应用科学学报

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1. 三热源热泵的最优性能

严子浚, 陈金灿

应用科学学报 1989, 7 (1): 1-6.

摘要（377）

PDF（pc）（404KB）（115）

本文研究仅受传热不可逆影响的一类三热源热泵,证明了其中以内可逆三热源热泵为最优,并导出其最佳供热系数与供热率间的关系.从而阐明了热阻的存在对三热源热泵的最优性能所带来的根本性影响.所得的结论比经典热力学的结论更有实际意义.

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2. 窄缝厚鳍鱼鳍线传输特性的分析

徐善驾

应用科学学报 1989, 7 (1): 7-12.

摘要（376）

PDF（pc）（426KB）（58）

本文提出了一种适用于具有极窄槽缝,并可计及鳍厚影响的鱼鳍线传输特性的分析方法.应用这种方法对单侧和双侧鱼鳍线色散和阻抗特性的数值分析表明,该方法避免了别的数值方法在计算极窄槽缝鳍线时所遇到的收敛性问题,并证实具有快速、有效和简便的特点.

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3. 三羟甲基胺基甲烷晶体非极性轴方向电学性能的实验测量

史子康, 李征东, 苏根博

应用科学学报 1989, 7 (1): 13-18.

摘要（486）

PDF（pc）（371KB）（60）

三羟甲基胺基甲烷(TAM)晶体是一种新型极性有机晶体.本文较全面地研究了它在非极性轴方向的介电常数、损耗角正切、交直流电阻率、光透过率等有关电学性能.

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4. 一种递推的最优(LSE)反滤波方法

黄中平, 倪重匡, 谢恽

应用科学学报 1989, 7 (1): 19-24.

摘要（422）

PDF（pc）（355KB）（102）

本文提出一种获取地震波反射系数的反滤波方法.这种方法对反射系数的估计量具有最小误差方差的性质.由于这种方法是用递推、同址计算的方式实现的,因此它仅需较少的运算操作和存贮单元.

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5. 慢波型微波传感器的理论与实验研究

颜晓鸿, 张兆镗

应用科学学报 1989, 7 (1): 25-29.

摘要（441）

PDF（pc）（308KB）（72）

本文从理论上分析了介质加载的Karp型慢波线,得到了一般形式的色散方程,并利用计算机对Karp线的几何尺寸、加载介质的介电常数对其色散特性的影响进行了计算,所得结果对Karp线作为慢波型微波湿度传感器有一定的指导意义,理论和实验证明慢波型微波传感器有其独特的优点.在非电量的微波检测技术方面有较大的实用价值.

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6. 层状各向异性介质的电磁逆散射

陈小安, 章文勋

应用科学学报 1989, 7 (1): 30-34.

摘要（358）

PDF（pc）（298KB）（61）

本文研究层状各向异性介质的电磁逆散射,讨论了无耗、有耗、非均匀层状各向异性介质的特性重组问题.

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7. Ar-Hg放电正柱中Hg6¹P₁态浓度及表面185.0nm辐照度

朱绍龙, 郑莉, 蔡祖泉

应用科学学报 1989, 7 (1): 35-40.

摘要（480）

PDF（pc）（409KB）（60）

利用辐射谱线经电离气体后的吸收,可以确定不同直径的低气压Ar-Hg放电正柱中Hg6¹P₁态的浓度.本文选用了576.96nm (6³D₂→6¹P₁)及579.07nm (6¹D₂→6¹P₁)两辐射线,各自测得Hg6¹P₁态浓度,结果符合较好.由测得的Hg6¹P₁态浓度数据,用光子扩散理论公式计算了这些不同直径的低气压Ar-Hg放电正柱内表面的185.0nm辐照度.结果表明直径10mm的细管Ar-Hg放电中的185.0nm表面辐照度比直径36mm的要高一个数量级以上,此结果解释了为什么紧凑型荧光灯(内径为10mm)必须采用耐185.0nm辐射的荧光粉.

