc）（2213KB）（142）

测量了淬火、回火和冷变形状态下Ni42CrTi埃林瓦合金的穆斯堡尔谱,并由谱计算了内场分布曲线P(H).实验所得的P(H)曲线的分布是很宽的,并可分解为三个高斯分布的曲线,代表了铁原子的三种不同的择优组态.内场的变化可归因于合金中γ'相的沉淀,后者导致了铁原子近邻环境的变化.比较P(H)曲线上不同内场处几率峰下的相对面积,可以得出合金在不同状态下的γ'相的相对量.此外,穆斯堡尔谱的组分的强度比表明了磁矩的择优取向的程度.

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25. 二元醇扩链嵌段聚醚氨酯的合成、性能及医学应用

黄祖琇, 冯新德

应用科学学报 1990, 8 (2): 138-144.

摘要（410）

PDF（pc）（441KB）（76）

本文报道用改进的溶液聚合法,以二元醇为扩链剂合成多种嵌段聚醚氨酶.文中对合成反应中的一些问题如:反应温度的选择,防止产物交联,提高产物分子量等进行了研究.测定了不同结构聚醚氨酯的性能,对结构与性能的关系进行了讨论.合成产物纯度高,分子量大,溶解性好,易成型.其中两种产品用复合涂层法制成主动脉内气囊泵的气囊,经测定具有优良的力学性能与抗凝血性能.

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26. 多官能度橡胶增韧环氧树脂的相分离研究

李善君, 王洪冰, 叶锦镛

应用科学学报 1990, 8 (2): 145-150.

摘要（343）

PDF（pc）（3647KB）（78）

用光学显微镜观察环氧官能团聚丙烯酸丁酯橡胶(ETPnBA)和羧基官能团聚丙烯酸丁酯橡胶(CTPnBA)增韧环氧树脂相分离的形态,研究固化条件和橡胶与环氧树脂的预反应程度对相分离的影响,讨论了体系相分离的控制.

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27. 用于分离水-乙醇的醋酸纤维素膜的渗透气化特性

巫炳坤, 施艳荞, 张世民, 程干炬, 陈观文

应用科学学报 1990, 8 (2): 151-157.

摘要（426）

PDF（pc）（1330KB）（81）

本文研究了二醋酸纤维素(CA),三醋酸纤维素(CTA)均质致密膜及CA反渗透膜对水-乙醇混合液的分离特性,发现这三种膜均呈现出良好的水优先透过性,展示了潜在的应用前景.CA与CTA对不同水-乙醇混合液的渗透气化速率J及选择分离比α,呈现出相同的变化趋势,但在各组成比,CA比CTA致密膜的J值要小,α则大.CA反渗透膜对水-乙醇混合液的渗透气化特性与CA致密膜不同,与操作温度之间的关系也不呈现Arrhenius指数变化规律.对上述透过现象,从膜的溶胀度及形态结构的角度进行了理论探讨.

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28. 电液控制真三轴仪的研究

陈晓光, 许广庚, 潘国栋, 王树海

应用科学学报 1990, 8 (2): 158-164.

摘要（372）

PDF（pc）（451KB）（68）

本文介绍了一种多用途的真三轴试验仪.它由计算机控制,具有三个方向独立控制加载的功能.其形变检测采用自制的光栅位移传感器,可实现所有测点的同一时刻采样.

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29. 带可信度的时序谓词事件网——地震预报决策模型

张一立, 尹伯文

应用科学学报 1990, 8 (2): 165-169.

摘要（349）

PDF（pc）（317KB）（74）

本文在佩特里网(Petri Net)和时序逻辑中基本实体的知识表示和推理的基础上,根据地震预报决策的要求,提出了带可信度的时序谓词事件同模型,它既能对多种因素的因果关系作出简明地表述、推理和验证,又能进行并发处理和动态处理.同时,此模型还可以应用于其它预测和决策问题.

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30. 布尔函数单调分解的直接方法(Ⅱ)

刘永才

应用科学学报 1990, 8 (2): 170-176.

摘要（442）

PDF（pc）（386KB）（71）

对于可单调分解的布尔函数,本文再次给出两类直接的单调分解法.第一类方法适用于和之积范式,第二类方法适用于任意布尔表达式.这些方法不难在计算机上实现.

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31. 半无限极性晶体内的极化子与温度的关系

赵勋杰, 顾世洧

应用科学学报 1990, 8 (2): 177-180.

摘要（386）

PDF（pc）（232KB）（66）

随着科学技术的发展,人们越加重视对极性晶体表面层中极化子性质的研究^[1~4].但对有限温度情况下表面极化子的研究很少.梁希侠和顾世洧^[5]研究了在零温情况下半无限极性晶体内的极化子,本文将讨论有限温度下,半无限极性晶体内极化子的性质.

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32. 静态永磁磁路的数值计算方法

许澍均, 史泰华

应用科学学报 1990, 8 (2): 181-184.

摘要（358）

PDF（pc）（241KB）（65）

永磁磁体以其方便、稳定的优势被广泛的使用,然而永磁体作为一个磁源,一直视为一种具有常数导磁率的材料处理,这不仅造成较大的误差,且对于新材料更难找到相对应的经验公式,极大的阻碍了它们的开发应用.我们采用数值计算,应用电磁等值模型,顺利地处理了这个问题.用这种方法可以设计新器件,也可以验证实用器件的设计合理性.

