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32.
砷化镓表面P2S5/NH4OH钝化研究
宗祥福, 翁渝民, 刘开锋, 范志能, 李川, 潘忠伟
应用科学学报
1994, 12 (3):
196-202.
用X光电子能谱(XPS)、先致发光(PL)和俄歇电子能量谱(AES)研究P2S5/NH4OH对n型GaAs (100)晶面的钝化作用.测试结果表明,钝化后在砷化镓(100)面上的自然氧化物已被除去,表面形成了一层性质稳定的硫原子层.硫原子与砷、镓原子分别有效地成键,阻止了砷化镓表面氧化物的组成,并消除了表面存在的悬挂键,从而大大优化了GaAs (100)面的特性.PL实验结果支持了上述结论.实验结果表明钝化后GaAs表面复合速度下降,表面态密度降低.
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