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8. 单晶体红宝石三维内应力测定

李李泉, 范得培, 丘第荣

应用科学学报 1989, 7 (1): 41-46.

摘要（398）

PDF（pc）（1230KB）（76）

通过应用赝Kossel背射一次曝光法,测量焰熔法生长的红宝石晶体八个方向的应变量,并对与之相应的平均应变张量和应力张量进行求解,测出红宝石晶体的三维内应力.上述方法是分析单晶体应变和应力结构的一个有效方法.

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9. 钽舟真空蒸发制备高纯金属、合金和硅化物薄膜及其在大规模集成电路中的应用

张一平, 徐元森

应用科学学报 1989, 7 (1): 47-51.

摘要（420）

PDF（pc）（1020KB）（133）

本文提出以纯钽舟为电阻加热器真空蒸发高纯度Al、Cr、Si、Ti、Al-Si、TiSi等薄膜的方法,测定了这些薄膜的性质.证明钽舟蒸发薄膜具有投资省、操作简单、控制方便、产品沾污少、纯度高等优点,适合于大规模集成电路的研制.

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10. 砷化镓-氧化硅界面特性研究

盛箎, 任云珠

应用科学学报 1989, 7 (1): 52-56.

摘要（386）

PDF（pc）（376KB）（68）

本文报道了用真空蒸发法在砷化镓上淀积一氧化硅.在蒸发过程中保持砷化镓表面温度低于150℃.可获得低损伤的砷化镓-一氧化硅界面.

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11. 双离子注入增强退火效应的研究

朱锦良, 程东方, 王良, 蔡仁康

应用科学学报 1989, 7 (1): 57-60.

摘要（415）

PDF（pc）（941KB）（157）

本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.

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12. 用直线四探针头测量金属-半导体的接触电阻率

陈存礼, 华文玉

应用科学学报 1989, 7 (1): 61-64.

摘要（569）

PDF（pc）（239KB）（244）

本文提出一种用直线四探针头测量金属-半导体欧姆接触接触电阻率的简捷方法.导出了适用于薄层半导体材料的接触电阻率表达式,经实验验证结果与线性传输线模型一致.

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13. PbO₂/MnO₂半导体薄膜工艺与ESCA/AES研究

俞志中, 胡南山, 蔡炳初

应用科学学报 1989, 7 (1): 65-70.

摘要（500）

PDF（pc）（452KB）（58）

在PbO₂中掺MnO₂,用射频偏压溅射技术制成PbO₂/MnO₂半导体薄膜,有较好的高低温特性,用它首次制成了TLMM薄膜大容量电容器^[1].用粉末溅射法制备了纯正化学状态的MnO₂膜,已用于光电倍增管的制造.用ESCA和AES技术监测工艺过程中薄膜组分含量及化学状态,从而调整了工艺参数与靶材比率.

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14. 集成烟雾探测电路的研制

陈石龄

应用科学学报 1989, 7 (1): 71-74.

摘要（433）

PDF（pc）（257KB）（61）

本文报道了研制成功的CMOS集成烟雾探测电路.电路的主要特征是:探测端输入阻抗高,可与电离室直接连接使用;内部设置的探测覆值可通过外电阻调节;探测端两侧的有源保护有效地避免了误触发;电路内部备有驱动器.

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15. 单分子层油酸包覆Fe₃O₄的研究

曾桓兴, 周文运

应用科学学报 1989, 7 (1): 75-80.

摘要（475）

PDF（pc）（1157KB）（87）

本文提出了一种共沉淀——溶液吸附法制备单分子层油酸包覆Fe₃O₄超微粒子的方法,并采用透射电镜比表面测定,差热和热重,X光衍射和红外光谱分析等对其颗粒的形状、大小和结构作了初步探讨.提出了颗粒度和油酸吸附量的简易估算和测定方法.

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16. 蒸散型吸气剂的出现电势谱研究

邵力为, 刘洁美, 娄维鸿, 陈德森, 胡嗣安

应用科学学报 1989, 7 (1): 81-85.

