应用科学学报

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1. 电磁场理论中几何化·数论消发散方法^*(Ⅰ) GNES方法的理论表述

戴显熹

应用科学学报 1991, 9 (1): 1-7.

摘要（439）

PDF（pc）（447KB）（77）

为对电磁场理论的高精度计算(如微波定向耦合器等),建议用"几何化·数论消发散"方法.作为这系列论文的第一篇,这里给出整体的理论表述;并利用作者发展的Ω级数理论,建立相当一般的严格的一维、非对称、非厄密奇性积分方程组.以后的论文将给出一般的解法,GNES方法细节,技术以及数值结果.

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2. 一类复合钟控序列

李献刚

应用科学学报 1991, 9 (1): 8-16.

摘要（416）

PDF（pc）（550KB）（72）

试图给出一类伪随机、变采样的钟控序列模型——复合钟控序列,并给出了它在某种条件下的极小多项式,从而得到了它的复杂度和周期.

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3. 粘弹性材料中的热量生成率函数及温度场控制方程

欧阳鬯, 徐正义

应用科学学报 1991, 9 (1): 17-23.

摘要（539）

PDF（pc）（414KB）（78）

对均匀、线性、具有时温等效性的粘弹性材料,从不可逆热力学基本定律出发,导出了热量生成率函数及近似温度场控制方程.在周期性变形的条件下,热量生成率函数被表示成了损耗模量及应变振幅的简单关系式.对任意周期形状,利用富里埃展开进行逼近.导得的函数及方程适用于各向异性、正交各向异性及各向同性粘弹性材料.可用来计算钢丝轮胎等粘弹性体的热损耗及温度场.

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4. 有耗电磁系统的相似性

时振栋

应用科学学报 1991, 9 (1): 24-28.

摘要（344）

PDF（pc）（334KB）（76）

介绍在电磁系统中含有耗材料时模型与原型间的相似性,并讨论了有界区域的相似性问题,它们对设计某些电磁工程前的模型试验是很有用的.

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5. 迭代函数的构造新法

张宏志

应用科学学报 1991, 9 (1): 29-42.

摘要（621）

PDF（pc）（812KB）（91）

该文得到以下结果:1.点型构造定理;2.区域型构造定理;3.恒收敛型构造定理;4.一个加速公式.其特点:1.方法简单,便于应用;2.由其构造的I.F.恒收敛,且有较高的效能指数,故经济、实用;3.所述方法是新的,故为迭代函数构造理论增添了新内容.

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6. 氟离子辐照对聚四氟乙烯基底上金属薄膜附着力的影响

刘正民, 杨莹

应用科学学报 1991, 9 (1): 43-48.

摘要（420）

PDF（pc）（1305KB）（93）

用6 MeV的氟离子对淀积在聚四氟乙烯基底上的In、Sn、Al、Cu、Pd和Ni等金属薄膜进行了一定剂量范围的辐照,测定了发生增强附着效应的阈剂量值.结果表明,阈剂量的大小和膜材料的弹性模量及电子阻止本领有关.据此提出了一个增强附着效应起因于膜内应力变化的假设.应用这一假设解释了一些与增强附着效应相关的现象.

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7. 涂敷型吸波材料电磁特性的预测

贾宝富, 刘述章, 林为干

应用科学学报 1991, 9 (1): 49-54.

摘要（582）

PDF（pc）（981KB）（133）

作者根据由强扰动理论推出的颗粒混合媒质等效介电常数和等效导磁率的计算公式,讨论了吸收剂粒子外形对吸波材料电磁特性的影响.从理论上导出了吸收剂粒子的最佳外形.讨论了多外形铁氧体吸波材料等效介电常数和等效导磁率的计算.实验结果表明,这些理论预测公式具有较高的准确性.

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8. 单源双电离室烟雾传感器的研制

毕清华, 谢荣乾

应用科学学报 1991, 9 (1): 55-60.