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33. 赝Kossel衍射指数的模拟法确定

张建中, 范得培, 周兵

应用科学学报 1990, 8 (2): 185-188.

摘要（341）

PDF（pc）（1093KB）（73）

晶体的X射线衍射非平行光法中,赝Kossel衍射是一个重要的方法^[1].其中背射赝Kossel法最实用方便.

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34. 径向非均匀光纤的改进阶梯法分析

徐善驾, 马哲旺

应用科学学报 1990, 8 (3): 189-196.

摘要（352）

PDF（pc）（492KB）（82）

提出了一种分析径向非均匀光纤的改进阶梯近似法.这种方法把传输线网络的概念和严格的场匹配方法相结合,给出了一个新的求解公式,大大简化了经典阶梯法的求解过程.文中对几种典型径向非均匀光纤色散特性、能流密度分布以及群速、微分群时延的分析计算表明,文中方法比以前的阶梯法更简洁、更精确,并收敛得更快.

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35. 超痕量RIS-TOFMS高技术在地质找矿中的应用

陈瓞延

应用科学学报 1990, 8 (3): 197-206.

摘要（334）

PDF（pc）（723KB）（97）

激光共振电离谱学和飞行时间质谱学相结合形成的RIS-TOFMS技术是当今超痕量探测技术中最新的、最灵敏的,也是通用性最好的一种.首先简短地介绍一下有关RIS-TOFMS方法的基本原理和它在一些高科技领域中应用的现状.然后,着重论述RIS-TOFMS方法应用于地质科学中勘查地下隐伏贵金属(黄金、铂、…)矿床的设想,并介绍了该实验室有关这方面研究工作的进展情况.从几年来此项工作进展和取得的成果来看,这项研究成果成熟化之后,应用开发的前景是明朗的.亦即,它将是:
(1)发展为陆地深部稀贵金属、稀土金属矿产资源勘探的新型的仪器设备;
(2)发展成为船载的新型的海洋矿产资源勘查的有效的仪器设备;
(3)发展成为材料科学(包括超导体科学)、薄膜科学、环境科学、生物、医学等方面的高科技研究的手段.

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36. 等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究

李丹之, 赵冷柱, 劳凤英

应用科学学报 1990, 8 (3): 207-212.

摘要（368）

PDF（pc）（408KB）（100）

根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si₃N₄时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si-O和Si-Si断键;另一是负电荷中心,它是Si-H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.

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37. MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度的萃取方法

孙兴初

应用科学学报 1990, 8 (3): 213-217.

摘要（469）

PDF（pc）（299KB）（105）

提出一个精确萃取MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度等参数的方法.这些参数的确定对于器件特性的模拟、分析以及对于生产工艺的监控具有实际意义.该方法采用一组特定的测试器件并使用计算机程序辅助来进行参数的萃取.使用萃取到的参数计算器件的漏电流特性并将其与实测数据进行比较,结果表明两者相符很好.

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38. 无限大扇形裂纹的Ⅱ型和Ⅲ型奇性应力场

徐林林, 欧阳鬯

应用科学学报 1990, 8 (3): 218-222.

摘要（402）

PDF（pc）（274KB）（90）

继续文献[1]的研究,讨论无限大扇形裂纹问题,作出了Ⅱ型和Ⅲ型奇性应力场.结果指出,与Ⅰ型奇性应力场的奇性性质一样,在裂纹的直边边界处应力场仍然具有1/2阶奇异性,而在角点处应力场的奇异性随角点夹角的大小不同有显著差异.当角点外凸时应力场的奇异性减弱,当角点内凹时应力场的奇异性增强.

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39. 全异步轧制的塑性力学和O.霍夫曼公式

赵正才, 宋美君, 汪木其

应用科学学报 1990, 8 (3): 223-231.

摘要（455）

PDF（pc）（597KB）（91）

本文提出了全异步轧制计算单位压力、平均单位压力和总压力的新公式
p_x=2K-q_h+(q_h-q_H)(Inh_x/h)/(InH/h),p_x=2K-q_H+(q_h-q_H)(Inh_x/H)/InH/h)
和O.霍夫曼公式比较,新公式有较高的精确度.依据新公式提出了异步轧制无摩擦峰新理论.

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40. 卡尔曼滤波器用于液压伺服系统中非线性参数的推定

贾莲凤, 陈雪瑞, 胡纯怀, 箱守京次郎

应用科学学报 1990, 8 (3): 232-240.

摘要（378）

PDF（pc）（546KB）（111）

从现代控制理论的观点出发,用卡尔曼滤波器的方法,把系统中的夫知参数作为未知状态来估计,对微机控制的液压伺服系统建立了含有非线性参数的线性动态数学模型.并利用系统连续微分方程和实验系统中差分方程的参数之间的关系,定量地推导出液压伺服系统中不可忽略的非线性因素:伺服阀滑间流量增益系数、压力流量系数以及干扰力矩.

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1990年，第8卷