摘要（462）

PDF（pc）（323KB）（59）

本文介绍运用俄歇电子出现电势谱和共振光电子与俄歇电子出现电势谱复合分析技术对蒸散型吸气剂的蒸散镜面所作的表面分析,其中主要是对不同质量吸气剂蒸散镜面的表面态作了一定比较,对吸气剂所含的杂质成分作了分析研究,并介绍了检测分析管的基本结构和检测电路方框图.这对出现电势谱在吸气剂生产上的开发应用,具有一定的实用价值.

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17. 氯乙烯-醋酸乙烯-乙烯醇共聚物分子量对磁性涂层界面粘合性的影响

王平, 黄毓礼, 裘照耀, 牛爱洁, 李琮

应用科学学报 1989, 7 (1): 86-90.

摘要（428）

PDF（pc）（1098KB）（76）

本文评价了γ-Fe₂O₃在两种不同分子量的氯乙烯-醋酸乙烯-乙烯醇共聚物-丁酮溶液中的分散性,测定了这两种共聚物与γ-Fe₂O₃的粘附张力;与聚酯薄膜的剥离强度.从实验上验证并从理论上说明了分子量为3.4万的共聚物有利于改善磁性涂层的界面粘合性.

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18. 器件钝化中的应力中心和应力补偿效应

李丹之

应用科学学报 1989, 7 (1): 91-94.

摘要（458）

PDF（pc）（1119KB）（80）

半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力^[1].由于Si-SiO₂界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降.

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19. 钇铁柘榴石单晶薄膜在高功率下铁磁共振饱和现象和折叠效应

张有霆

应用科学学报 1989, 7 (2): 95-100.

摘要（531）

PDF（pc）（478KB）（125）

本文进一步研究了垂直泵作用下,钇铁柘榴石(YIG)单晶薄膜脉冲微波功率的铁磁共振吸收特性.实验结果表明:在较低微波功率下,低占空因子脉冲微波功率的铁磁共振曲线的主要特征是由于自旋波不稳定性引起共振线宽的变宽效应,而且增加磁场和减少磁场得到的共振曲线基本是相同的.在高微波功率下出现了铁磁共振的折叠效应.

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20. 滚动轮胎稳定态温度场及热损耗计算

欧阳鬯, 徐正义

应用科学学报 1989, 7 (2): 101-107.

摘要（399）

PDF（pc）（429KB）（66）

利用热学方法,将外边界温度及热物性系数作为已知量,在一个FORTRAN程序中,对热稳定态受载滚动轮胎的内部温度场及热损耗进行了计算,数值结果与实验结果一致.

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21. 感性膜片窗口不连续性的研究

戎敖生, 李嗣范

应用科学学报 1989, 7 (2): 108-114.

摘要（362）

PDF（pc）（403KB）（95）

本文提出了一种新型的具有真空密封性能、沉积在介质基片上的波导感性膜片窗口.利用横向谐振法结合奇异积分方程技术,导出了具有快速收敛特性的不连续性等效电路参量计算公式.作为示例,数值计算了感性双侧膜片窗口,当结构退化成感性纯金属窗口时,数值结果与文献[1]趋于一致.

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22. 敷介质波导缝隙特性的研究

夏克金, 杨弃疾

应用科学学报 1989, 7 (2): 115-123.

摘要（569）

PDF（pc）（530KB）（100）

应用混合域理论分析了敷介质波导纵缝的特性.并给出计算与实验结果的对照,指出扁波导大偏移缝隙无谐振现象的原因.

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23. In-Sb薄膜的相变和电学性质研究

王豪, 干福熹

应用科学学报 1989, 7 (2): 124-128.

摘要（404）

PDF（pc）（1256KB）（68）

本文研究了In_xSb_1-x(x=0.27~0.45)的溅射薄膜从非晶态到晶态的相变动态过程,及该系统薄膜在相变过程中电性质的变化,还讨论了非晶态In-Sb薄膜的结构变化与电性质的关系.