摘要（479）

PDF（pc）（418KB）（133）

着重叙述单源双电离室烟雾传感器的原理和特点.检测数据表明,在外加9伏电压作用下,只要烟雾减光率>0.5%/m,就能获得1.5伏以上的输出信号,和CMOS中规模集成电路号放大和控制系统组成高灵敏、小型烟雾探测器.用单源双电离室制成的烟雾探测器,在相对湿度为90~95%环境条件下,经过高、低温(+50~-20℃)下长时间(96小时)考验,伏安特性曲线未发现明显变化;放大和控制系统正常,没有发生误报现象,可以广泛地应用于防火报警和污染检测上.

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9. Al-Ti/W-PtSi-Si系统电性能的研究

李思渊, 张同军, 王晓岗, 贾笑天

应用科学学报 1991, 9 (1): 61-68.

摘要（544）

PDF（pc）（1231KB）（62）

本文给出了Al-Ti/W-PtSi-Si、Al-Ti/W-Si等多层结构电学性能,特别是欧姆接触与抗电迁移性的研究结果.包括电子能谱分析,扫描电镜观测表面形貌,电迁移激活能的确定以及在场感应晶体管和集成电路中的应用效果等.还讨论了相关的作用机理.

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10. 光电晶体管基区分布电阻的计算

方龙森

应用科学学报 1991, 9 (1): 69-78.

摘要（632）

PDF（pc）（634KB）（177）

给出了包括解析式外基区电阻和从SEDAN程序计算得到的基区Gummel数在内的内基区电阻的计算.结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关.方形光敏区中发射极的最佳位置在中心;光敏区边长对发射区边长的最佳比值是7.578425:1.这些结果将被用于设计低噪声和高频光电晶体管.

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11. 液态萜烯-马来酸酐(TM)固化环氧树脂性能的研究

高南, 金其良, 黄晨, 沈强华

应用科学学报 1991, 9 (1): 79-85.

摘要（734）

PDF（pc）（419KB）（100）

通过DSC、TGA等方法,采用与甲基四氢苯酐(MTHPA)对比,研究了新型液态萜烯-马来酸酐(T-M)固化环氧树脂特性.探讨了其固化机理和热分解机理.结果表明T-M具有优良的贮藏稳定性、热稳定性,固化放热量少、放热平稳.

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12. 半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

赵勋杰, 顾世洧

应用科学学报 1991, 9 (1): 86-90.

摘要（447）

PDF（pc）（316KB）（64）

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣^[1-5]。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。

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13. 硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响

吴仲墀, 钱佑华, 张维宽, 罗振华

应用科学学报 1991, 9 (1): 91-94.

摘要（406）

PDF（pc）（252KB）（75）

超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。

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14. 含非线性介质的RLC电路与有腔全光学型双稳系统的相似性

刘翠红, 吴庭万, 张晓东, 欧发

应用科学学报 1991, 9 (2): 95-103.

摘要（473）

PDF（pc）（572KB）（79）

从动力学方程上揭示了非线性RLC电路与本征型光学双稳系统的相似性.通过按一定实验数据拟合的磁导率函数,研究含铁磁质的RLC电路的双稳性及有关静、动态特性.

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15. 盐酸浸泡后的铁在空气中氧化及缓蚀剂防护作用的穆斯堡尔谱研究

周孙选, 郑家燊

应用科学学报 1991, 9 (2): 104-108.

摘要（560）

PDF（pc）（348KB）（73）

用内转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)分析了铁经盐酸或加有缓蚀剂的盐酸(缓蚀盐酸)浸泡后在空气中的氧化物,以及盐酸中的缓蚀剂对浸泡后铁在空气中氧化的防护作用.结果表明,盐酸或缓蚀盐酸浸泡后的铁在空气中的氧化物主要是γ-FeOOH,有少量β-FeOOH;盐酸中缓蚀剂对浸泡后的铁在空气中氧化具有防护作用.而且在盐酸中对铁的缓蚀性能较好,在空气中对铁的防氧化性能也较好.最后对缓蚀剂的防氧化作用机理进行了讨论.

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16. 苯乙烯-马来酸酐共聚物与聚碳酸酯共混体系的研究

叶锦镛, 骆惠雄

应用科学学报 1991, 9 (2): 109-116.

摘要（634）

PDF（pc）（3089KB）（185）

苯乙烯-马来酸酐共聚物(SMa)与聚碳酸酯(PC)的相容性与SMa中Ma的含量有关,Ma摩尔含量在26-28%附近时相容性较好.通过FTIR、SEM等研究,发现SMa与PC在熔融共混中产生了接枝共聚反应。

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17. 氮化铝薄膜微波换能器的研制

刘付德, 梁子南

应用科学学报 1991, 9 (2): 117-122.

摘要（415）

PDF（pc）（432KB）（84）

阐述用直流平面磁控溅射法在z-LiNbO₃传声介质上淀积出优质氮化铝薄膜,并制成了一维纵模微波换能器,还由它制成了微波体声波延迟线.该延迟线在中心频率为2.21GHz、延迟时间为1.83μs下插损为22dB,带宽(3dB)为13%.对在微波频率下应用的这种AlN压电薄膜,由导纳法经实验曲线和理论计算结果的拟合获得这种横向受夹厚度模压电薄膜的机电耦合系数为0.13,这个结果略小于块材AlN的值,可能主要是由于所生长的AlN薄膜微晶晶粒的c轴方向有一定的分散性和c轴反向性所致.从电导测定结果表明换能器中有一等效的串联电阻,它可用于说明匹配和调谐换能器存在损耗的原因.

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18. 超低通滤波器幅频特性的微机测试

徐成汤

应用科学学报 1991, 9 (2): 123-128.

摘要（437）

PDF（pc）（393KB）（92）

介绍采用中断方法由微计算机和D/A转换器发生低峰值系数多谐波合成信号作为超低通滤波器的输入信号,并同时经由A/D转换器采集该滤波器的输出信号.通过对滤波器输出波形进行快速富里叶变换实现对超低通滤波器幅频响应特性的快速测试.

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19. CsC₈的能带结构

过建清, 陆栋

应用科学学报 1991, 9 (2): 129-134.

摘要（521）

PDF（pc）（404KB）（55）

用Ohno,Nakao和Kamimura的方法计算了石墨插层化合物CsC₈的能带结构.表明Cs的6S能带底位于费密能级以上3.6eV处。所以,铯原子层的价电子全部转移到石墨碳原子层的反键π能带.所得结果与其他计算结果相符.

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20. 金刚石、Si、Ge和α-Sn的声子色散曲线

资剑, 张开明

应用科学学报 1991, 9 (2): 135-139.

摘要（1365）

PDF（pc）（293KB）（551）

用6参数Born-von Karman模型计算了金刚石、Si、Ge和α-Sn的声子色散曲线.除Si、Ge和α-Sn的TA声子外,计算结果与实验符合较好.

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21. 集成电路工艺实时统计分析方法与应用

何野

应用科学学报 1991, 9 (2): 140-144.

摘要（474）

PDF（pc）（312KB）（89）

与试验设计方法相结合,提出了一个用于集成电路工艺实时统计分析的方法.对CMOS和NMOS电路的实际模拟分析结果表明,利用该方法对工艺线上的芯片测量结果进行分析,能找出导致器件及电路特性分布异常的主要可能工序.

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22. 注化学溶液油藏模拟的差分方法

袁益让, 王文洽

应用科学学报 1991, 9 (2): 145-153.

摘要（405）

PDF（pc）（538KB）（67）

研究二维、多组分、多相、可压缩混合流体组成的注化学溶液强化采油数值模拟的差分方法,这一模拟是一个完整的关于注入胶束/聚合物化学溶液的过程.在过程中包含注入表面活性剂、酒精、聚合物、盐水和碳氢化合物的各种化学溶液去驱替油藏岩石中的石油.其数学模型是一组非线性偶合偏微分方程组的初、边值问题.提出了一类差分格式,并得到最佳阶的误差估计结果.无疑将对这一领域的模型分析、数值方法、机理研究和软件研制均有重要的理论和实用价值.

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23. 对称函数最佳线性逼近的求法

武传坤

应用科学学报 1991, 9 (2): 154-160.

摘要（579）

PDF（pc）（424KB）（80）

利用频谱技术给出了求对称函数最佳线性逼近函数的快速算法.

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24. 力学中的一类常微分方程反问题及其数值解法

吴新元

应用科学学报 1991, 9 (2): 161-168.