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24. 适用于VLSI的光刻模型及模拟的若干研究

冯向明, 阮刚

应用科学学报 1989, 7 (2): 129-136.

摘要（469）

PDF（pc）（1217KB）（116）

本文讨论了光刻模拟的有关模型,提出了一种适用于VLSI光刻工艺模拟的程序FUPLIS,给出了用FUPLIS对若干光刻工艺进行模拟的结果,模拟结果对光刻工艺的理解和指导有重要作用.

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25. 小尺寸MOS器件热载流子效应模拟

魏同立, 何野

应用科学学报 1989, 7 (2): 137-142.

摘要（583）

PDF（pc）（381KB）（101）

本文从实用的角度出发求解泊松方程.提出了一个小尺寸MOS器件热载流子效应的模拟方法.并开发了相应的模拟软件.模拟结果接近精确的二维MOST分析,并与实验吻合良好,而CPU时间却降低了1~2个数量级.

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26. 光截止法中透光因子的解析式及其与碲镉汞组分的关系

戴显熹, 王新德

应用科学学报 1989, 7 (2): 143-147.

摘要（496）

PDF（pc）（307KB）（67）

本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10^-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10^-4的解析式.

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27. MOCVD装置的微机控制

翟其刚, 徐林木, 陈伟民, 俞光仪

应用科学学报 1989, 7 (2): 148-152.

摘要（518）

PDF（pc）（356KB）（81）

本文叙述了一个MOCVD装置的微计算机控制系统.控制系统包括微计算机接口、每一种气体质量流量控制、各种有机源的温度控制、射频加热感应器的温度控制、多通道气体开关和屏幕指示等.

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28. 限值响应过程的超平面识别模型——实验设计方案结果处理中的应用

徐灿, 张未名, 陈念贻, 梁友生, 贺寿潜

应用科学学报 1989, 7 (2): 159-164.

摘要（398）

PDF（pc）（393KB）（70）

本文基于模式识别主观点探讨了本征值分解法与实验设计实施结果的关系.并给出了几个具体例子来说明此方法的应用.

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29. 10cm微波辐射计测海冰厚度

金惠琴, 杨广林, 陈丁人

应用科学学报 1989, 7 (2): 165-168.

摘要（584）

PDF（pc）（269KB）（110）

本文叙述了10cm微波辐射计的性能、测冰厚的原理.该仪器参加了辽东湾1986年冬季航空遥感试验,初步给出了亮温和冰厚的关系曲线,画出了航线上的冰型分布曲线.试验结果表明,用微波辐射计测冰厚是一种很有效的手段.

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30. 辐射合成水凝胶材料的影响因素及性能

杨月琪, 刘钰铭

应用科学学报 1989, 7 (2): 169-173.

摘要（480）

PDF（pc）（364KB）（124）

本文主要介绍以电子加速器为辐射源,影响辐射合成水凝胶材料性能的诸因素和材料生物学性能的一些研究结果.
利用电子加速器的高剂量率的电子射线可以在常温下快速制得性能优越的水凝胶材料;本材料已用于制造超薄型软接触镜.

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31. 复射线近轴近似原理和应用

阮颖铮, L. B. 费尔森

应用科学学报 1989, 7 (2): 174-178.

摘要（448）

PDF（pc）（307KB）（81）

本文基于复射线理论和微扰原理,发展了一种近轴近似计算方法,可大大简化波场问题的求解过程.

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32. 重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨

谭淞生, 朱德光, 王自筠

应用科学学报 1989, 7 (2): 179-181.

摘要（447）

PDF（pc）（1036KB）（72）

虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的^[1~5].与体材料相比,采用P/P⁺和n/n⁺外延材料加工MOS电路有很多优点^[6].

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33. 半导体集成化温度敏感器件的研究

方培生

应用科学学报 1989, 7 (2): 182-184.

摘要（352）

PDF（pc）（213KB）（61）

以前,人们利用p-n结的正向压降V_BE随温度而变化的特性,制作温度敏感器件.最近,国外研制集成化温度敏感器件,克服了单管温度敏感器件,E-B结压降一致性差,灵敏度不够高的缺点.

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34. 磁性液体的微波特性

许培英, 陆怀先, 都有为, 王挺祥

应用科学学报 1989, 7 (2): 185-188.

摘要（480）

PDF（pc）（240KB）（64）

磁性液体是一种新型的磁性材料,它由超细磁性微粒和基液构成的一种胶体体系.通常,Fe₃O₄微粒的直径在10nm左右^[1].早在60年代,美国就开展了对它的研究工作(主要在航天方面).

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35. 同一空间的静电聚焦与偏转场

王阳, 姜祥祺, 华中一

应用科学学报 1989, 7 (3): 189-193.

摘要（410）

PDF（pc）（1151KB）（60）

迄今为止,还没有一种电子光学系统能将带电粒子的静电聚焦场与偏转场位于同一空间.本文则证明在同一封闭几何边界上如叠加两种规定的连续电位,可以在同一空间产生两种相应的场.例如采用简单正方形几何截面的连续线性变化电位边界作为四极场式的聚焦结构时,可以同时叠加x、y偏转场.初步的电子光学实验也证明这种设想是正确的,如在示波管工艺上得到应用则可缩短全管的长度.

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36. 可调中心距齿轮副空程的理论分析和计算

张荣欣, 龚振邦

应用科学学报 1989, 7 (3): 194-200.

摘要（525）

PDF（pc）（441KB）（57）

本文对引入齿数比的动态数学模型,运用随机过程理论,严格分析沦证了空程的各种统计特性,并据此求出工程设计时空程的计算公式及有关参数:均值系数、标准差系数和取值系数等.

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37. 多入射角椭偏法同时测量衬底光学常数和膜参数

周庆初, 徐乃欣, 石声泰

应用科学学报 1989, 7 (3): 201-206.

摘要（443）

PDF（pc）（464KB）（108）

本文首先讨论了多入射角椭偏法同时测量衬底光学常数和膜参数时结果的唯一性跟各未知参数间相关性的关系,从而提出了选择合适入射角的一般原则.计算了不同入射角下硅-二氧化硅体系和不锈钢钝化膜体系的椭偏参数△、Ψ对n_s、k_s、n_f、k_f、d和人射角φ₀的一阶导数,考查了各未知参数之间的相关性.最后给出了用随机单纯形法对这两个体系进行拟合计算的实例.

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38. 线性方程组的精确解法及其在泛函极值中的应用

张可村

应用科学学报 1989, 7 (3): 207-212.

摘要（395）

PDF（pc）（384KB）（87）

本文对在工程优化过程中抽象数学模型得到的一类特殊的n阶线性方程组,导出了解析解的表达式,且借助于解的解析表达式,给一类条件泛函极值问题提出了新的求解方法,并利用这种求解方法于工程最佳设计中,收到了显著效果.

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39. 用边界元法求解三维静电场问题

吴万春, 文舸一, 刘学观

应用科学学报 1989, 7 (3): 213-218.

摘要（533）

PDF（pc）（343KB）（123）

本文对三维静电场的边界元法求解作了详细讨论,并给出了用边界元法求解三维导体电容的计算实例.结果表明,该方法有较高的精度,计算量小,是一种十分有效的方法.

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40. 一种确定MESFET噪声参量的新方法

蔡纯青, 蔡树榛, 阮一刚, 王建伟

应用科学学报 1989, 7 (3): 219-224.

摘要（422）

PDF（pc）（419KB）（58）

本文提出了一种确定MESFET噪声参量的新方法.该法不仅能单独从MESFET结构参量或S参数实测值出发计算噪声参量;而且能同时利用结构参量及S参数实测值,通过优化,得出更精确的噪声参量.

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1989年，第7卷