摘要（626）

PDF（pc）（462KB）（120）

提出力学中的一类常微分方程反问题,并且给出处理这类常微分方程反问题的一种数值解法.

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25. 求解决策过程的布尔方法

刘永才

应用科学学报 1991, 9 (2): 169-176.

摘要（461）

PDF（pc）（477KB）（77）

在大量科学实验、工程测试、医疗诊断、环境监测等决策过程中,会遇到这样一类问题:如何从有限次试验归结出客观规律及揭示出内在的因果关系.该文给出解决这类问题的布尔方法.

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26. 可识强码的分解

邱伟德, 章亮

应用科学学报 1991, 9 (2): 177-181.

摘要（454）

PDF（pc）（363KB）（64）

研究强码,得到以下三个结果:(1)任意一个群都可以成为X^*的句法么半群,其中X是某个极大强码;(2)可识强码X可分解为两个可识强码复合的充要条件为接受X^*的最小自动机上存在真同余;(3)句法么半群为单群的极大强码称为单极大强码,任一可识强码可分解为有限个单可识强码的复合.

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27. 闪烁晶体CdWO₄的光学性质

徐军, 马笑山, 吴光照, 沈雅芳, 张新民, 顾及

应用科学学报 1991, 9 (2): 182-184.

摘要（557）

PDF（pc）（991KB）（94）

X射线计算机断层摄影(简称XCT),自1972年面世以来,愈来愈显示出其诱人的前景。而其探测器用的闪烁晶体有OsI (Tl)、NaI (Tl)、BGO、ZnWO₄和CdWO₄等。就目前来说,CdWO₄的综合性能最优,它的发光强度高,余辉时间短,对X射线吸收系数大,透光性能好。然而,由于此晶体具有严重的解理特性,且原料挥发严重以及镉蒸汽有毒,生长极为困难,晶体质量太差,这些都严重影响了它的广泛应用。本文通过研究,基本掌握了它的挥发、解理机理,通过选择配料和温场,用高频感应引上法获得了较好的CdWO₄大单晶。并首次提出氧空位和Fe³⁺等杂质是晶体着色的主要原因。实验测量了它的发光光谱。

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28. In_xGa_1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

钟福民, 陈京一

应用科学学报 1991, 9 (2): 185-188.

摘要（465）

PDF（pc）（251KB）（119）

超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后^[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。

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29. 铁磁薄膜中静磁表面波和体波的能流方向

王奇, 鲍家善

应用科学学报 1991, 9 (3): 189-195.

摘要（474）

PDF（pc）（449KB）（130）

铁磁薄膜波导中的静磁表面波和体波是色散的,波矢显示各向异性.一般,静磁波的能流方向与传播波矢非共线.文中研究分析了静磁表面波和体波的能流方向随频率和外偏置磁场方向的变化规律.

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30. 一种产生任意曲线的递归算法

杨峥嵘, 姚林声, 甘骏人

应用科学学报 1991, 9 (3): 196-200.

摘要（509）

PDF（pc）（289KB）（84）

在计算机辅助设计及计算机图形学中,提出一种产生任意曲线的递归算法.该算法的特点是算法简单,计算精确,易于实现.并已应用于声光器件图形处理系统中.

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31. 电磁场理论中几何化·数论消发散方法(Ⅱ)简约电荷分布、一般形式解及数论消发散定理

戴显熹, 徐新闻, 李洪芳, 钟万蘅, 黄静宜

应用科学学报 1991, 9 (3): 201-208.

摘要（642）

PDF（pc）（459KB）（94）

该文为GNES方法论文系列中的第二篇.建议简约电荷分布的概念,并讨论其应用.给出一般的基本积分方程组的形式解,它将由几何参数直接表示电容系数.给出数论消发散定理,它提供了既自然地消除积分核的对角线奇性,又能同时运用数论方法的一个具体方案,而且不带调节参数.

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32. 二阶系统的振动条件

张昌波

应用科学学报 1991, 9 (3): 209-214.

摘要（638）

PDF（pc）（355KB）（76）

给出二阶系统的振动条件.作者拟从非线性系统(2)的振动条件着手,进一步研究具有偏差变元的非线性系统(3)的振动条件,改进了国内外一些已发表的结果.

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33. 使用单片微机的离子源弧流稳定系统

翟其刚, 俞光仪, 徐林木, 陈伟民

应用科学学报 1991, 9 (3): 215-221.

摘要（569）

PDF（pc）（503KB）（83）

设计和制造一套使用单片微计算机的离子源弧流稳定系统,使用光纤传递信息以使高压与低压隔离,使得在低压侧用同一系统通过切换来控制直热式和间热式离子源,使之弧流稳定.达到的弧流稳定度优于±1%(F.S.)

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34. 界面周期裂纹的SH波散射

邹振祝, 章梓茂, 马兴瑞

应用科学学报 1991, 9 (3): 222-232.

摘要（430）

PDF（pc）（669KB）（85）

研究了分布于两个半空间之间的界面周期裂纹对反平面剪切波的散射问题.应用有限富里叶变换.将一个周期带内的混合边值问题归结为对一具有周期核的第一类奇异积分方程的求解;借助于切比雪夫多项式,给出了积分方程的级数形式解,并得到了在裂纹尖端附近应力强度因子的计算公式.最后,对散射位移场的远场性态进行了分析讨论.

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35. 含成品率极大的多目标CMOS倒相链的优化设计方法

郝跃

应用科学学报 1991, 9 (3): 233-242.

摘要（473）

PDF（pc）（597KB）（107）

给出了CMOS倒相链多目标优化设计的数学模型以及目标函数的建立过程,得到了含成品率极大的多目标优化设计的统计性方法.该异步统计优化方法对成品率和其它电路性能的优化是不同步的.它能减少对电路成品率解析描述的困难和计算的要求.最后给出多目标CMOS设计的数值结果,并根据模拟结果证明了该法的可行性.

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36. 介质-磁头系统的场分布

陈坚勇, 许澍均

应用科学学报 1991, 9 (3): 243-250.

摘要（385）

PDF（pc）（466KB）（89）

用有限元方法,对数字磁记录中的磁头-介质系统进行了计算机模拟,得到磁头-介质一体化的磁场分布以及磁力线分布.介质磁化过程遵循矢量磁滞模型,用磁头材料的测量值作为磁头的磁滞模型.

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37. 四包层色散平坦光纤的参数设计和试制

萧天鹏, 陈锡浩

应用科学学报 1991, 9 (3): 251-257.

摘要（402）

PDF（pc）（466KB）（103）

色散平坦光纤可用于波分复用技术,对长距离大容量通讯系统具有很大吸引力.文中选择四包层单模光纤作为研究对象,概述了四包层结构的基本理论,对有关传输特性和结构参数进行了考虑和计算.通过工艺试制,获得了从1.3-1.55μm波长范围具有低色散特性的单模光纤.

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38. 应用于超大规模集成电路的新材料WSi₂的快速热退火形成

陈存礼, 曹明珠, 华文玉

应用科学学报 1991, 9 (3): 258-262.

摘要（513）

PDF（pc）（1098KB）（161）

用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi₂的行为.在331和450cm^-1处有两个WSi₂的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi₂的晶化不断增强.发现WSi₂中伴有W₅Si₃相存在,但其行为仍显示为WSi₂的特征.

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39. 金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用

郑国祥, 周寿通, 邬建根, 王昌平, 屈逢源, 丁志发

应用科学学报 1991, 9 (3): 263-268.

摘要（619）

PDF（pc）（437KB）（116）

以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm²的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.

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40. 金属切削中进给方向毛刺的生成机理及其控制

王贵成, 中山一雄, 新井実

应用科学学报 1991, 9 (3): 269-275.

摘要（572）

PDF（pc）（1269KB）（127）

以切削运动和进给运动方向为基准,对切削毛刺进行了分类,建立了金属切削中进给方向毛刺生成模型.并对其生成机理进行了实验研究和相应的理论分析,揭示了进给方向毛刺生成机理及其主要影响因素.进而提出了抑制进给方向毛刺的若干措施,开发出几种控制和减少进给方向毛刺的新方法.

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1991年，第9卷